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ZnO薄膜V族掺杂的研究进展 被引量:3
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作者 朱仁江 孔春阳 +2 位作者 马勇 王万录 廖克俊 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期113-115,125,共4页
ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料,高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。概述了ZnO薄膜V族元素氮、磷、砷(N、P、As)p型掺杂的研究进展,分析对比了3种元素的掺杂和p型转变特性,简单介绍了共掺杂技术,提出了有待进一步研究的问题。
关键词 氧化锌 P型掺杂 共掺杂 族元素
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