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Zn_(0．9)Mg_(0．1)O:Ga宽带隙导电膜的PLD制备及性能研究 被引量：3
1
作者 陈志强 方国家 +2 位作者 李春 盛苏 赵兴中 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期707-712,共6页
利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了Ga掺杂的Zn0．9Mg0．1O(ZMO:Ga)宽带隙透明导电薄膜．采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响．结果表明,制备的薄膜具有ZnO(002)择优取向;200℃下沉积的薄... 利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了Ga掺杂的Zn0．9Mg0．1O(ZMO:Ga)宽带隙透明导电薄膜．采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响．结果表明,制备的薄膜具有ZnO(002)择优取向;200℃下沉积的薄膜通过3×10-3Pa 的真空400℃退火2h后,其电阻率由8．12×10-4Ω·cm减小到4．74×10-4Ω·cm,禁带宽度则由原来的3．83eV增加到3．90eV.退火处理增强了薄膜的择优取向和结晶度,增加了禁带宽度、提高了载流子浓度并使其透射谱线的光学吸收边发生蓝移现象． 展开更多
关键词 znmgo:ga膜 脉冲激光沉积 沉积温度 真空退火
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