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题名ZnMgO基紫外探测器的研究进展及分析
被引量:1
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作者
张俊
马向丽
王钰萍
吕建国
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机构
浙江大学硅材料国家重点实验室
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期22-26,32,共6页
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基金
航天支撑技术基金项目(GFJG-xxxxxx)资助
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文摘
ZnO基三元合金半导体材料因其重要的带隙调制作用,已成为紫外探测器发展的一个重要方向,特别是Zn_(1-x)Mg_xO基紫外探测器,可以探测日盲区紫外光,更是受到了各国极大的关注。当前,Zn_(1-x)Mg_xO基紫外探测器大多采用MSM叉指结构,响应峰位于300nm附近,响应时间最高可达ns量级,紫外可见光抑制比亦可大于4个数量级。扼要介绍了国内外相关小组的研究进展,并着重分析了薄膜组分、结构以及探测器性能参数等。
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关键词
znmgo
紫外探测器
性能参数
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Keywords
znmgo, uv detector, property parameter
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分类号
TN304.2
[电子电信—物理电子学]
O472.3
[理学—半导体物理]
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