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ZnMgO基紫外探测器的研究进展及分析 被引量:1
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作者 张俊 马向丽 +1 位作者 王钰萍 吕建国 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期22-26,32,共6页
ZnO基三元合金半导体材料因其重要的带隙调制作用,已成为紫外探测器发展的一个重要方向,特别是Zn_(1-x)Mg_xO基紫外探测器,可以探测日盲区紫外光,更是受到了各国极大的关注。当前,Zn_(1-x)Mg_xO基紫外探测器大多采用MSM叉指结构,响应峰... ZnO基三元合金半导体材料因其重要的带隙调制作用,已成为紫外探测器发展的一个重要方向,特别是Zn_(1-x)Mg_xO基紫外探测器,可以探测日盲区紫外光,更是受到了各国极大的关注。当前,Zn_(1-x)Mg_xO基紫外探测器大多采用MSM叉指结构,响应峰位于300nm附近,响应时间最高可达ns量级,紫外可见光抑制比亦可大于4个数量级。扼要介绍了国内外相关小组的研究进展,并着重分析了薄膜组分、结构以及探测器性能参数等。 展开更多
关键词 znmgo 紫外探测器 性能参数
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