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掺杂ZnO薄膜的研究现状
被引量:
5
1
作者
文军
陈长乐
+2 位作者
潘峰
吴小丽
张修兴
《材料导报(纳米与新材料专辑)》
EI
2008年第1期274-279,286,共7页
ZnO薄膜的性质取决于不同的掺杂元素和不同的制备工艺。概述了掺杂ZnO薄膜的研究现状,分析了不同掺杂组分对ZnO薄膜的P型转变特性、发光特性以及铁磁性质的影响,认为稀土掺杂可能使ZnO薄膜产生新的发光特性,共掺杂技术可能是实现ZnO薄...
ZnO薄膜的性质取决于不同的掺杂元素和不同的制备工艺。概述了掺杂ZnO薄膜的研究现状,分析了不同掺杂组分对ZnO薄膜的P型转变特性、发光特性以及铁磁性质的影响,认为稀土掺杂可能使ZnO薄膜产生新的发光特性,共掺杂技术可能是实现ZnO薄膜特性改变的新途径。
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关键词
zno
薄膜
P型掺杂
稀土掺杂
受激发光
稀磁半导体
下载PDF
职称材料
题名
掺杂ZnO薄膜的研究现状
被引量:
5
1
作者
文军
陈长乐
潘峰
吴小丽
张修兴
机构
西北工业大学应用物理系
渭南师范学院物理系
陕西理工学院物理系
出处
《材料导报(纳米与新材料专辑)》
EI
2008年第1期274-279,286,共7页
文摘
ZnO薄膜的性质取决于不同的掺杂元素和不同的制备工艺。概述了掺杂ZnO薄膜的研究现状,分析了不同掺杂组分对ZnO薄膜的P型转变特性、发光特性以及铁磁性质的影响,认为稀土掺杂可能使ZnO薄膜产生新的发光特性,共掺杂技术可能是实现ZnO薄膜特性改变的新途径。
关键词
zno
薄膜
P型掺杂
稀土掺杂
受激发光
稀磁半导体
Keywords
zno thin films
,
p-type doping
,
re-doping
,
stimulated radiation
,
diluted magnetic semiconductor
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺杂ZnO薄膜的研究现状
文军
陈长乐
潘峰
吴小丽
张修兴
《材料导报(纳米与新材料专辑)》
EI
2008
5
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职称材料
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参考文献
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