射频磁控溅射法低温制备ZnO∶Zr透明导电薄膜及特性研究

利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜。讨论了薄膜厚度对ZnO∶Zr薄膜结构、形貌、光电性能的影响。实验结果表明,厚度对ZnO∶Zr薄膜的形貌和电学性能有很大影响。SEM和XRD研究结果表明,ZnO∶Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的C轴择优取向。当厚度为300nm时,薄膜的电阻率具有最小值1.77×10-3Ω.cm。所制备薄膜具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率超过92%。

薄膜厚度对ZnO∶Zr透明导电薄膜光电性能的影响

利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO∶Zr透明导电薄膜。讨论了厚度对ZnO∶Zr透明导电薄膜光学、电学性能的影响。当薄膜厚度为213nm时,薄膜电阻率达到最小值1.81×10-3Ω.cm。所制备的薄膜样品都具有高透光率,其可见光区平均透过率超过了93.0%。当薄膜厚度从125nm增加到350nm时,薄膜的光学带隙从3.58eV减小到3.50eV。

利用射频磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO:Zr透明导电薄膜(英文)

利用射频磁控溅射法首次在室温水冷柔性衬底PET上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)透明导电薄膜。X射线衍射和扫描电子显微镜表明,ZnO:Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有平行于衬底方向的择优取向。实验获得ZnO:Zr薄膜的最小电阻率为1 .55×10-3Ω.cm。实验制备的ZnO:Zr薄膜具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率超过90 %。

溅射功率对PET衬底上ZnO:Zr薄膜性能的影响

采用直流磁控溅射法在室温下柔性PET衬底上制备出了高质量的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)透明导电薄膜。研究了溅射功率对ZnO:Zr薄膜表面形貌、结构、电学和光学性能的影响。溅射功率对ZnO:Zr薄膜的电阻率影响显著:当溅射功率从60W增加到90W时,薄膜的电阻率先减小后增大,在最佳功率80W时,电阻率具有最小值3.67×10-3Ω·cm。所制备的ZnO:Zr薄膜具有良好的附着性能,在可见光区平均透射率高达90%。

衬底偏压对ZnO:Zr薄膜结构及光电性能的影响

以Zn:Zr(Zr片贴在金属Zn靶上面)为溅射靶材,利用直流反应磁控溅射法在Ar/O2混合气氛中制备Zr掺杂ZnO(ZnO:Zr)薄膜.在制备ZnO:Zr薄膜时,衬底偏压在0～60V之间变化.研究结果表明,衬底偏压对薄膜的结构、光学及电学性能有很大影响.当衬底偏压从0增大到60V时,薄膜的平均光学透过率和平均折射率都单调增大,而薄膜的晶粒尺寸先增大后减小.ZnO:Zr薄膜电阻率的变化规律与晶粒尺寸相反.

透明导电薄膜ZnO:Zr的反应磁控溅射法制备及表征

以Zn金属靶和Zr金属片组成的Zn:Zr为靶材,利用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备ZnO:Zr透明导电薄膜。研究了靶与衬底之间的距离对所制备薄膜结构和性能的影响。实验制备的ZnO:Zr薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有与衬底方向垂直的c轴择优取向。实验结果表明,靶与衬底之间的距离对ZnO:Zr薄膜的结构、生长速率、密度及电学性能有很大影响。靶与衬底之间的最佳距离为6.0cm,在此条件下制备的ZnO:Zr薄膜具有最小电阻率1.78×10-3Ω.cm,其可见光透过率为88.5%,折射率为2.04。