ZnCdSe-ZnSe组合超晶格的受激发射

77K下首次观测到了来自ZnCdSe ZnSe组合超晶格的受激发射过程。在组合超晶格中由于载流子转移过程的存在 。

室温下ZnCdSe-ZnSe组合超晶格的子带跃迁

通过在室温下对ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅ组合超晶格结构的电调制反射谱的测量，观测到分别来自两组超晶格的激子跃迁，由曲线拟合出的跃迁能量与由包络函数近似计算得到的能量相符合．

ZnSe pn二极管蓝绿色电致发光

用常压ＭＯＣＶＤ方法制备了ＺｎＳｅｐｎ结构．由电子束感生电流像表明ｐｎ结的存在；用发光和Ｉ－Ｖ等方法研究了二极管的特性；

ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱中的光学特性研究

用LP MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱 (ADQW )结构。通过 ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果 :在弱激发下 ,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象 ;在强激发下 ,在ADQW结构中发现了一个内建电场 ,它将影响激子隧穿 ;首次观测到由激子隧穿引起的在一定温度范围内宽阱的发光强度随温度上升而增加的现象 ;

Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe量子限制Stark效应光调制器

研究了Ｚｎ１－ ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ 多量子阱Ｓｔａｒｋ 效应光调制器的研制及其在室温下的光学特性，包括透射谱、反射谱以及在不同外场作用下的微分透射谱和微分反射谱，指出了这类调制器目前可以达到的调制幅度，及可能的应用前景．

以S-K和V-W模式生长ZnCdSe和ZnSeS量子点及其特性

用低压金属有机化学气相外延(LP MOCVD)技术,以Stranski Krastanow(S K)模式,在GaAs衬底上生长了CdSe和ZnCdSe量子点(QDs)。用原子力显微镜(AFM),观测到了外延层低于临界厚度时,CdSe自组装量子点的形成过程,并把其机理归结为表面扩散效应和应变弛豫效应的联合作用。依据理论计算外延层临界厚度值的指导,用LP MOCVD技术在GaAs衬底上生长了ZnCdSe量子点,详细观测了ZnCdSe量子点的形成和演变,这些过程可用Ostwald熟化过程和形成过程的联合作用来解释。用LP MOCVD技术,以Volmer Weber(V W)模式,在GaAs衬底上生长了ZnSeS量子点,随着生长时间的增加,量子点尺寸增大,而量子点密度减少,这些现象可用表面自由能来解释。

电场调制下单量子阱ZnCdSe/ZnSe的激射行为研究

近年来，随着宽禁带Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器取得突破性进展［１］，对ＺｎＳｅ基超晶格与量子阱的受激发射也进行了广泛的研究［２，３］，同时对电场调制下的ＺｎＳｅ基超晶格的受激发射也有过报导［４］．但对于电场调制下的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ基单量子阱的激射行为研...

Zn_(1-x)Cd_xSe-ZnSe多量子阱的光学双稳态

用常压MOCVD法在GaAs衬底上生长了Z_(n1-x)Cd_xSe-ZnSe多层结构.通过X-射线衍射谱和光致发光等方法判断,表明该材料为多量子阱结构.从室温下的透射光谱上可以观察到这种多量子阱中的n=1的激子吸收峰,并观测到起因子激子的ns量级的光学双稳态.

ZnCdse－ZnSe多量子阱中的激子发光

在７７－３００Ｋ温度下研究了Ｚｎ（１－ｘ）ＣｄｘＳｅ－ＺｎＳｅ多量子阱（ＭＱＷｓ）的光致发光特性．首次在７７Ｋ，Ａｒ离子激光器的４５７．９ｎｍ激发下，在Ｚｎ（０．６８）Ｃｄ（０．３２）Ｓｅ－ＺｎｓｅＭＱＷｓ中观测到５个发光带，其中三个发光带被归因于不同的激子发射：即ｎ＝１重空穴（ＨＨ）激子；ｎ＝ｌ轻－重空穴（ＬＨ）激子和ｎ＝ＩＨＨ激子同时发射两个纵光学声子的复合发光，并且，；ｎ＝１ＨＨ激子发光可延续至室温．

静压下Znse／Zn_（1－x）Cd_xSe应变超晶格的光致发光研究

本文首次在室温和０—２．５ＧＰａ静压范围内研究了Ｚｎｓｅ／Ｚｎ０．２６Ｃｄ０．２６Ｓｅ应变超晶格的静压光致发光，观察到了室温条件下的超晶格阱层的重空穴激子跃迁随压力的亚线性变化的特性．经过计算机拟合实验数据得到了一阶和二阶压力系数．理论计算得到的一阶压力系数与实验得到的压力系数符合得较好。

浅ZnCdSe/ZnSe量子阱的光泵受激发射

本文主要研究浅ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱在７７Ｋ温度下的光致发光．在不同激发密度下，讨论了该结构的发光机制，把７７Ｋ温度下的受激发射归结为是激子－激子散射所引起的．

在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性

在经NH3 等离子体氮化的Si(10 0 )衬底上 ,用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)的方法生长了ZnO缓冲层 ,经X射线衍射 (XRD)测量 ,得到了单一取向的ZnO(0 0 0 2 )膜。在此ZnO缓冲层上利用低压金属有机化学气相淀积 (LP MOCVD)方法生长了较高质量的ZnCdSe/ZnSe量子阱。通过不同阱宽的ZnCdSe/ZnSe量子阱生长和测量 ,得到了多级共振拉曼峰。从发光谱中可见 ,在 5 2 0nm附近有很强的发光 ,而在未覆盖ZnO的Si衬底上直接生长的ZnCdSe/ZnSe量子阱结构 ,其光致发光 (PL)谱未见发光。可见 ,在氮化的Si衬底上覆盖ZnO膜生长的ZnCdSe/ZnSe量子阱质量较好 ,是一种在Si衬底上生长Ⅱ

静压下ZnCdSe/ZnSe量子阱中的激子跃迁(英文)

利用变分法理论研究了ZnCdSe/ZnSe量子阱 (QWs)中基态重空穴激子光跃迁能量随静压的变化关系。计入了有限高势垒效应。考虑了晶格常数、有效质量、介电常数及体弹性模量等参量的压力效应特别是体弹性模量的压力导数对跃迁能量随压力变化的函数关系的影响。结果表明 ,体弹性模量的压力导数对跃迁能量随压力变化的函数关系影响很大。根据计算结果 ,估算出ZnCdSe/ZnSeQWs中Zn0 .82 Cd0 .17Se的体积弹性模量之压力导数近似为 1.0。