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ZnO薄膜V族掺杂的研究进展
被引量:
3
1
作者
朱仁江
孔春阳
+2 位作者
马勇
王万录
廖克俊
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期113-115,125,共4页
ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料,高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。概述了ZnO薄膜V族元素氮、磷、砷(N、P、As)p型掺杂的研究进展,分析对比了3种元素的掺杂和p型转变特性,简单介绍了共掺杂技术,提出了有待进一步研究的问题。
关键词
氧化锌
P型掺杂
共掺杂
ⅴ
族元素
下载PDF
职称材料
题名
ZnO薄膜V族掺杂的研究进展
被引量:
3
1
作者
朱仁江
孔春阳
马勇
王万录
廖克俊
机构
重庆师范大学光学工程实验室
重庆大学数理学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期113-115,125,共4页
基金
重庆市攻关项目资助(CSTC
2004AC4034)重庆市教委项目资助(KJ050812)
文摘
ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料,高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。概述了ZnO薄膜V族元素氮、磷、砷(N、P、As)p型掺杂的研究进展,分析对比了3种元素的掺杂和p型转变特性,简单介绍了共掺杂技术,提出了有待进一步研究的问题。
关键词
氧化锌
P型掺杂
共掺杂
ⅴ
族元素
Keywords
zno
,
p-type doping
,
codoping
,
group- ⅴ elements
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnO薄膜V族掺杂的研究进展
朱仁江
孔春阳
马勇
王万录
廖克俊
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
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职称材料
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