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ZnO基紫外探测器的研究进展 被引量:5
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作者 赵懿琨 连洁 +4 位作者 张飒飒 王公堂 宫文栎 于元勋 卜刚 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期109-112,共4页
ZnO是一种新型的宽带隙半导体光电材料,可用于制作高性能的紫外探测器,是未来半导体紫外探测器的发展重点。介绍了ZnO基紫外探测器常见的器件结构、探测材料的基本特性和主要制备方法,以及器件近期的研究进展,并扼要分析了其今后的发展... ZnO是一种新型的宽带隙半导体光电材料,可用于制作高性能的紫外探测器,是未来半导体紫外探测器的发展重点。介绍了ZnO基紫外探测器常见的器件结构、探测材料的基本特性和主要制备方法,以及器件近期的研究进展,并扼要分析了其今后的发展方向。 展开更多
关键词 zno薄膜 紫外探测器 宽带隙半导体
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