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Sol-Gel法制备ZnO压敏陶瓷及其电性 被引量:30
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作者 刘素琴 黄可龙 +1 位作者 宋志方 彭斌 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期376-380,共5页
采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺制备ZnO电压敏陶瓷粉体.探讨其制备的最佳工艺条件:以 Zn(NO3)2与 NaOH为反应前驱物制取胶体, Zn2+浓度控制在 0.5mol·L-1以上, pH值7.5左右,预烧温... 采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺制备ZnO电压敏陶瓷粉体.探讨其制备的最佳工艺条件:以 Zn(NO3)2与 NaOH为反应前驱物制取胶体, Zn2+浓度控制在 0.5mol·L-1以上, pH值7.5左右,预烧温度300℃,陶瓷烧结温度1200℃;制得的压敏电阻的非线性系数α=28;研究了稀土La2O3掺杂对该陶瓷电性的影响:低浓度掺杂时,可提高压敏电压,高浓度掺杂时;不呈现压敏特性;对粉体进行了X射线衍射和透射电镜分析,预烧后得到五元掺杂的ZnO粉体粒形呈球状,属六方晶系,粒径分布窄,约为40~80nm. 展开更多
关键词 zno陶瓷 sol-GEL法 压敏电阻
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Sol-gel方法制备ZnO陶瓷材料的正电子寿命谱研究 被引量:5
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作者 李喜贵 魏淑桃 +4 位作者 张瑞英 程国生 戴宪起 张金仓 邢怀民 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期371-375,共5页
利用正电子寿命谱(PAS)对Sol-gel法制备的ZnO压敏陶瓷材料进行了研究,分析了寿命参数与材料致密度和非线性系数a之间的关系,讨论了不同的烧结温度及时间对ZnO压敏特性的影响。
关键词 sol-gel技术 正电子寿命谱 氧化锌压敏陶瓷
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Sol-Gel法制备ZnO∶Al透明导电薄膜 被引量:17
3
作者 吕敏峰 崔作林 张志焜 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期224-227,共4页
采用Sol Gel工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、高可见光透过率以及高电导率的Al3+离子掺杂的ZnO透明导电薄膜。利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征。研究结果表明 :所制备的薄膜为纤锌矿型结构 ,表面平整、致密。通过标准... 采用Sol Gel工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、高可见光透过率以及高电导率的Al3+离子掺杂的ZnO透明导电薄膜。利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征。研究结果表明 :所制备的薄膜为纤锌矿型结构 ,表面平整、致密。通过标准四探针法及UVS透射光谱详细研究了Al3+ 离子掺杂的ZnO薄膜的电学与光学性能。实验发现 ,当Al3+ 离子掺杂浓度为 0 8%时 ,前处理温度为 40 0℃ ,退火温度为 5 5 0℃ ,真空退火温度为 5 5 0℃时 ,薄膜具有较好的导电性 ,电阻率为 3 0 3× 10 - 3Ω·cm ,其在可见光区的透过率超过 80 %。 展开更多
关键词 sol-GEL法 制备 透明导电薄膜 氧化锌 溶胶-凝胶法 铝离子掺杂 性能
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Sol-Gel法制备ZnO纳米点阵结构 被引量:1
4
作者 李晓洁 张海明 +1 位作者 胡国锋 李育洁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期139-141,共3页
以Al2O3膜为模板,通过溶胶-凝胶浸渍法,经过干燥、高温加热制备了ZnO纳米点阵结构。SEM结果表明,AAO模板孔道呈六角形排布,孔道垂直无交叉,孔径为50 nm左右,在AAO模板内装入的ZnO为纳米颗粒。XRD结果表明,AAO模板为非晶结构,孔内ZnO具... 以Al2O3膜为模板,通过溶胶-凝胶浸渍法,经过干燥、高温加热制备了ZnO纳米点阵结构。SEM结果表明,AAO模板孔道呈六角形排布,孔道垂直无交叉,孔径为50 nm左右,在AAO模板内装入的ZnO为纳米颗粒。XRD结果表明,AAO模板为非晶结构,孔内ZnO具有多晶纤锌矿结构。PL谱结果表明,ZnO/AAO组装体系表现出了很强的紫外发射。 展开更多
关键词 AAO模板 溶胶-凝胶 氧化锌 纳米点阵结构
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Sol-Gel法制备ZnO压敏电阻器 被引量:2
5
作者 章会良 曹全喜 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2007年第8期10-11,40,共3页
为了提高ZnO压敏电阻器的性能,采用Sol-Gel法制备复合纳米添加剂。用该复合添加剂、ZnO及SiO2混合球磨后的粉体制备了Φ10 mm×1 mm氧化锌压敏电阻器元件,并对其性能进行了测试、分析。结果表明:Sol-Gel方法制成的元件具有粉体掺杂... 为了提高ZnO压敏电阻器的性能,采用Sol-Gel法制备复合纳米添加剂。用该复合添加剂、ZnO及SiO2混合球磨后的粉体制备了Φ10 mm×1 mm氧化锌压敏电阻器元件,并对其性能进行了测试、分析。结果表明:Sol-Gel方法制成的元件具有粉体掺杂均匀、晶粒粒径小、分布均匀,其电性能也较传统工艺有很大提高,8/20μs通流能力达到了2 700 A,2ms方波能量耐受能力超过705.6 J/cm3,漏电流约为0.3μA,非线性系数为53。 展开更多
关键词 sol-GEL法 zno压敏电阻器 复合纳米添加剂 通流能力
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sol-gel法制备ZnO薄膜压敏电阻 被引量:2
6
作者 刘财坤 邓宏 +2 位作者 李金丽 陈金菊 韦敏 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期40-41,44,共3页
利用sol-gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上,制备掺有Bi2O3、Co2O3、Cr2O3和MnO2的ZnO薄膜压敏电阻。薄膜由旋涂法制备,并在300℃下预处理、600℃退火。制得的ZnO薄膜结晶良好。膜厚约为1μm,ZnO薄膜压敏电阻的非线性系数为15.1,压敏电压... 利用sol-gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上,制备掺有Bi2O3、Co2O3、Cr2O3和MnO2的ZnO薄膜压敏电阻。薄膜由旋涂法制备,并在300℃下预处理、600℃退火。制得的ZnO薄膜结晶良好。膜厚约为1μm,ZnO薄膜压敏电阻的非线性系数为15.1,压敏电压为3.037 V,漏电流为43.25μA。 展开更多
关键词 电子技术 sol-GEL法 zno薄膜压敏电阻 掺杂 压敏性能
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Sol-Gel法制备Al掺杂ZnO薄膜的微结构及电学特性 被引量:2
7
作者 王秀章 刘红日 +2 位作者 晏伯武 程娜娜 武婷婷 《湖北师范学院学报(自然科学版)》 2007年第4期1-4,共4页
采用溶胶-凝胶法在Si(100)衬底上制备了不同浓度Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜。XRD研究表明Al掺杂对薄膜的结晶产生明显的影响。用四探针法测量其电阻特性,表明在1 mol%Al掺杂,600℃下退火,其电阻率最低。
关键词 溶胶-凝胶法 zno Al^3+掺杂 导电薄膜
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Sol-gel法制备共掺杂ZnO∶Al/N/F薄膜的性能研究
8
作者 马洪芳 马芳 +3 位作者 刘志宝 孙华 张志坚 王小蕊 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期2407-2412,共6页
采用溶胶.凝胶法在普通载玻片上旋涂制备出Al、N、F三掺杂ZnO薄膜(ZnO:Al/N/F),分别研究溶胶浓度和掺杂浓度对薄膜结构、表面形貌以及光电性能的影响。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、可见分光光度计、双电测四探针电阻率测... 采用溶胶.凝胶法在普通载玻片上旋涂制备出Al、N、F三掺杂ZnO薄膜(ZnO:Al/N/F),分别研究溶胶浓度和掺杂浓度对薄膜结构、表面形貌以及光电性能的影响。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、可见分光光度计、双电测四探针电阻率测试仪进行测试与分析。结果表明:制备出的ZnO:Al/N/F薄膜致密均匀,平整光滑,为高结晶质量的(002)C轴择优取向;当溶胶浓度为0.75mol/L、掺杂浓度为O.90at%时,薄膜在可见光范围内(390~780nm)的平均透过率可达87.9%,掺杂浓度为1.05at%时电阻率最小,为O.23Ω·cm。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 zno薄膜 共掺杂 光电性能
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Sol-Gel法制备B-N共掺ZnO薄膜及光学性能研究 被引量:1
9
作者 王玉新 褚浩博 +2 位作者 赵莉 蔺冬雪 李真 《辽宁师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2021年第2期183-187,共5页
实验将B和不同含量的N元素掺入ZnO薄膜中,利用溶胶-凝胶(Sol-Gel)旋涂工艺分别在玻璃和硅衬底上制备B-N共掺ZnO薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)和光致发光谱(PL)对B-N掺杂样品薄膜的晶体结... 实验将B和不同含量的N元素掺入ZnO薄膜中,利用溶胶-凝胶(Sol-Gel)旋涂工艺分别在玻璃和硅衬底上制备B-N共掺ZnO薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)和光致发光谱(PL)对B-N掺杂样品薄膜的晶体结构、表面形貌及光学性能进行表征.结果表明,B-N共掺后的薄膜样品,与未掺杂样品和B单掺样品薄膜相比,薄膜结构仍为六方纤锌矿相,且沿ZnO(002)衍射峰择优生长.随着N掺杂量的增加,样品的(002)衍射峰的强度先增强再减弱,当N掺杂量为3.0 at%时,衍射峰强度最强,更适合薄膜生长.此时c轴取向相对较好,结晶度高,薄膜表面性能最佳,透过率在90%左右,禁带宽度达到3.51 eV,紫外发光峰受到抑制. 展开更多
关键词 B-N共掺 透过率 光致发光 溶胶-凝胶法 zno薄膜
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不同Sol-Gel前躯体体系制备纳米ZnO粉体的研究
10
作者 季敏霞 王成国 +2 位作者 刘立强 朱波 王延相 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期653-656,共4页
为研究不同溶胶前躯体体系对制备纳米ZnO粉体粒径大小的影响,采用溶胶-凝胶法分别研究了硬脂酸体系、草酸体系、高分子网络体系制备纳米ZnO粉体,并利用TG-DTA、XRD、TEM对其结构、形貌和粒径进行了表征.在3种体系中,高分子网络体系所得... 为研究不同溶胶前躯体体系对制备纳米ZnO粉体粒径大小的影响,采用溶胶-凝胶法分别研究了硬脂酸体系、草酸体系、高分子网络体系制备纳米ZnO粉体,并利用TG-DTA、XRD、TEM对其结构、形貌和粒径进行了表征.在3种体系中,高分子网络体系所得粉体粒径最小,粒径在30~40nm,粒径大小均匀,团聚较少.硬脂酸体系得到ZnO粉末粒径较小,范围分布在30~50nm,分散性较好.草酸体系制得ZnO粉末粒径相对较大,在40~60nm,有轻微团聚. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 前躯体 纳米zno 粒径
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Sol-gel法制备ZnO:Cd薄膜及性能研究
11
作者 陈瀚 邓宏 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期143-145,153,共4页
采用Sol-gel法使用旋转涂覆技术在Si(100)基片上生长了ZnO:Cd薄膜。XRD结果表明:ZnO:Cd薄膜具有与ZnO一样的六角纤锌矿结构,随热处理温度的升高,(002)衍射峰强度逐增,FWHM减小,并沿c轴择优取向生长;透射光谱实验表明:以石英为基底,适度... 采用Sol-gel法使用旋转涂覆技术在Si(100)基片上生长了ZnO:Cd薄膜。XRD结果表明:ZnO:Cd薄膜具有与ZnO一样的六角纤锌矿结构,随热处理温度的升高,(002)衍射峰强度逐增,FWHM减小,并沿c轴择优取向生长;透射光谱实验表明:以石英为基底,适度掺镉可降低薄膜的禁带宽度Eg,特别是在800℃、8%Cd条件下,Eg=2.80eV,与纯ZnO的禁带宽度3.30eV相比,明显降低了光学禁带;光致发光谱(PL)实验表明:在吸收边附近均有较强的紫外发射峰,且随热处理温度升高呈规律的变化;电阻率测定表明:掺镉使薄膜导电性增强。 展开更多
关键词 zno:Cd薄膜 光致发光 sol-GEL法 旋涂
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Sol-Gel法制备ZnO:Cd薄膜及结构特性研究 被引量:1
12
作者 陈瀚 邓宏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第6期700-703,共4页
采用Sol—Gel法,结合旋转涂覆技术在Si(100)衬底上制备了ZnO:Cd薄膜,并对其在600~800℃热处理。X-射线衍射仪(XRD)结果表明,ZnO:Cd薄膜具有与ZnO同样的六角纤锌矿结构,且随着热处理温度的升高,(002)衍射峰的强度逐渐增强... 采用Sol—Gel法,结合旋转涂覆技术在Si(100)衬底上制备了ZnO:Cd薄膜,并对其在600~800℃热处理。X-射线衍射仪(XRD)结果表明,ZnO:Cd薄膜具有与ZnO同样的六角纤锌矿结构,且随着热处理温度的升高,(002)衍射峰的强度逐渐增强。峰半高宽(FWHM,ZnO(002))不断减小,并沿c轴择优取向生长;Cd掺杂后,未出现CdO或其他镉化物等杂质相,但在(002)峰-峰顶出现了分叉(多峰)现象。随着退火温度的升高,多峰消失,但这方面的报道甚少。扫描式电子显微镜(SEM)显示ZnO:Cd晶粒粒径分布情况及表面形貌特征。以石英为基片的透射光谱实验计算表明,ZnO:Cd薄膜的禁带宽度平均为3.10eV;800℃,x(Cd)=8%样品的禁带宽度为2.80eV,比纯ZnO晶体禁带宽度(3.30eV)明显减小,这说明适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度。 展开更多
关键词 sol—Gel法 光学禁带 透射光谱 zno:Cd薄膜
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sol-gel法制备(002)高度定向的Li:ZnO薄膜 被引量:5
13
作者 刘龙春 朱兴文 陆液 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期30-32,共3页
用sol-gel法在玻璃载玻片上旋涂3~9层制备氧化锌薄膜.用X射线衍射、扫描电镜等研究了掺Li、旋涂层数、溶胶的浓度以及热处理温度对氧化锌薄膜(002)定向性的影响.结果表明,溶胶中掺入一定量的Li可显著地促进ZnO沿(002)生长;浓度为0.45mo... 用sol-gel法在玻璃载玻片上旋涂3~9层制备氧化锌薄膜.用X射线衍射、扫描电镜等研究了掺Li、旋涂层数、溶胶的浓度以及热处理温度对氧化锌薄膜(002)定向性的影响.结果表明,溶胶中掺入一定量的Li可显著地促进ZnO沿(002)生长;浓度为0.45mol/L旋涂3层或浓度为0.25mol/L旋涂7层的样品,即使有Li的掺入也不能呈现较好的(002)定向性,这是由于薄膜太薄所致;提高热处理温度至610℃,有利于薄膜(002)高度定向. 展开更多
关键词 无机非金属材料 氧化锌薄膜 sol-GEL法 掺杂 定向
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sol-gel法制备ZnO·Al薄膜及其特性研究 被引量:2
14
作者 孙洪涛 许启明 刘雨 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期61-64,共4页
以Zn(OAC)2.2H2O和AlCl3.6H2O为原料,采用溶胶-凝胶的方法在普通玻璃片基材上获得了掺铝的氧化锌透明导电薄膜。采用XRD、SEM、以及分光光度计等分析手段对薄膜进行研究,实验结果表明,当铝离子掺杂量为2%(wt)、预处理温度400℃、退火温... 以Zn(OAC)2.2H2O和AlCl3.6H2O为原料,采用溶胶-凝胶的方法在普通玻璃片基材上获得了掺铝的氧化锌透明导电薄膜。采用XRD、SEM、以及分光光度计等分析手段对薄膜进行研究,实验结果表明,当铝离子掺杂量为2%(wt)、预处理温度400℃、退火温度550℃下保温1h,可使所得薄膜的电阻率最低,为5×10-2Ω.cm,薄膜可见光透过率平均达80%以上。 展开更多
关键词 Al掺杂zno薄膜 溶胶凝胶 导电性能 光学性能
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Pr系ZnO压敏陶瓷的sol-gel法制备及电性能研究 被引量:3
15
作者 李刚 王茂华 吴斌 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期15-17,28,共4页
以Zn(NO3)2和NaOH为原料,采用sol-gel法制备了Pr系ZnO压敏陶瓷。研究了所制压敏粉体和压敏陶瓷的性能。结果表明:干凝胶在700℃下煅烧2h,得到球状Pr系ZnO粉体颗粒,平均粒径为200nm。1220℃烧结制备的Pr系ZnO压敏陶瓷性能优异:晶粒大小约... 以Zn(NO3)2和NaOH为原料,采用sol-gel法制备了Pr系ZnO压敏陶瓷。研究了所制压敏粉体和压敏陶瓷的性能。结果表明:干凝胶在700℃下煅烧2h,得到球状Pr系ZnO粉体颗粒,平均粒径为200nm。1220℃烧结制备的Pr系ZnO压敏陶瓷性能优异:晶粒大小约为3.2μm,压敏电压为910V/mm,非线性系数为40.2,漏电流为0.3μA,比传统固相合成工艺的烧结温度降低了约80℃。 展开更多
关键词 sol-GEL法 Pr系zno压敏陶瓷 非线性 微观结构
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sol-gel法制备的ZnO:(Al,La)透明导电膜光电性能 被引量:3
16
作者 曾凡强 战可涛 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第7期47-49,共3页
通过X射线衍射、紫外–可见分光光度计、扫描电镜和四探针仪分析等手段,考察了退火温度对ZnO:(Al,La)薄膜微观结构、光学和电学性能的影响,Al掺杂浓度对电阻率的影响。结果表明:随退火温度的升高,薄膜(002)晶面择优取向生长增强,平均晶... 通过X射线衍射、紫外–可见分光光度计、扫描电镜和四探针仪分析等手段,考察了退火温度对ZnO:(Al,La)薄膜微观结构、光学和电学性能的影响,Al掺杂浓度对电阻率的影响。结果表明:随退火温度的升高,薄膜(002)晶面择优取向生长增强,平均晶粒尺寸增大,电阻率降低,透光率上升。在x(Al)为1%,退火温度550℃时,薄膜最低电阻率为1.78×10–3?·cm,平均透光率超过85%。 展开更多
关键词 无机非金属材料 zno:(Al La)薄膜 sol-GEL法 光电性能
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Sol-gel法制备Co-Mn共掺杂ZnO粉体和红外发射率的研究
17
作者 李会会 黄云霞 +2 位作者 李智敏 王妍 曹全喜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期997-1004,共8页
采用溶胶.凝胶法制备不同Co-Mn共掺杂浓度的ZnO前驱体,并在不同温度下对其进行煅烧。由x射线衍射分析可知,煅烧后所得粉体均为六角纤锌矿结构的ZnO,并且沿(101)晶面择优生长,没有生成杂质相。扫描电子显微镜结果表明,ZnO晶粒均... 采用溶胶.凝胶法制备不同Co-Mn共掺杂浓度的ZnO前驱体,并在不同温度下对其进行煅烧。由x射线衍射分析可知,煅烧后所得粉体均为六角纤锌矿结构的ZnO,并且沿(101)晶面择优生长,没有生成杂质相。扫描电子显微镜结果表明,ZnO晶粒均为不规则多面体状,并随着煅烧温度升高和掺杂浓度增加,晶粒先增大而后减小。由x射线光电子谱可知,掺入的杂质是以Co2+和Mn2+的形式取代ZnO晶格中的zn2+。采用IR-2型红外发射率测试仪测量粉体在3—5和8~14μn波段的平均红外发射率e,结果表明,随煅烧温度的升高和掺杂浓度的增加,粉体的e值降低,在煅烧温度为1200℃,Co与M_n的掺杂浓度分别为9%和1%(原子比)时,共掺杂ZnO粉体在3~5和8~14μn波段e值最低,分别达0.36和0.762。对CO-Mn共掺杂影响ZnO粉体的红外发射率的机理进行探讨。 展开更多
关键词 红外发射率 Co—Mn共掺杂 zno粉体 溶胶-凝胶法
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Al掺杂ZnO厚膜的sol-gel法制备及其气敏性能研究 被引量:2
18
作者 田野 潘国峰 杨瑞霞 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期27-31,共5页
以硝酸锌、硝酸铝和氢氧化钠为原料,采用sol-gel法制备铝掺杂的纳米氧化锌厚膜(样品),并利用XRD和SEM对其微观结构进行了表征。研究了铝掺杂量和退火温度对ZnO厚膜的气敏性能的影响。结果表明:700℃退火、掺w(Al)为2.9%的样品对体积分数... 以硝酸锌、硝酸铝和氢氧化钠为原料,采用sol-gel法制备铝掺杂的纳米氧化锌厚膜(样品),并利用XRD和SEM对其微观结构进行了表征。研究了铝掺杂量和退火温度对ZnO厚膜的气敏性能的影响。结果表明:700℃退火、掺w(Al)为2.9%的样品对体积分数为4.0×10–1的丙酮有很好的选择性,最大灵敏度达到7 779左右,最佳工作温度约为162℃,响应、恢复时间均为1 s,最后讨论了铝掺杂纳米氧化锌的气敏机理。 展开更多
关键词 sol-GEL法 纳米zno厚膜 铝掺杂 气敏性能 灵敏度
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Indium doping effect on properties of ZnO nanoparticles synthesized by sol–gel method 被引量:1
19
作者 S Mourad J El Ghoul +1 位作者 K Omri K Khirouni 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第4期342-348,共7页
Pure ZnO and indium-doped ZnO(In–ZO) nanoparticles with concentrations of In ranging from 0 to 5% are synthesized by a sol–gel processing technique. The structural and optical properties of ZnO and In–ZO nanopartic... Pure ZnO and indium-doped ZnO(In–ZO) nanoparticles with concentrations of In ranging from 0 to 5% are synthesized by a sol–gel processing technique. The structural and optical properties of ZnO and In–ZO nanoparticles are characterized by different techniques. The structural study confirms the presence of hexagonal wurtzite phase and indicates the incorporation of In^(3+) ions at the Zn^(2+) sites. However, the optical study shows a high absorption in the UV range and an important reflectance in the visible range. The optical band gap of In–ZnO sample varies between 3.16 e V and 3.22 e V. The photoluminescence(PL) analysis reveals that two emission peaks appear: one is located at 381 nm corresponding to the near-band-edge(NBE) and the other is observed in the green region. The aim of this work is to study the effect of indium doping on the structural, morphological, and optical properties of ZnO nanoparticles. 展开更多
关键词 In-doped zno NANOPARTICLES sol–gel process STRUCTURAL and optical characterization
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Preparation of ZnO crystal by sol-gel method 被引量:2
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作者 陈建勋 黄伯云 赵瑞荣 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2001年第1期154-156,共3页
A new method to prepare ZnO crystal was put forward. The preparation process was studied and the mechanism of this method was also discussed. The results show that the sol particles will aggregate when being dehydrate... A new method to prepare ZnO crystal was put forward. The preparation process was studied and the mechanism of this method was also discussed. The results show that the sol particles will aggregate when being dehydrated and will form into hard compact gel body through the hard agglomeration between particles. This dry gel is a hard compact agglomeration composed of the first sol particles. At high sintering temperature, the small compacted particles will easily grow up and form a fine ZnO crystal. [ 展开更多
关键词 zno SENSITIVE CERAMICS CRYSTAL sol-GEL
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