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Selective growth and characterization of ZnO nanorods assembled a hexagonal pattern on H2-decomposed GaN epilayer 被引量:2
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作者 Yu TIAN Huiquan CHEN +2 位作者 Xiaolong ZHU Guang ZHENG Jiangnan DAI 《Frontiers of Optoelectronics》 CSCD 2013年第4期440-447,共8页
This paper reported a simple and effective method for fabricating and patterning highly ordered ZnO nanorod arrays on H2-decomposed GaN epilayer via hydrothermal route. The edge of pattern, which has been decomposed b... This paper reported a simple and effective method for fabricating and patterning highly ordered ZnO nanorod arrays on H2-decomposed GaN epilayer via hydrothermal route. The edge of pattern, which has been decomposed by H2 flow, provides appropriate nucleation sites for the selective-growth of aligned ZnO nanorods. The density of ZnO nanorod arrays assembled the hexagonal pattern can be tuned by varying the solution concentrations, growth time and reaction temperatures. The results have demonstrated that the ZnO nanorods are highly uniform in diameter and height with perfect alignment and are epitaxially grown along [0001] direc- tion. This work provides a novel and accessible route to prepare oriented and aligned ZnO nanorod arrays pattern. And the aligned ZnO nanorods form an ideal hexagonal pattern that might be used in many potential applications of ZnO nanomaterials. 展开更多
关键词 zno nanorod gan epilayer hexagonalpattern hydrothermal
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GaN衬底的腐蚀程度对ZnO纳米棒阵列光学性能的调控
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作者 庞泽鹏 梅伏洪 +3 位作者 乔建东 尚林 余春燕 许并社 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期1307-1313,共7页
研究了在湿法腐蚀Ga N衬底上生长的Zn O纳米棒阵列的微结构和光学性能。相比于未经腐蚀及腐蚀5 min、10 min的Ga N上生长的Zn O纳米棒阵列,在腐蚀8 min的Ga N上生长的Zn O纳米棒阵列最细密,光学性能最好,其相应PL光谱峰强积分比IUV/Ivi... 研究了在湿法腐蚀Ga N衬底上生长的Zn O纳米棒阵列的微结构和光学性能。相比于未经腐蚀及腐蚀5 min、10 min的Ga N上生长的Zn O纳米棒阵列,在腐蚀8 min的Ga N上生长的Zn O纳米棒阵列最细密,光学性能最好,其相应PL光谱峰强积分比IUV/Ivis最大(70.92)。因为此时Ga N衬底中的位错基本全部在表面露头,Zn O容易附着而形成更多的形核种子,并且衬底的位错在表面的边缘有助于诱导Zn O晶体的外延生长,所以Zn O棒更加细密,晶体质量更高,从而光学性能更好。 展开更多
关键词 ZN O纳米棒 水热法 Ga N衬底 湿法腐蚀 光学性能
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GaN衬底掺杂模式对ZnO纳米棒光学性质的影响
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作者 户芳 余春燕 +2 位作者 梅伏洪 张华 许并社 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期946-950,955,共6页
本文通过水热法在u-GaN(undoped GaN)/Al_2O_3和p-GaN/Al_2O_3衬底上制备了ZnO纳米棒阵列。利用X射线衍射仪(XRD)、高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光谱(PL)对样品进行表征,研究在... 本文通过水热法在u-GaN(undoped GaN)/Al_2O_3和p-GaN/Al_2O_3衬底上制备了ZnO纳米棒阵列。利用X射线衍射仪(XRD)、高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光谱(PL)对样品进行表征,研究在无种子层和金属催化剂情况下u-GaN/Al_2O_3和p-GaN/Al_2O_3衬底对ZnO纳米棒生长的影响。结果表明,在u-GaN和p-GaN上生长的ZnO纳米棒均为六方纤锌矿结构。在p-GaN上生长的ZnO纳米棒直径较细且密度更大,这可能是由于p-GaN界面比较粗糙,界面能量较大,为ZnO的生长提供了更多的形核区域;与生长在u-GaN上的ZnO纳米棒阵列相比,p-GaN上所沉积的ZnO纳米棒在378.3 nm处有一个较强的近带边发射峰,且峰强比较大,说明在p-GaN上所制备的ZnO纳米棒的晶体质量和光学性能更好。 展开更多
关键词 zno纳米棒 水热法 gan衬底 光学性能
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铟镓共掺杂对n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结生长行为和光电性能的影响
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作者 尹佳奇 余春燕 +3 位作者 翟光美 李天保 张竹霞 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第6期1012-1019,共8页
利用低温水热法在p-GaN薄膜上生长了铟(In)和镓(Ga)共掺杂的ZnO纳米棒。X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线能量色谱仪(EDS)结果表明,In和Ga已固溶到ZnO晶格中。扫描电子显微镜(SEM)结果表明,ZnO纳米棒具有良好的c轴取向性,随... 利用低温水热法在p-GaN薄膜上生长了铟(In)和镓(Ga)共掺杂的ZnO纳米棒。X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线能量色谱仪(EDS)结果表明,In和Ga已固溶到ZnO晶格中。扫描电子显微镜(SEM)结果表明,ZnO纳米棒具有良好的c轴取向性,随着In和Ga共掺杂浓度的增加,纳米棒的直径减小,密度增加。XRD结果表明,In和Ga共掺杂引起ZnO晶格常数增大,导致(002)衍射峰向低角度方向偏移。同时,ZnO的光学性质受到In和Ga共掺杂的影响。与纯ZnO相比,共掺杂ZnO纳米棒的紫外发射峰都出现轻微红移,这是表面共振和带隙重整效应综合作用的结果。I-V特性曲线表明,随着In和Ga共掺杂浓度的增加,n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结具有更好的导电性。 展开更多
关键词 In和Ga共掺杂 zno纳米棒 n-zno/p-gan异质结 低温水热法 光学性质 导电性 光电性能
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