沉积温度和退火处理对脉冲激光沉积的ZnO∶Al膜性能的影响

利用脉冲激光沉积法制备了ZnO∶Al透明导电薄膜.通过对膜的霍尔系数测量及 AFM、XRD分析,详细研究了温度和退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明沉积温度影响膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.制备的薄膜均具有ZnO(002)择优取向的多晶膜.在240～310℃沉积的薄膜具有最低的电阻率,其值为6.1×10-4Ω·cm,在240℃沉积的薄膜在氩气中退火薄膜的电阻率下降为4. 7×10-4Ω·cm.所有薄膜在可见光区的平均透过率均达到了90%以上.

掺杂比和氧分压对脉冲激光沉积ZnO:Al膜性能影响的研究

利用脉冲激光法制备了ZnO :Al透明导电膜 .通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透射比和电阻率的影响 .结果表明 :掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况 .从电学分析看出 :掺杂比从 0 .75 %增至 1.5 %过程中 ,膜的载流子浓度、透射比 (在波长大于 5 0 0nm的范围 )和光隙能相应增大 .在氧分压强为 0Pa、掺杂比为 1.5 %左右时沉积的膜 ,其电阻率达到最小 ,其值为 7.1× 10 -4 Ω·cm ,且在可见光区其透射比超过了 90 % .

溶胶-凝胶法制备ZnO:Al膜及性能研究

本文以玻璃为载体,应用溶胶-凝胶法制备掺铝ZnO镀膜玻璃,并对制备的ZnO:Al镀膜玻璃进行性能测试,研究透过率的影响因素、不同热处理温度对制备的ZnO:Al镀膜玻璃性能的影响。经研究发现,Al掺量为3%、层数为5、热处理温度450℃时,透射率最好,具有最好的透射性,可作增透膜;ZnO薄膜中晶体生长热处理温度为400～450℃,保温时间在90min时,晶体生长效果最佳。

溶胶-凝胶法制备ZnO:Al透明导电膜正交试验的灰色关联分析

介绍了灰色关联分析的模型和算法,并运用灰色关联分析结合正交试验的方法对溶胶-凝胶法制备ZnO:Al透明导电膜过程中的溶胶浓度、掺杂量、镀膜层数、退火温度四个关键工艺因素对薄膜电性能的影响程度进行了研究,得出退火温度对膜的电性能的影响最为重要,其次是掺杂浓度和镀膜层数,溶胶浓度的影响最小。

低温磁控溅射有机衬底和玻璃衬底ZnO:Al透明导电膜的结构及特性

利用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底和 70 59玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的低电阻率的ZnO :Al透明导电膜 ,对在低温 ( 2 5～ 2 1 0℃ )下制备薄膜的结构和光电特性进行了比较研究 .铝掺杂的氧化锌薄膜是多晶膜 ,具有六角纤锌矿结构 ,最佳取向为 ( 0 0 2 )方向 .薄膜的最低电阻率分别为 1 .0× 1 0 -3和 8.4× 1 0 -4 Ω·cm ,在可见光区的平均透过率分别达到了 72 %和 85%.