n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管

用等离子体辅助分子束外延的方法生长了n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管。I-V测量表明其具有典型的二极管整流特性。电致发光峰位于382 nm,通过与n型ZnO和p型GaN的光致发光谱比较,其发光峰位与线形都与ZnO的自由激子发射一致,表明该电致发光来自于ZnO的自由激子发射。通过Anderson模型比较了n-ZnO/i-MgO/p-GaN和n-ZnO/p-GaN异质结的能带示意图,证明了由于MgO层的插入抑制了ZnO向GaN层中的电子注入,且有利于空穴向ZnO层注入,从而实现了ZnO层中的电注入发光。

氧化锌基发光二极管的研究进展

概述了ZnO材料的发光性质以及ZnO基发光二极管(LED)器件的发展历程、工作原理和技术路线。详细介绍了各种结构的ZnO基同质结、异质结LED及一维ZnO纳米线/棒阵列异质结LED的最新研究成果,存在的问题以及改进的方法。通过改进器件结构、提高材料质量和采用新型纳米结构材料,使得ZnO基LED的光谱质量和电致发光效率有了本质提高。