均匀沉淀法制备ZnO纳米粉体

以硝酸锌、碳酸铵为原料,采用均匀沉淀法制备了ZnO纳米粉体,借助Zeta电位仪、IR图谱、XRD及SEM等测试手段,研究了ZnO纳米粉体合成过程中的团聚体状态。结果表明:选择合适的沉淀条件,在沉淀过程中引入适宜的表面活性剂,可增强粉体表面的静电位阻效应,避免干燥和煅烧过程中形成硬团聚体,从而改善粉体的分散性。在碳酸铵?硝酸锌为3?1的摩尔比所得ZnO粉体晶粒小于20nm,二次粒径小于80nm。

Al_2O_3-La_2O_3共掺杂对ZnO纳米粉体气敏性能的影响

采用溶胶—凝胶法制备了ZnO和掺Al、掺La与Al-La共掺的ZnO纳米粉体。利用X射线衍射仪、透射电镜对材料的结构进行了表征。研究了不同掺杂对材料的气敏性能的影响。研究表明:发现Al或La掺杂均使ZnO对体积分数0.005%的Cl2的灵敏度有很大的提高,但Al-La共掺使ZnO的最佳工作温度从单掺的290℃降到200℃。

燃烧法制备ZnO纳米粉体及Pr系ZnO压敏陶瓷

以Zn(NO32)和NH2CONH2为原料,通过燃烧法合成纳米ZnO粉体。用X射线衍射、扫描电镜、比表面积分析手段对所制备粉体的性能进行了表征。结果表明,制备的纳米氧化锌为纯相六角纤锌矿结构。在三种反应模式中,当φ=0.85(贫燃比,SCS)时,晶粒尺寸为41.5nm,其比表面积为0.849m2/g;当φ=1.67(化学计量比,VCS)时,晶粒尺寸为36.6nm,其比表面积为0.516m2/g;当φ=2.8(富燃比,SHS)时,晶粒尺寸为30.5nm,其比表面积为4.068m2/g。燃烧法制备的Pr系ZnO压敏陶瓷在1250℃烧结2h后,其电性能优异,晶粒尺寸约为3.5μm,压敏电压(VlmA)为5470V/cm,非线性系数(α)为27.84,漏电流(IL)为11.5μA。

室温固相合成掺杂ZnO纳米粉体制备ZnO压敏电阻

以金属离子盐和草酸为原料,采用室温固相化学反应合成掺杂ZnO前驱物,根据DSC-TG分析结果,将其在450℃热分解2 h,得到掺杂ZnO粉体,并用此粉体制备了片式ZnO压敏电阻。借助XRD、TEM、BET等检测手段对粉体产物的物相、形貌、粒度等进行了表征。研究了烧结温度对ZnO压敏电阻电性能的影响。结果表明,所制备的粉体为平均粒径24 nm左右、颗粒呈球状、分散性好的纤锌矿结构掺杂ZnO。在1 080℃烧结时,ZnO压敏电阻的综合电性能达到最佳,电位梯度为791.64 V/mm,非线性系数为24.36,漏电流为43μA。

室温固相化学法制备ZnO压敏电阻用纳米粉体及其压敏特性的研究

采用室温固相化学法,并通过对反应物摩尔配比、球磨时间、前驱物洗涤方式等因素的控制,合成了掺杂ZnO纳米粉体.借助XRD,TEM,粒度分布测试等手段,对粉体的组成、形貌和粒度进行了表征,探讨了反应条件对粉体性能的影响.结果表明,在反应物配比为1.10,球磨时间为30min,采用含量为3%的PEG-2000作为表面改性剂的条件下,制备了粒径为20nm左右、形状为球状的掺杂ZnO粉体.将制备的粉体通过成型,在1080℃制备了电位梯度为791.64V/mm、非线性系数为24.36、漏电流为43μA的压敏电阻.借助XRD,SEM,电性能测试等手段,对ZnO压敏陶瓷的组成、结构及压敏电阻的性能进行了表征,探讨了工艺参数对压敏电阻性能的影响及其机理.

微球状ZnO纳米粉体的制备与气敏性能研究

以Zn(CH3COO)2·2H2O为原料,无表面活性剂存在时,利用水热法合成了微球状ZnO纳米粉体。采用XRD,SEM和TEM等测试手段,对其物相、结构进行了表征。结果表明:此粉体为六方晶系的ZnO,结晶良好,直径小于4μm。利用该粉体制成气敏元件,并用静态配气法测试了元件的气敏性能。研究发现:元件在180℃工作温度下,对体积分数为50×10–6的丙酮和乙醇气体的灵敏度分别达到5.9和8.6。

Ga掺杂ZnO纳米粉体的合成及其光、电学性能研究

利用简单的溶剂热法,在具有不同镓浓度的锌前驱体溶液中得到了Ga掺杂ZnO纳米粉体.采用X射线光电子能谱仪(XPS)、X-射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、荧光光谱仪(PL)及霍尔效应测试(HES)等研究手段分别对样品的成分、形貌及光、电性能进行了研究.分析了前驱体溶液中镓浓度对产物光、电学性能的影响.

铝掺杂ZnO纳米粉体制备及其光学特性

采用溶胶-凝胶法,以六水硝酸锌、乙醇胺和九水硝酸铝为主要材料,制备得到Al掺杂Zn O(AZO)粉体。利用XRD、TEM、XPS、PL等检测手段对样品的物相、形貌及发光特性进行表征。结果表明:以溶胶-凝胶法合成的Al掺杂Zn O粉体为六角纤锌矿型结构,Al以Al^(3+)形式掺杂进入Zn O晶格,当450℃热处理0.5 h、Al掺杂摩尔分数为3%时,样品结晶程度最高;形貌为类球形,颗粒平均粒径大小约80 nm;在光致发光(PL)光谱上于468.6 nm处的缺陷峰强度明显降低,说明Al掺杂可改善Zn O粉体性能,使电子空穴复合概率大大降低。

Pt NPs增强ZnO@ZnS核-壳异质纳米棒光催化产氢性能研究

采用原位光沉积方法将铂纳米颗粒(Pt NPs)负载在核-壳异质纳米棒ZnO@ZnS表面,制备出ZnO@ZnS/Pt复合光催化剂。调控Pt NPs在ZnO@ZnS表面的负载量,探究了不同质量的Pt NPs对光催化产氢气性能的影响。结果表明,当贵金属Pt的负载量为2%(ZnO@ZnS/Pt-2)时,复合光催化产H_(2)性能最好,产氢速率为4.52 mmol/(g·h),是ZnO@ZnS的1.8倍,催化剂表现出优异的催化稳定性。在此复合材料中,贵金属Pt纳米颗粒作为助催化剂,Pt对H~+具有较低的吸附能,优先吸附H~+,光生电子转移到Pt纳米粒子表面,H^(+)在其表面得到光生电子,被还原为氢气,成功地抑制了光生电子和空穴的复合,有效地提升了催化剂的催化性能。

Zn_2SiO_4基体掺杂稀土离子纳米粉体的制备和光谱特性

采用sol gel法在Zn2SiO4基体中掺杂稀土离子Eu3+和Y,制备了Zn2SiO4∶Eu及Zn2SiO4∶Eu,Y纳米粉体,研究不同稀土离子浓度对荧光强度的影响,并采用热重 差热分析、X射线粉末衍射、荧光光谱分析等技术手段进行表征,目标产物的平均粒径分别为31nm和27nm。

ZnS掺杂WO_3纳米粉体的制备及H_2S气敏性能

采用共沉淀法制备了w（ZnS）为0-0.2%的ZnS-WO3纳米粉体,利用X射线衍射仪分析了粉体的微观结构,探讨了ZnS掺杂量、工作温度对由所制粉体制成的气敏元件的气敏性能的影响。研究发现：适量的ZnS掺杂抑制了WO3晶粒的生长,提高了粉体对H2S的灵敏度。其中,掺杂ZnS的质量分数为1.0%的烧结型气敏元件,在160℃时对体积分数为0.001%的H2S的灵敏度达到87,响应时间7s,恢复时间12s。

超临界流体干燥法制备ZnS纳米粉体及其表征

采用微乳液法-超临界流体干燥法制备出ZnS纳米粉体．以无水乙醇为超临界干燥介质，超临界流体干燥工艺为260℃×7．3MPa×10min．采用X射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）对制得的粉体进行了表征．结果表明，制备得到的ZnS纳米粉具有闪锌矿晶体结构，粉体外形为球形，粒子大小均匀，粒径约为5～7nm，分散性较好，有效的改善了粉体的团聚程度．且晶化程度稍高于550℃煅烧处理的ZnS纳米粉．

Zn_(0.5)Ni_(0.5)Fe_2O_4纳米粉体材料的制备及分散性研究

以硫酸盐为原料 ,Na2 CO3为添加剂 ,首先制备出碱式碳酸盐前驱体 ,35 0℃通空气焙烧 1h后 ,制备出Zn0 5Ni0 5Fe2 O4纳米晶体 .经过XRD和TEM检测 ,粒径为 5 0nm ,粒度均匀 .在质量分数为 3%的十二烷基苯磺酸钠水溶液中 ,用稀HNO3调节介质pH =2 5 ,得到Zn0 5Ni0 5Fe2

以NaHCO_3为矿化剂溶剂热合成Zn_2SnO_4纳米粉体

以NaHCO3为矿化剂采用溶剂热法合成了Zn2SnO4纳米粉体,通过X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)考察了矿化剂浓度、溶剂热反应温度和时间、表面活性剂等对样品组成、结构和形貌的影响,结果表明:矿化剂浓度较低时所得样品为SnO2,矿化剂浓度为1.0 mol/L、溶剂热反应温度和时间为200℃,24 h时,可得立方结构的分散均匀的Zn2SnO4纳米粉体,添加表面活性剂PVP后,样品粒度增大,立方块形貌更加明显.

EDTA络合法制备 Ba(Zn1/3Nb2/3)O3纳米粉体及其热学性能

采用EDTA (乙二胺四乙酸)络合法制备了Ba(Zn1/3Nb2/3)O3 (BZN)纳米粉体,利用X射线衍射仪、傅里叶变换红外光谱以及热重分析仪分析了前驱体的热分解过程和煅烧过程中的相变,同时采用扫描电子显微镜观察了最终粉体形貌。结果表明,650℃低温煅烧1 h得到钙钛矿相BZN陶瓷纳米粉体,粉体形状接近于球状,平均直径约40 nm,且在微区团聚形成较大的块状聚集体。所制备的粉体在1200℃烧结2 h得到高致密度(理论密度的98%以上)、单相的BZN陶瓷。

锰锌铁氧体纳米粉体的烧结过程及其性能测试分析

本文研究了锰锌铁氧体纳米粉体的烧结过程及晶粒生长规律,采用传统成型工艺和分段烧结方式,研究坯体的致密化和晶粒生长情况。分别采用阿基米德法、扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对烧结体的密度、微观结构和相组成进行测试分析。烧结体的磁性能用振动样品磁强计(VSM)来测定。另外,根据[311]衍射峰的半高宽,利用Scherrer公式计算烧结体晶粒的大小。结果表明,在900℃烧结时,烧结体的密度达到了功率锰锌铁氧体材料所需的最佳密度,此时晶粒生长较好,得出900℃为Mn-Zn铁氧体纳米粉体的最佳烧结温度,此时烧结体的密度为4.8245g/cm3。

固相法制备ZnO纳米粉及其气敏性能研究

以六水合硝酸锌和碳酸氢铵为原料，采用室温固相法制备前驱体碱式碳酸锌，然后在马弗炉中于600℃煅烧，得到ZnO纳米粉体。用XRD，TEM对其形貌、结构进行了表征。结果表明：所制备的ZnO结晶良好，其粒径为20～50nm。用其制成气敏元件，并用静态配气法测试其气敏性能，发现在工作温度为290℃左右，该气敏元件对体积分数为0．001％的Cl2的灵敏度高达288。

基于纳米粉体的织物抗紫外线研究

通过纳米粉体反射光谱和纳米树脂薄膜紫外线透过率的测试,筛选出的纳米粉体.应用到棉织物上,使得织物抗紫外线性能符合抗紫外线标准要求.研究结果表明,丙烯酸树脂对UVA波段吸收较强;二甲苯含量对紫外线透过率有一定影响;对于相同厚度的膜,二甲苯比例越大,紫外线透过性能越好.随着纳米粉体含量增加,纳米膜抗紫外线效果会增强.对于ZnO、TiO2纳米粉体,波长320nm的紫外线透过率与纳米粉体含量呈负指数关系,当添加量达到4%以后,棉织物的紫外线透过率在0.5%以下.

溶胶-凝胶法制备掺钒ZnO纳米粉

采用溶胶-凝胶法制备了掺钒(V)(V的原子数分数为2.5%)的ZnO纳米粉体。研究了不同热处理工艺对样品晶体结构和微观形貌的影响。采用X线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等对纳米粉体进行了分析。结果表明,热处理温度过低或时间过短都严重影响掺钒ZnO纳米粉的晶体结构,且随着热处理时间的增加,晶粒尺寸变大。XRD显示所有样品的晶体结构均为六方纤锌矿结构及(101)择优。由扫描电镜得到样品的晶粒尺寸为65～138nm。各个工艺的样品中,掺杂均匀,V含量与设计值基本一致,且样品中仅含Zn、V、O 3种元素。

电化学沉积法制备ZnO厚膜工艺研究

X射线具有较高的光子能量,这使得其在ZnO材料中具有大的穿透深度,因此为了更有效地探测X射线,需要制备出微米甚至百微米厚度的ZnO膜。本文采用电化学沉积法快速制备14.85μm厚的ZnO膜。实验结果表明,沉积电势和电极材料会显著影响ZnO膜的沉积速率与表面形貌。随着沉积电势的升高,ZnO形貌由六角柱状结构变为片状结构,当电势过大时会有大量氢气生成,导致薄膜孔洞增加而无法成膜。使用金属Pt为阳极电极时,溶液会逐渐酸化,导致ZnO在沉积的同时也会溶解,当二者速率相一致时,ZnO膜厚便不再增加,因此不适合生长ZnO厚膜。而使用金属Zn为阳极电极时,溶液的pH值基本保持不变,更适合生长ZnO厚膜。使用金属Zn作为阳极电极,沉积电势为0.65 V,电解液浓度为0.4 mol/L时,实现了1 h生长14.85μm的ZnO厚膜。在5 V偏压下,基于ZnO厚膜的探测器对加速电压为40 kV的X射线的响应度可达66.8μC·Gy^(-1)·cm^(-2)。