ZnO薄膜结构表征的研究现状

ZnO薄膜是继CaN材料之后的另一种具有应用前景的直接宽带隙半导体材料。针对目前对ZnO薄膜结构的分析，综述了ZnO薄膜结构表征的常用方法，着重分析了XRD在ZnO薄膜结构方面的应用。

IrO_2/ZnO薄膜接触结构的制备及电学特性研究

在氧化锌器件的应用中,高质量的金属/ZnO接触的制备是至关重要的问题。目前,在金属/ZnO接触的研究中,充当电极角色的多为不具有透明性的金属材料,使得氧化锌材料在光电子器件中的应用受到一定的限制。IrO2是一种既透明又导电的金属氧化物,具有较低的电阻率和较好的化学稳定性,其薄膜已被用作底电极和防热扩散层等。因此文中采用脉冲激光沉积方法(PLD)制备了IrO2/ZnO薄膜接触结构,用小角X射线衍射(XRD)对其进行表征,并测量该结构的电学特性。结果表明实验得到了生长良好的IrO2/ZnO薄膜接触结构,室温下为欧姆接触导电特性。

新锆合金氧化膜的晶体结构分析

采用静态高压釜实验研究了NZ2合金在360℃,18.6MPa含Li水和400℃,10.3MPa蒸汽中的腐蚀动力学,通过X射线衍射法研究了NZ2合金在两种介质中腐蚀不同时间后氧化膜的晶体结构。结果表明:NZ2合金在360℃含Li水中腐蚀速率较400℃蒸汽中的低;随着腐蚀时间的延长,氧化膜中四方氧化锆含量逐渐降低,单斜氧化锆含量逐渐增高,四方氧化锆向单斜氧化锆转变。腐蚀转折时,氧化膜中出现了立方氧化锆,随后氧化膜中立方相含量明显增多,说明四方相向单斜相转变过程中,立方相是作为过渡相存在。氧化膜中四方相含量越高,腐蚀速率越低。