半导体ZnO晶体生长及其性能研究进展

ZnO晶体是直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。其禁带宽度对应紫外光的波长,有望开发蓝绿光、蓝光、紫外光等多种发光器件。对ZnO晶体的生长方法及研究进展做了简要的叙述。

低温低压烧结石墨烯/铜固晶材料制备

低温低压烧结纳米铜材料是一种很有前途的宽禁带半导体固晶材料,与传统的聚合物和无铅焊料的固晶材料相比,具有更高的导热系数和工作温度。然而,现有的烧结纳米铜的性能低于预期,因为铜颗粒与氧化壳的不良烧结导致高孔隙率。该文提出使用一种表面生长了纳米铜颗粒的石墨烯作为导热增强体添加到纳米铜烧结中,以提升纳米铜烧结的导热率。实验结果表明,复合材料的导热率相对于同条件下烧结的纯铜材料提高85.9%,达175.1 W/m·K,大大提升用于宽禁带半导体固晶材料后的散热能力。