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基于共溅射ZnO/SnO_(2)异质结薄膜的气体传感器研究 被引量:1
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作者 孙士斌 张叶裕 +1 位作者 高晨阳 常雪婷 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第2期61-64,共4页
采用射频磁控共溅射法在叉指电极上制备了ZnO/SnO_(2)n-n异质结复合薄膜,系统测试了其气敏特性,并分析了其气敏机理。结果表明,与ZnO薄膜和SnO_(2)薄膜气体传感器相比,ZnO/SnO_(2)异质结薄膜气体传感器具有更低的工作温度、更高的灵敏... 采用射频磁控共溅射法在叉指电极上制备了ZnO/SnO_(2)n-n异质结复合薄膜,系统测试了其气敏特性,并分析了其气敏机理。结果表明,与ZnO薄膜和SnO_(2)薄膜气体传感器相比,ZnO/SnO_(2)异质结薄膜气体传感器具有更低的工作温度、更高的灵敏度以及更快的响应和恢复速度。ZnO/SnO_(2)异质结薄膜气体传感器对乙醇具有较好的选择性,最低检测体积分数为1×10^(-6),最佳工作温度为250℃;对1×10^(-4)乙醇气体的灵敏度可达18.4,响应时间和恢复时间分别为10 s和19 s。 展开更多
关键词 磁控共溅射 zno/SnO_(2)异质结 复合薄膜 气体传感器
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The effects of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO_2-Si_3N_4 films 被引量:1
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作者 高博 刘刚 +5 位作者 王立新 韩郑生 宋李梅 张彦飞 腾瑞 吴海舟 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第3期393-398,共6页
Total dose effects and single event effects on radiation-hardened power vertical double-diffusion metal oxide semiconductor(VDMOS) devices with composite SiO2-Si3N4 film gates are investigated.The relationships amon... Total dose effects and single event effects on radiation-hardened power vertical double-diffusion metal oxide semiconductor(VDMOS) devices with composite SiO2-Si3N4 film gates are investigated.The relationships among the important electrical parameters of the samples with different thickness SiO2-Si3N4 films,such as threshold voltage,breakdown voltage,and on-state resistance in accumulated dose,are discussed.The total dose experiment results show that the breakdown voltage and the on-state resistance barely change with the accumulated dose.However,the relationships between the threshold voltages of the samples and the accumulated dose are more complex,and not only positively drift,but also negatively drift.At the end of the total dose experiment,we select the group of samples which have the smaller threshold voltage shift to carry out the single event effect studies.We find that the samples with appropriate thickness ratio SiO2-Si3N4 films have a good radiation-hardening ability.This method may be useful in solving both the SEGR and the total dose problems with the composite SiO2-Si3N4 films. 展开更多
关键词 power VDMOS device total dose effects single event effects composite sio2-Si3N4 films
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Preparation and Characterization of Tetracomponent ZnO/SiO<sub>2</sub>/SnO<sub>2</sub>/TiO<sub>2</sub>Composite Nanofibers by Electrospinning
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作者 Chao Song Xiangting Dong 《Advances in Chemical Engineering and Science》 2012年第1期108-112,共5页
[Zn(CH3COO)2 + PVP]/[C2H5O)4Si + PVP]/[SnCl4 + PVP]/[Ti(OC4H9)4 + CH3COOH + PVP] precursor composite fibers have been fabricated through self-made electrospinning equipment via electrospinning tech-nique. ZnO/SiO2/SnO... [Zn(CH3COO)2 + PVP]/[C2H5O)4Si + PVP]/[SnCl4 + PVP]/[Ti(OC4H9)4 + CH3COOH + PVP] precursor composite fibers have been fabricated through self-made electrospinning equipment via electrospinning tech-nique. ZnO/SiO2/SnO2/TiO2 composite nanofibers were obtained by calcination of the relevant precursor composite fibers. The samples were characterized by thermogravimetric-differential thermal analysis (TG-DTA), X-ray diffractometry (XRD), Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR), and Scanning electron microscopy (SEM). TG-DTA analysis reveals that solvents, organic compounds and inorganic in the precursor composite fibers are decomposed and volatilized totally, and the mass of the samples kept constant when sintering temperature was above 900?C, and the total mass loss percentage is 88%. XRD results show that the precursor composite fibers are amorphous in structure, and pure phase ZnO/SiO2/SnO2/TiO2 com-posite nanofibers are obtained by calcination of the relevant precursor composite fibers. FTIR analysis manifests that pure inorganic oxides are formed. SEM analysis indicates that the width of the precursor composite fibers is ca. 1.485 ± 0.043 μm. The width of the ZnO/SiO2/SnO2/TiO2 composite nanofibers is ca. 1145.098 ± 68.093 nm. 展开更多
关键词 zno/sio2/SnO2/TiO2 Tetracomponent composite NANOFIBERS ELECTROSPINNING
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Grain Size and Wettability of TiO_2/SiO_2 Photocatalytic Composite Thin Filing 被引量:11
4
作者 Jiaguo Yu, Xiujian Zhao, Jimmy C Yu, Jun Lin (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China Deportment of Chemised The Chinese University of Hong Kong, Hong Kong, 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2001年第2期81-86,共6页
The uniform transparent TiO2/SiO2 photocatalytic composite thin films are prepared by sol-gel method on the soda lime glass substrates, and characterized by UV-visible spectroscopy, X-ray diffraction (XRD), transmissi... The uniform transparent TiO2/SiO2 photocatalytic composite thin films are prepared by sol-gel method on the soda lime glass substrates, and characterized by UV-visible spectroscopy, X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM), BET surface area, FTIR spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). It was found that the addition of SiO2 to TiO2 thin films can suppress the grain growth of TiO2 crystal, increase the hydroxyl content on the surface of TiO2 films, lower the contact angle for water on TiO, films and enhance the hydrophilic property of TiO2 films. The super-hydrophilic TiO2/SiO2 photocatalytic composite thin films with the contact angle of 0((o) under bar) are obtained by the addition of 10%-20% SiO2 in mole fraction. 展开更多
关键词 sol-gel method TiO2/sio2 photocatalytic composite thin films grain size WETTABILITY
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SiO_2/ZnO复合纳米粒子的制备及表征 被引量:15
5
作者 夏海龙 唐芳琼 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第8期769-772,共4页
采用双注控制沉积法(ControlledDouble-JetPrecipitation,CDJP)将反应物添加到含有SiO2的溶液中,通过直接的表面反应来制备单分散的SiO2/ZnO复合纳米粒子,并对其进行了表征。透射电镜(TEM)观察表明,SiO2表面有一层ZnO纳米颗粒或薄层。... 采用双注控制沉积法(ControlledDouble-JetPrecipitation,CDJP)将反应物添加到含有SiO2的溶液中,通过直接的表面反应来制备单分散的SiO2/ZnO复合纳米粒子,并对其进行了表征。透射电镜(TEM)观察表明,SiO2表面有一层ZnO纳米颗粒或薄层。对复合纳米粒子SiO2/ZnO进行X射线衍射(XRD)分析,复合颗粒的衍射峰与单独的氧化锌的衍射峰完全一致。能量弥散X射线法(EDX)分析表明,复合颗粒中含有Zn、Si、O元素。荧光光谱表明有ZnO的吸收峰。 展开更多
关键词 sio2/zno复合纳米粒子 双注控制沉积法 制备 表征 纳米半导体 二氧化硅 氧化锌
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花蕾状ZnO层/SiO_2多孔网络复合薄膜的制备及其发光特性
6
作者 石礼伟 李玉国 +3 位作者 薛成山 庄惠照 王书运 王瑞华 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2004年第2期89-92,共4页
采用Zn/SiO2 复合靶 ,用射频磁控共溅射技术在Si( 111)衬底上沉积金属锌 (Zn) /二氧化硅 (SiO2 )基质复合薄膜 ,在空气气氛中 70 0℃条件下进行退火热处理 1h ,Zn从SiO2 基质中析出并在薄膜表面被空气中的O2 氧化 ,合成了花蕾状ZnO层 /S... 采用Zn/SiO2 复合靶 ,用射频磁控共溅射技术在Si( 111)衬底上沉积金属锌 (Zn) /二氧化硅 (SiO2 )基质复合薄膜 ,在空气气氛中 70 0℃条件下进行退火热处理 1h ,Zn从SiO2 基质中析出并在薄膜表面被空气中的O2 氧化 ,合成了花蕾状ZnO层 /SiO2 多孔网络复合薄膜材料 .用X射线衍射 (XRD)、扫描电镜 (SEM )、透射电镜 (TEM )和光致发光谱 (PL)分析了复合薄膜的微结构、组成。 展开更多
关键词 花蕾状氧化锌层 二氧化硅多孔网络 复合薄膜 射频磁控共溅射技术 热氧化 X射线衍射分析
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磁控溅射SnO_(2)/ZnO复合纳米薄膜的气敏特性研究
7
作者 吴鹏举 刘文强 +3 位作者 汤子鑫 郭兰兰 王瑗瑗 杨莹丽 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2023年第12期21-24,共4页
采用射频磁控溅射方法,在溅射气压为2.5 Pa时,在p-Si衬底上沉积氧化锡(SnO_(2))/氧化锌(ZnO)复合纳米薄膜。沉积过程中,SnO_(2)薄膜的沉积厚度固定为40 nm,通过改变ZnO薄膜的沉积厚度来改变SnO_(2)/ZnO的膜厚比。详细分析了工作温度和... 采用射频磁控溅射方法,在溅射气压为2.5 Pa时,在p-Si衬底上沉积氧化锡(SnO_(2))/氧化锌(ZnO)复合纳米薄膜。沉积过程中,SnO_(2)薄膜的沉积厚度固定为40 nm,通过改变ZnO薄膜的沉积厚度来改变SnO_(2)/ZnO的膜厚比。详细分析了工作温度和膜厚比变化对复合纳米薄膜气敏特性的影响。结果表明,SnO_(2)/ZnO复合纳米薄膜的最佳工作温度为350℃,与ZnO和SnO_(2)单层薄膜相比,复合纳米薄膜的气敏性能显著提升。当SnO_(2)与ZnO的膜厚比为4︰3时,其气敏性能最佳,在350℃下,对于5×10^(-6)乙醇气体的灵敏度最高可达4。该SnO_(2)/ZnO复合纳米薄膜气敏性能的提升归因于ZnO与SnO_(2)之间形成的n-n异质结。 展开更多
关键词 复合纳米薄膜 氧化锌 氧化锡 射频磁控溅射 n-n异质结
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A flexible CNT@nickel silicate composite film for high-performance sodium storage 被引量:2
8
作者 Ziyue Zhou Wenping Si +5 位作者 Pengyi Lu Wenlei Guo Lei Wang Tao Zhang Feng Hou Ji Liang 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第8期29-37,I0002,共10页
Due to the sufficient ion diffusion channels provided by the large interlayer spacing, layered silicates are widely considered as potential anode materials for lithium ion and sodium ion batteries. However, due to the... Due to the sufficient ion diffusion channels provided by the large interlayer spacing, layered silicates are widely considered as potential anode materials for lithium ion and sodium ion batteries. However, due to the poor electronic conductivity, the application of layered silicates for electrochemical energy storage has been greatly limited. Carbon nanotube(CNT) film has excellent electrical conductivity and a unique interconnected network, making it an ideal matrix for composite electrochemical material. We herein report a CNT@nickel silicate composite film(CNT@NiSiO) fabricated by a SiO2-mediated hydrothermal conversion process, for sodium storage with excellent electrochemical properties. The obtained composite possesses a cladding structure with homogeneous nanosheets as the outermost and CNT film as the inner network matrix, providing abundant ion diffusion channels, high electronic conductivity, and good mechanical flexibility. Due to these merits, this material possesses an excellent electrochemical performance for sodium storage, including a high specific capacity up to 390 mAh g-1 at 50 mA g-1, good rate performance up to 205 mAh g-1 at 500 mA g-1, and excellent cycling stability. On this basis, this work would bring a promising material for various energy storage devices and other emerging applications. 展开更多
关键词 Sodium ion storage Nickel silicate Carbon nanotubes composite film sio2-mediated hydrothermal conversion
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钛金属有机物热解制备TiO_2-SiO_2复合膜及其光催化活性研究 被引量:11
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作者 陈小泉 古国榜 刘焕彬 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1714-1719,共6页
混有一定量SiO2 溶胶的钛金属有机化合物膜液通过旋液成膜法制备前驱物膜 ,经热解得到TiO2 SiO2 复合膜 .于 610℃焙烧 15min所得复合膜 (Ti∶Si =9∶1)经SEM ,XRD ,UV vis和XPS研究表明 ,膜面由 3 0nm× 2 0 0nm大小的晶体粒子组... 混有一定量SiO2 溶胶的钛金属有机化合物膜液通过旋液成膜法制备前驱物膜 ,经热解得到TiO2 SiO2 复合膜 .于 610℃焙烧 15min所得复合膜 (Ti∶Si =9∶1)经SEM ,XRD ,UV vis和XPS研究表明 ,膜面由 3 0nm× 2 0 0nm大小的晶体粒子组成 ,结构致密 ,膜厚约 2 0 0nm ,其可见光透过率为玻璃基质的 80 %,膜表面Ti3 + /OH-的比值为 1 0 6.对不同SiO2 含量的膜液凝胶进行DSC分析显示 ,少量的SiO2 就能显著提高TiO2 锐钛矿型晶相的形成温度 .膜的光催化活性研究表明一定量的Fe3 + 有利于提高膜的光催化活性 ,但是如果以氯化物的形式加入则对光催化反应不利 ,铬的氯化物同样如此 .另外 ,在钛金属有机物热解制备TiO2 SiO2 复合膜中 ,溶胶SiO2 不利于光催化反应 。 展开更多
关键词 钛金属有机物 热解 制备 TIO2-sio2 复合膜 光催化活性 二氧化钛 二氧化硅 催化剂
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射频磁控共溅射制备超亲水TiO_2/SiO_2复合薄膜 被引量:3
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作者 沈杰 沃松涛 +3 位作者 蔡臻炜 崔晓莉 杨锡良 章壮健 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期415-419,共5页
采用射频磁控共溅射法制备了SiO2 /TiO2 复合薄膜 ,通过控制SiO2 靶与TiO2 靶的溅射时间可调节SiO2 与TiO2 的比例。所制备的SiO2 /TiO2 薄膜为锐钛矿结构。实验结果表明 :SiO2 的掺入降低了SiO2 /TiO2 复合薄膜的光催化能力 ,但却提高... 采用射频磁控共溅射法制备了SiO2 /TiO2 复合薄膜 ,通过控制SiO2 靶与TiO2 靶的溅射时间可调节SiO2 与TiO2 的比例。所制备的SiO2 /TiO2 薄膜为锐钛矿结构。实验结果表明 :SiO2 的掺入降低了SiO2 /TiO2 复合薄膜的光催化能力 ,但却提高了薄膜的亲水性的维持时间。其中 ,掺入 6 %~ 13%SiO2 的SiO2 /TiO2 复合薄膜 ,在紫外光照射 30min ,接触角降到 2° ;停止照射后 ,在 5天内接触角小于 6°。 展开更多
关键词 sio2 共溅射法 TIO2薄膜 复合薄膜 接触角 内接 锐钛矿结构 射频 实验结果 照射
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掺铂WO_3-SiO_2复合薄膜结构表征和气致变色性能研究 被引量:2
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作者 徐雪青 沈辉 胡芸菲 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1726-1728,共3页
采用溶胶 凝胶法制备WO3 SiO2 复合薄膜 ,对不同温度热处理的复合薄膜及单一组分薄膜的结构和气致变色性能进行了对比分析 .XRD分析结果表明 ,复合薄膜的晶化温度提高、晶化程度降低 ,存在一定的晶格畸变 ;IR分析结果表明 ,在热处理过... 采用溶胶 凝胶法制备WO3 SiO2 复合薄膜 ,对不同温度热处理的复合薄膜及单一组分薄膜的结构和气致变色性能进行了对比分析 .XRD分析结果表明 ,复合薄膜的晶化温度提高、晶化程度降低 ,存在一定的晶格畸变 ;IR分析结果表明 ,在热处理过程中复合薄膜氧化钨分子间不易缩合 ,分子结构对称性低、变形多 .性能测试结果表明 ,在复合薄膜中 ,WO3 与SiO2 之间的相界等结构缺陷为氢气提供扩散通道 。 展开更多
关键词 复合薄膜 结构 气致变色 氧化钨 二氧化硅
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溅射共沉积GaAs-SiO_2复合薄膜的XPS研究 被引量:1
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作者 石旺舟 林揆训 林璇英 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期366-367,共2页
采用X射线光电子能谱(XPS)研究了由GaAs和SiO2组成的复合靶共溅射沉积的GaAs-SiO2复合薄膜的Ga、As和Si的化学结合状态及其沉积时的基片温度对其影响。结果表明:Ga、As和Si分别主要是以GaAs和... 采用X射线光电子能谱(XPS)研究了由GaAs和SiO2组成的复合靶共溅射沉积的GaAs-SiO2复合薄膜的Ga、As和Si的化学结合状态及其沉积时的基片温度对其影响。结果表明:Ga、As和Si分别主要是以GaAs和SiO2的化学组态存在于复合薄膜之中,但当沉积时基片温度上升到一定值后(我们实验中为400℃),有部分的Ga和As被氧化,其氧化量随着基片温度的进一步升高而上升。沉积的SiO2中存在着少量的缺氧缺位。 展开更多
关键词 纳米 复合薄膜 砷化镓 XPS 二氧化硅 半导体
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ZnO/TiO_(2)复合薄膜的制备及其光学性能的研究 被引量:2
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作者 王玉新 宋欣 +2 位作者 蔺冬雪 王禄 王媛媛 《辽宁师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2022年第1期25-30,共6页
利用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备ZnO、TiO_(2)多层复合薄膜.测试手段采用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分别对薄膜的结构、形貌和光学性能进行表征.研究固定浓度的ZnO在不同浓度的TiO_(2)上进行... 利用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备ZnO、TiO_(2)多层复合薄膜.测试手段采用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分别对薄膜的结构、形貌和光学性能进行表征.研究固定浓度的ZnO在不同浓度的TiO_(2)上进行叠涂的复合薄膜的光学性能.实验分别制备浓度为0.45 mol/L/0.45 mol/L、0.45 mol/L/0.55 mol/L、0.45 mol/L/0.65 mol/L、0.45 mol/L/0.75 mol/L的ZnO/TiO_(2)双层膜.实验再进一步研究,在双层膜性能最好的薄膜的浓度基础上增加薄膜层数,制备TiO_(2)/ZnO/TiO_(2)3层膜.结果表明:浓度为0.45 mol/L/0.55 mol/L的双层ZnO/TiO_(2)复合薄膜的结晶质量好,吸光度较强,禁带宽度值为3.39 eV.将ZnO和TiO_(2)薄膜复合后,会产生一个新的杂质能级,电子跃迁时能量增加,载流子迁移速度降低,禁带宽度相对变大.在此基础上叠加第三层薄膜后,与双层膜样品相比(101)衍射峰有所下降,说明叠涂层数太多,反而影响了薄膜的生长. 展开更多
关键词 zno薄膜 TiO_(2)薄膜 溶胶-凝胶法 复合薄膜 光学性能
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ZnO·TiO_(2)双层复合薄膜的制备及其光学性能的研究 被引量:6
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作者 蔺冬雪 赵莉 +1 位作者 王媛媛 王玉新 《大学物理实验》 2022年第1期25-29,共5页
采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel),分别以乙酸锌(Zn(CH_(3)COO)_(2)H_(2)O)、钛酸酊酯(Ti(OC_(4)H9)_(4))为锌源和钛源,在玻璃衬底以及硅衬底上制备了不同浓度的、均匀的、结晶质量良好的单层ZnO、TiO_(2)薄膜及双层的ZnO·TiO_(2)复合薄... 采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel),分别以乙酸锌(Zn(CH_(3)COO)_(2)H_(2)O)、钛酸酊酯(Ti(OC_(4)H9)_(4))为锌源和钛源,在玻璃衬底以及硅衬底上制备了不同浓度的、均匀的、结晶质量良好的单层ZnO、TiO_(2)薄膜及双层的ZnO·TiO_(2)复合薄膜。结果表明,所制备的单层本征ZnO、TiO_(2)薄膜分别沿(002)、(101)晶面生长,且当本征ZnO、TiO_(2)的浓度分别为0.45 mol/L、0.65 mol/L时,择优取向生长最明显。ZnO·TiO_(2)复合薄膜的(101)、(004)特征峰明显,且0.45 mol/L/0.55 mol/L的双层ZnO·TiO_(2)复合薄膜结晶质量最好;薄膜表面最为平整,粒子分布均匀,粘连现象最少;对紫外光的吸收最强,禁带宽度为3.39 eV。 展开更多
关键词 zno薄膜 TiO_(2)薄膜 溶胶-凝胶法 双层复合薄膜 光学性能
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Si/Ti原子比对TiO_2-SiO_2复合薄膜亲水性能与摩擦磨损性能的影响
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作者 王晓宏 赵青南 +3 位作者 常潇 陆文涛 董玉红 赵杰 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第4期579-586,共8页
采用直流(DC)反应磁控溅射法在玻璃上制备了不同Si/Ti原子比的TiO_2-SiO_2复合薄膜。使用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外可见分光光度计、CA-XP150型接触角仪、UMT-2型多功能微摩擦仪,研... 采用直流(DC)反应磁控溅射法在玻璃上制备了不同Si/Ti原子比的TiO_2-SiO_2复合薄膜。使用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外可见分光光度计、CA-XP150型接触角仪、UMT-2型多功能微摩擦仪,研究了不同Si/Ti原子比的TiO_2-SiO_2复合薄膜微观结构、表面形貌、亲水性能和摩擦磨损性能。结果表明,所制备的纯TiO_2薄膜具有锐钛矿结构,其平均晶粒尺寸为11 nm,TiO_2-SiO_2复合薄膜呈现非晶结构,其粒子尺寸相对减小;随着Si/Ti原子比的增大,薄膜在可见光区的平均透过率从76. 6%增加到84. 3%。当复合薄膜中Si/Ti原子比为1∶2时,薄膜的摩擦系数为0. 11,薄膜具有最佳的亲水性能;在紫外光照射2 h后水接触角降到3. 0°;在黑暗中放置30 h后水接触角略增加到7. 7°。 展开更多
关键词 TiO2-sio2复合薄膜 Si/Ti比 亲水性能 摩擦性能 直流磁控溅射
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预沉积ZnO薄膜对ZnO−MoS_(2)/ZnO复合涂层结构与性能影响
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作者 曹明 赵岚 +3 位作者 余健 唐平 许欢 钟珮瑶 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期226-234,243,共10页
目的通过优化原子层沉积工艺获取不同厚度ZnO薄膜,研究ZnO薄膜晶体取向对ZnO−MoS_(2)涂层生长结构的影响,获得具有优异摩擦学性能的ZnO−MoS_(2)/ZnO复合涂层。方法采用原子层沉积法在不锈钢基体上预沉积不同厚度的ZnO薄膜,再用射频磁控... 目的通过优化原子层沉积工艺获取不同厚度ZnO薄膜,研究ZnO薄膜晶体取向对ZnO−MoS_(2)涂层生长结构的影响,获得具有优异摩擦学性能的ZnO−MoS_(2)/ZnO复合涂层。方法采用原子层沉积法在不锈钢基体上预沉积不同厚度的ZnO薄膜,再用射频磁控溅射技术继续沉积ZnO−MoS_(2)涂层,制备ZnO−MoS_(2)/ZnO固体润滑复合涂层。结果X射线衍射分析发现,预沉积ZnO薄膜有诱导后续ZnO−MoS_(2)涂层沉积生长的作用,预沉积100 nm厚ZnO薄膜的ZnO−MoS_(2)/ZnO复合涂层显示出宽化的MoS_(2)(002)馒头峰,其截面形貌显示为致密的体型结构,获得的摩擦因数最低(0.08),纳米硬度最高(2.33 GPa),硬度/模量比显示该复合涂层的耐磨损性能得到提升;X射线光电子能谱分析结果表明,复合涂层表面游离S与空气中水发生反应程度大约为原子数分数5%,显示复合涂层耐湿性能较好;基于原子层沉积ZnO薄膜生长及其对后续ZnO−MoS_(2)涂层生长的影响分析,提出了ZnO−MoS_(2)/ZnO复合涂层磨损模型,阐明了ZnO薄膜对复合涂层结构及摩擦学性能的影响,并以该模型解释了200 nm厚ZnO薄膜上沉积ZnO−MoS_(2)涂层出现的摩擦因数由高到低的变化趋势及最终磨损失效现象。结论合适的原子层沉积制备的ZnO薄膜有利于MoS_(2)(002)取向生长,可有效提升ZnO−MoS_(2)/ZnO复合涂层的摩擦学性能;控制ZnO薄膜厚度,可实现ZnO薄膜与基底及ZnO−MoS_(2)层间界面之间的优化结合,以制得具有较好摩擦学性能及使用寿命的ZnO−MoS_(2)/ZnO复合涂层。 展开更多
关键词 原子层沉积 zno薄膜 zno-MoS_(2)/zno复合涂层 晶化 润滑性能
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Ce-ZnO@TiO_(2)纳米薄膜的制备及其光催化性能研究
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作者 竹秋妮 张帅 武军 《广州化工》 CAS 2021年第8期34-37,共4页
将低温常压水热法制备的ZnO纳米花通过稀土Ce掺杂和TiO_(2)纳米纤维原位固定,自组装形成ZnO@TiO_(2)和Ce-ZnO@TiO_(2)宏观薄膜,以罗丹明B和甲基橙为降解底物,搭建循环光催化反应装置,研究薄膜材料的光催化活性。实验结果表明,Ce-ZnO,ZnO... 将低温常压水热法制备的ZnO纳米花通过稀土Ce掺杂和TiO_(2)纳米纤维原位固定,自组装形成ZnO@TiO_(2)和Ce-ZnO@TiO_(2)宏观薄膜,以罗丹明B和甲基橙为降解底物,搭建循环光催化反应装置,研究薄膜材料的光催化活性。实验结果表明,Ce-ZnO,ZnO@TiO_(2)和Ce-ZnO@TiO_(2)复合物的光催化活性分别是单纯ZnO的1.6倍,1.4倍和1.9倍。由此可见,Ce的掺杂和ZnO/TiO_(2)异质结的形成,都将提高材料的光催化活性,而且产品的宏观膜形态便于回收重复利用。 展开更多
关键词 zno TiO_(2) Ce-zno@TiO_(2)膜 复合 光催化
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ZnO/WO_3纳米片薄膜的光电催化性能研究
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作者 查亚鑫 陈荣生 倪红卫 《武汉科技大学学报》 北大核心 2017年第3期184-190,共7页
采用水热法在不锈钢基底上制备WO3纳米片阵列,然后将其浸渍于不同浓度Zn(NO_3)_2溶液中以负载ZnO纳米颗粒,从而制备出ZnO/WO_3纳米片薄膜。采用场发射扫描电镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis... 采用水热法在不锈钢基底上制备WO3纳米片阵列,然后将其浸渍于不同浓度Zn(NO_3)_2溶液中以负载ZnO纳米颗粒,从而制备出ZnO/WO_3纳米片薄膜。采用场发射扫描电镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和电化学阻抗图谱(EIS)等方法对ZnO/WO_3复合薄膜的形貌、结构、物相组成和光电性能等进行分析,重点考察了薄膜电极对亚甲基蓝(MB)的光电催化降解性能。结果表明,WO_3纳米片均匀垂直于基底生长,Zn元素以ZnO颗粒的形式分布在WO_3表面;ZnO的引入促进了WO_3中产生的光生电子-空穴对的分离,从而使ZnO/WO_3复合薄膜表现出比纯WO_3薄膜更优异的光电性能和光电催化活性;在Zn(NO_3)_2浸渍液浓度为20mmol/L时,所制ZnO/WO_3复合薄膜具有最佳的光电催化性能,在MB溶液初始浓度为10mg/L、外加偏压为0.8V、光照1h的条件下,采用该样品对MB的降解率达96.5%,并且复合薄膜具有良好的循环稳定性,在重复使用5次后,对MB的光电催化降解效率没有明显降低,有望在实际污水处理中得到应用。 展开更多
关键词 WO3薄膜 zno纳米颗粒 Zn(NO3)2 复合薄膜电极 光电催化活性 光电性能 亚甲基蓝降解
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齐聚苯撑乙烯-二氧化硅复合膜的制备及其光电性质研究 被引量:11
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作者 汤钧 曹亚安 +3 位作者 王莹 谢腾峰 王德军 杨柏 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期698-699,共2页
The oligo phenylene vinylene(oligo PV)/SiO 2 composite film was prepared by the sol gel process. The surface photovoltage spectroscopy(SPS) and electric field induced surface photovoltage spectroscopy(EFISPS) had been... The oligo phenylene vinylene(oligo PV)/SiO 2 composite film was prepared by the sol gel process. The surface photovoltage spectroscopy(SPS) and electric field induced surface photovoltage spectroscopy(EFISPS) had been used to investigate the charge transport process in olige PV/SiO 2 heterostructured composite. The results show that the oligo PV / SiO 2 composite film not only can improve the stability of oligo PV, but also have some photoelectric activity. 展开更多
关键词 齐聚苯撑乙烯-二氧化硅复合膜 光电性质 溶胶-凝胶法 制备 光电器件 聚合物材料
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纳米GaSb-SiO_2复合薄膜的非线性光学特性 被引量:12
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作者 刘发民 王天民 张立德 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期183-186,共4页
利用射频磁控共溅射的方法制备出纳米GaSb SiO2 镶嵌复合薄膜 .用Cary 5E分光光度计分析研究了复合薄膜的室温透射光吸收特性 .用Z扫描方法测量了复合薄膜在 63 2 8nm处大的双光子吸收系数 β≈ 0 0 82m W ,非线性折射率γ≈ 3 76... 利用射频磁控共溅射的方法制备出纳米GaSb SiO2 镶嵌复合薄膜 .用Cary 5E分光光度计分析研究了复合薄膜的室温透射光吸收特性 .用Z扫描方法测量了复合薄膜在 63 2 8nm处大的双光子吸收系数 β≈ 0 0 82m W ,非线性折射率γ≈ 3 76× 10 - 9m2 W及非线性系数 χ( 3) ≈ 7 84× 10 - 9esu . 展开更多
关键词 纳米GaSb 双光子吸收 光学非线性 纳米半导体 复合薄膜 锑化镓
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