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Improvement of sintering,nonlinear electrical,and dielectric properties of ZnO-based varistors doped with TiO2
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作者 Osama A Desouky K E Rady 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第6期575-580,共6页
The effects of TiO2 on sintering and nonlinear electrical properties of(98.5-x)ZnO–0.5MnO2–0.5Co2O3-0.5Bi2O3–xTiO2(x = 0.3,0.5,0.7,0.9 mol%) ceramic varistors prepared by the ceramic technique are investigated ... The effects of TiO2 on sintering and nonlinear electrical properties of(98.5-x)ZnO–0.5MnO2–0.5Co2O3-0.5Bi2O3–xTiO2(x = 0.3,0.5,0.7,0.9 mol%) ceramic varistors prepared by the ceramic technique are investigated in this work.The optimum sintering temperature of the prepared samples is deduced by determining the firing shrinkage and water absorption percentages.The optimum sintering temperature is found to be 1200℃,at which each of the samples shows a maximum firing shrinkage and minimum water absorption.Also minimum water absorption appears in a sample of x = 0.9 mol%.Higher sintering temperature and longer sintering time give rise to a reduction in bulk density due to the increased amount of porosity between the large grains of ZnO resulting from the rapid grain growth induced by the liquid phase sintering.The crystal size of ZnO decreases with increasing TiO2 doping.The addition of TiO2 improves the nonlinear coefficient and attains its maximum value at x = 0.7 mol% of TiO2,further addition negatively affects it.A decrease in capacitance consequently in the dielectric constant is recorded with increasing the frequency in a range of 30 kHz–200 kHz.The temperature and composition dependences of the dielectric constant and AC conductivity are also studied.The increase of temperature raises the dielectric constant because it increases ionic response to the field at any particular frequency. 展开更多
关键词 zno varistors water absorption nonlinear electrical properties dielectric constant
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氧化物掺杂ZnO-Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3复合陶瓷的制备及电性能研究 被引量:1
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作者 马凤凯 赵旭荣 +2 位作者 于东云 张蓓 宛新武 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期42-45,共4页
采用固相法制备了氧化物掺杂ZnO-Ba0.8Sr0.2TiO3复合陶瓷,并利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对其晶相及微观形貌进行了观测;另外,研究了氧化物掺杂对陶瓷介电性能及压敏性能的影响。结果表明,当掺杂摩尔分数为0.50%的Bi2O3和0.50%的Sb... 采用固相法制备了氧化物掺杂ZnO-Ba0.8Sr0.2TiO3复合陶瓷,并利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对其晶相及微观形貌进行了观测;另外,研究了氧化物掺杂对陶瓷介电性能及压敏性能的影响。结果表明,当掺杂摩尔分数为0.50%的Bi2O3和0.50%的Sb2O3时,陶瓷在室温下的εr为36402,tanδ为0.065;在此基础上继续掺入0.25%的MnO和0.35%的Cr2O3,陶瓷的非线性系数α为5.4,漏电流IL为1.5×10–6A/mm2,压敏电压为3.0V。Bi2O3、Sb2O3、MnO和Cr2O3掺杂使ZnO-Ba0.8Sr0.2TiO3复合陶瓷的介电性能和压敏性能同时得到了有效提高。 展开更多
关键词 zno-BST复合陶瓷 介电性能 压敏性能 掺杂
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SnO2-Zn2SnO4与SrTiO3压敏-电容双功能陶瓷电学性能对比研究 被引量:2
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作者 臧国忠 王晓飞 +1 位作者 李立本 王丹丹 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期4098-4101,共4页
通过传统陶瓷制备工艺制备了SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷复合物,与某型号商用SrTiO_3压敏-电容双功能陶瓷对比了电学性能。结果显示,尽管二者的压敏电压均低于10V/mm,但SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷具有较为优越的电学非线性性质,其非线性系数达到7.6,... 通过传统陶瓷制备工艺制备了SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷复合物,与某型号商用SrTiO_3压敏-电容双功能陶瓷对比了电学性能。结果显示,尽管二者的压敏电压均低于10V/mm,但SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷具有较为优越的电学非线性性质,其非线性系数达到7.6,漏电流仅为56μA/cm^2。40 Hz时,SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷的相对介电常数为2×10~4,低于SrTiO_3的9×10~4,同时,SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷的介电损耗要高于SrTiO_3,且随着频率的升高急剧降低。通过对比研究,SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷具有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 压敏电阻 介电性质 电子陶瓷 电容 晶界势垒
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ZrO_2掺杂对氧化锌压敏陶瓷电性能的影响 被引量:1
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作者 何锦强 蔺家骏 +1 位作者 刘文凤 李盛涛 《内蒙古科技大学学报》 CAS 2016年第4期392-396,共5页
ZnO压敏陶瓷由于其优异的非线性V-I特性和大能量吸收能力,广泛应用于电子线路、器件和电力系统的过电压保护中.本文将平均粒径为1μm的ZrO_2颗粒掺杂进入ZnO压敏陶瓷,用以提高其抗热震性能.用部分溶液法制备了掺杂ZrO_2质量分数为0.0%,0... ZnO压敏陶瓷由于其优异的非线性V-I特性和大能量吸收能力,广泛应用于电子线路、器件和电力系统的过电压保护中.本文将平均粒径为1μm的ZrO_2颗粒掺杂进入ZnO压敏陶瓷,用以提高其抗热震性能.用部分溶液法制备了掺杂ZrO_2质量分数为0.0%,0.5%,1.0%,1.5%的多元氧化锌压敏陶瓷,在1 215℃保温2 h烧结成瓷,研究了ZrO_2掺杂对ZnO压敏陶瓷显微结构、电性能和本征点缺陷浓度等方面的影响.EDS和XRD分析表明,ZrO_2主要作为第二相存在于晶界中,不与ZnO晶粒发生反应.SEM分析表明,随着ZrO_2掺杂量的增加,平均晶粒尺寸逐渐下降,这是由于ZrO_2钉扎于晶界中,抑制了液相烧结过程中ZnO晶粒生长.介电谱研究表明ZrO_2掺杂进入氧化锌压敏陶瓷后,不会对本征缺陷能级产生影响,但会影响本征缺陷氧空位和锌填隙浓度.通过对-100℃下的介电损耗谱进行拟合分峰,发现氧空位本征缺陷浓度被抑制,而锌填隙本征缺陷浓度增加.由于锌填隙缺陷是亚稳定缺陷,在电场作用下易迁移,锌填隙浓度的增大不利于氧化锌压敏陶瓷的长期稳定性. 展开更多
关键词 zno压敏陶瓷 ZRO2 介电性能
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氧化锌压敏陶瓷材料介电性能的研究
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作者 韩述斌 张新 吴德喜 《陶瓷学报》 CAS 1998年第2期82-86,共5页
通过实验对ZnO压敏陶瓷元件的介电特性进行了研究。在微观结构的基础上导出了晶粒间界的电容公式,与由实验作出的C~V曲线,两者基本一致。提出了控制压敏电阻器固有电容的方法。在理论的指导下,采用适当的配方和工艺,可以制得介电... 通过实验对ZnO压敏陶瓷元件的介电特性进行了研究。在微观结构的基础上导出了晶粒间界的电容公式,与由实验作出的C~V曲线,两者基本一致。提出了控制压敏电阻器固有电容的方法。在理论的指导下,采用适当的配方和工艺,可以制得介电性能良好的适应不同要求的压敏电阻器。 展开更多
关键词 压敏陶瓷 介电性 固有电容 氧化锌 陶瓷
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直流老化及热处理对ZnO压敏陶瓷缺陷结构的影响 被引量:12
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作者 赵学童 李建英 +1 位作者 贾然 李盛涛 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期410-416,共7页
在电场为3.2kV/cm,电流密度为50mA/cm2条件下对ZnO压敏陶瓷进行了115h的直流老化,研究了直流老化对ZnO压敏陶瓷电气性能及缺陷结构的影响.发现直流老化115h后ZnO压敏陶瓷的电位梯度、非线性系数分别从2845V/cm,38.3下降到51.6V/cm,1.1,... 在电场为3.2kV/cm,电流密度为50mA/cm2条件下对ZnO压敏陶瓷进行了115h的直流老化,研究了直流老化对ZnO压敏陶瓷电气性能及缺陷结构的影响.发现直流老化115h后ZnO压敏陶瓷的电位梯度、非线性系数分别从2845V/cm,38.3下降到51.6V/cm,1.1,介电损耗中的缺陷松弛峰被增大的直流电导掩盖,电模量中只观察到一个缺陷松弛峰,低频区交流电导率急剧增大并且相应的电导活化能从0.84eV下降到只有0.083eV.通过对直流老化后的ZnO压敏陶瓷在800℃进行12h的热处理,发现其电气性能和介电性能都得到了良好的恢复并有一定的增强,电位梯度、非线性系数恢复到3085V/cm,50.8,电导活化能上升到0.88eV.另外,其本征氧空位缺陷松弛峰也得到了一定的抑制.因此,认为热处理过程中氧在晶界处的扩散作用对ZnO压敏陶瓷的直流老化恢复起到了关键作用. 展开更多
关键词 zno压敏陶瓷 介电性能 直流老化 热处理
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沉淀剂对ZnO压敏陶瓷缺陷结构和电气性能的影响 被引量:3
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作者 王辉 蔺家骏 +2 位作者 何锦强 廖永力 李盛涛 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第22期333-339,共7页
研究了不同沉淀剂(NH4HCO3和NaOH)对共沉淀法制备的ZnO压敏陶瓷性能的影响.结果表明:不同的沉淀剂对ZnO压敏陶瓷的微观结构及电气性能有明显的影响.其中陶瓷微观结构的变化主要由沉淀剂本身的性质引起;而电气性能的改变除了与微观结构... 研究了不同沉淀剂(NH4HCO3和NaOH)对共沉淀法制备的ZnO压敏陶瓷性能的影响.结果表明:不同的沉淀剂对ZnO压敏陶瓷的微观结构及电气性能有明显的影响.其中陶瓷微观结构的变化主要由沉淀剂本身的性质引起;而电气性能的改变除了与微观结构相关外,主要受不同沉淀剂对陶瓷晶界势垒参数的影响;此外,沉淀剂NaOH引入的Na+作为施主杂质离子掺杂ZnO压敏陶瓷,增加晶粒中的自由电子浓度,因此本征缺陷(锌填隙和氧空位)浓度受到抑制,而锌填隙浓度相对于氧空位而言对施主离子掺杂更为敏感.由此,采用共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷粉体时,沉淀剂种类的选择很重要,即使微量的杂质也会引起压敏陶瓷性能的较大改变,应尽可能避免杂质离子的引入. 展开更多
关键词 zno压敏陶瓷 缺陷结构 沉淀剂 介电性能
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