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Mn掺杂ZnO稀磁半导体的化学合成及磁性研究 被引量:6
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作者 程兴旺 李祥 +1 位作者 于宙 龙雪 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期70-73,共4页
采用化学方法制备了名义组分为Zn0.993Mn0.007O的Mn掺杂ZnO稀磁半导体材料,并研究了退火温度(Ts=400,600,800℃)对其结构和磁性的影响。结果表明:在退火温度低于600℃条件下,合成的样品为单一纤锌矿结构的ZnO颗粒材料;当退火温度为800℃... 采用化学方法制备了名义组分为Zn0.993Mn0.007O的Mn掺杂ZnO稀磁半导体材料,并研究了退火温度(Ts=400,600,800℃)对其结构和磁性的影响。结果表明:在退火温度低于600℃条件下,合成的样品为单一纤锌矿结构的ZnO颗粒材料;当退火温度为800℃时,合成的样品中除了纤锌矿结构ZnO外还观察到ZnMnO3第二相的存在。磁性研究表明:经过600℃退火后的样品,其室温铁磁性最强,而经过800℃退火后的样品,其铁磁性几乎消失,并表现为增强的顺磁性。结合对样品的Raman光谱和紫外-可见吸收光谱的分析,表明Mn元素进入了ZnO晶格中并替代了ZnO中的Zn离子。样品的室温铁磁性是源于(Zn,Mn)O的本征特性,并排除了样品中第二相导致其具有室温铁磁性的可能性。 展开更多
关键词 zno 掺杂 稀磁
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过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体分析技术的研究现状 被引量:2
2
作者 王古平 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI 2010年第2期351-355,359,共6页
过渡金属(TM)掺杂获得铁磁性ZnO基稀磁半导体(DMSs)的报道很多,但其铁磁性是否有微量磁性TM原子团簇或第二相的贡献存在争议。从磁性测量和磁性TM原子团聚及第二相的排除两方面综述了TM掺杂ZnODMSs本征铁磁性检证的常用方法,着重分析了... 过渡金属(TM)掺杂获得铁磁性ZnO基稀磁半导体(DMSs)的报道很多,但其铁磁性是否有微量磁性TM原子团簇或第二相的贡献存在争议。从磁性测量和磁性TM原子团聚及第二相的排除两方面综述了TM掺杂ZnODMSs本征铁磁性检证的常用方法,着重分析了元素特征分析技术在过渡金属掺杂ZnO中的应用。 展开更多
关键词 zno 稀磁半导体 本征铁磁性 分析技术 TM掺杂
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Co掺杂ZnO块材的晶体结构和磁性能研究
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作者 彭龙 张怀武 +1 位作者 宋远强 沈健 《纳米科技》 2008年第4期37-41,49,共6页
采用固相法制备了Zn1-xCoxO(x=0.05-0.25)块材,烧结温度和Co含量对Zn1-xCoxO(x=0.05-0.25)块材的晶体结构和室温磁性能影响强烈,当x≤0.1,烧结温度从800增加到1100℃时,Zn1-xCoxO(x=0.05-0.25)呈现出单相结构,但当x〉... 采用固相法制备了Zn1-xCoxO(x=0.05-0.25)块材,烧结温度和Co含量对Zn1-xCoxO(x=0.05-0.25)块材的晶体结构和室温磁性能影响强烈,当x≤0.1,烧结温度从800增加到1100℃时,Zn1-xCoxO(x=0.05-0.25)呈现出单相结构,但当x〉0.1,烧结温度为800℃时,样品中出现CoO相;随着烧结温度提高到900℃,样品再次获得纯的单相结构。为了获得高的饱和磁化强度Ms,最佳烧结温度应该根据Co含量进行调整。在最佳烧结温度条件下,当x从0.05提高到0.1时,Ms从0.79增加到了1.06μB/Co,但当x继续提高到0.2和0.25时,Ms分别降低到了0.59和0.41μB/Co。 展开更多
关键词 dmss Co掺杂zno 晶体结构 磁性能
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Mn掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备和磁性研究 被引量:18
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作者 于宙 李祥 +5 位作者 龙雪 程兴旺 王晶云 刘颖 曹茂盛 王富耻 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期4539-4544,共6页
采用共沉淀方法制备了名义组分为Zn1-xMnxO(x=0.001,0.005,0.007,0.01)的Mn掺杂的ZnO基稀磁半导体材料,并研究了在大气气氛下经过不同温度退火后样品的结构和磁性的变化.结果表明:样品在600℃的大气条件下退火后,仍为单一的六方纤锌矿... 采用共沉淀方法制备了名义组分为Zn1-xMnxO(x=0.001,0.005,0.007,0.01)的Mn掺杂的ZnO基稀磁半导体材料,并研究了在大气气氛下经过不同温度退火后样品的结构和磁性的变化.结果表明:样品在600℃的大气条件下退火后,仍为单一的六方纤锌矿结构的ZnO颗粒材料;当样品经过800℃退火后,Mn掺杂量为0.007,0.01的样品中除了ZnO纤锌矿结构外还观察到ZnMnO3第二相的存在.磁性测量表明,大气条件下600℃退火后的样品,呈现出室温铁磁性;而800℃退火后的样品,其室温铁磁性显著减弱,并表现为明显的顺磁性.结合对样品的光致发光谱的分析,认为合成样品的室温铁磁性是由于Mn离子对ZnO中的Zn离子的替代形成的. 展开更多
关键词 zno 掺杂 稀磁半导体 铁磁性
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锰掺杂氧化锌纳米棒阵列的结构及其磁学性质 被引量:1
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作者 袁明霞 付静 +2 位作者 姜广军 向安润 杨海滨 《现代仪器》 2011年第5期52-54,共3页
采用水热法制备出垂直于ITO基底生长的高密度的Mn掺杂ZnO纳米棒阵列。测试阵列的微观结构和磁性。XPS证实Mn已经成功的掺入到纳米棒中。同时,所有的Mn掺杂的ZnO纳米棒在室温都有铁磁性。而且饱和磁化强度随掺杂浓度的增加先增大后减小。... 采用水热法制备出垂直于ITO基底生长的高密度的Mn掺杂ZnO纳米棒阵列。测试阵列的微观结构和磁性。XPS证实Mn已经成功的掺入到纳米棒中。同时,所有的Mn掺杂的ZnO纳米棒在室温都有铁磁性。而且饱和磁化强度随掺杂浓度的增加先增大后减小。5%Mn掺杂的ZnO纳米棒阵列的饱和磁化强度最大。铁磁性可能来源于Mn离子部分取代Zn离子,Mn离子之间的铁磁相互作用。 展开更多
关键词 稀磁半导体 Mn掺杂zno纳米棒阵列 水热法
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A fabrication and magnetic properties study on Al doped Zn_(0.99)Co_(0.01)O dilution ferromagnetic semiconductors 被引量:1
6
作者 于宙 李祥 +3 位作者 龙雪 程兴旺 刘颖 曹传宝 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第7期3040-3043,共4页
This paper reports that a chemical method is employed to synthesize Co and Al co-doped ZnO, namely,Zn0.99-xCo0.01AlxO dilution semiconductors with the nominal composition of x=0, 0.005 and 0.02.Structural,magnetic and... This paper reports that a chemical method is employed to synthesize Co and Al co-doped ZnO, namely,Zn0.99-xCo0.01AlxO dilution semiconductors with the nominal composition of x=0, 0.005 and 0.02.Structural,magnetic and optical properties of the produced samples are studied.The results indicate that samples sintered in air under the temperatures of 500 ℃ show a single wurtzite ZnO structure and the ferromagnetism decreases with the increase of Al.Photoluminescence spectra of different Al-doped samples indicate that increasing Al concentration in Zn0.99-xCo0.01AlxO results in a decrease of Zni,which resembles the trend of the ferromagnetic property of the corresponding samples. Therefore,it is deduced that the ferromagnetism observed in the studied samples originates from the interstitial defect of zinc (Zni) in the lattice of Co-doped ZnO. 展开更多
关键词 zno dmss doping
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