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薄膜厚度和溅射功率对有机衬底上ZnO∶Ga薄膜应力的影响
被引量:
5
1
作者
张哲浩
吕建国
+1 位作者
江庆军
叶志镇
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期348-352,366,共6页
在室温(RT)下,采用直流(DC)磁控溅射在聚碳酸酯(PC)衬底上制备Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)与基片曲率方法研究薄膜的残余应力。提出并讨论了厚度和溅射功率对GZO薄膜的应力影响并证实所有薄膜的应力均是压缩应力。研究表明...
在室温(RT)下,采用直流(DC)磁控溅射在聚碳酸酯(PC)衬底上制备Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)与基片曲率方法研究薄膜的残余应力。提出并讨论了厚度和溅射功率对GZO薄膜的应力影响并证实所有薄膜的应力均是压缩应力。研究表明随着薄膜厚度的增加,外应力可以得到充分释放。而溅射功率的变化可以改变GZO薄膜的应力和晶粒尺寸。研究表明溅射功率在140W的条件下制备的厚度225nm薄膜具有最大的晶粒尺寸和最小的压缩应力。结果表明改变溅射参数,比如溅射功率和薄膜厚度,GZO薄膜能够有效地释放应力。
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关键词
zno∶ga薄膜
应力
基片曲率法
直流磁控溅射
有机衬底
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职称材料
调制溅射气压对ZnO∶Ga薄膜结构与光电性能的影响
被引量:
2
2
作者
帅伟强
胡跃辉
+2 位作者
张效华
胡克艳
陈义川
《中国陶瓷》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期22-25,共4页
利用射频磁控溅射法分阶段调制溅射气压在石英衬底上沉淀ZnO∶Ga薄膜。实验分为四组,分别是0.7 Pa/1Pa,1 Pa/1 Pa,1.5 Pa/1 Pa,2 Pa/1 Pa。对样品的晶体微结构,电学性质和光学性质进行了分析。经过表征发现:不同溅射气压状态下ZnO∶Ga...
利用射频磁控溅射法分阶段调制溅射气压在石英衬底上沉淀ZnO∶Ga薄膜。实验分为四组,分别是0.7 Pa/1Pa,1 Pa/1 Pa,1.5 Pa/1 Pa,2 Pa/1 Pa。对样品的晶体微结构,电学性质和光学性质进行了分析。经过表征发现:不同溅射气压状态下ZnO∶Ga薄膜都具有(002)方向的择优取向,呈ZnO的六角纤锌矿晶体结构;第一阶段溅射低气压时候的样品的电阻率较低;可见光透过率随着第一阶段溅射气压的升高不断降低;PL分析时,不同的气压状态下都出现紫外发光峰和蓝色发光峰,随着第一段溅射气压的升高样品本征发光峰和缺陷发光峰都加强。
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关键词
磁控溅射
zno∶ga薄膜
调制
溅射气压
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职称材料
题名
薄膜厚度和溅射功率对有机衬底上ZnO∶Ga薄膜应力的影响
被引量:
5
1
作者
张哲浩
吕建国
江庆军
叶志镇
机构
硅材料国家重点实验室浙江大学材料科学与工程学院
材料科学系金日成综合大学
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期348-352,366,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(51172204)
文摘
在室温(RT)下,采用直流(DC)磁控溅射在聚碳酸酯(PC)衬底上制备Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)与基片曲率方法研究薄膜的残余应力。提出并讨论了厚度和溅射功率对GZO薄膜的应力影响并证实所有薄膜的应力均是压缩应力。研究表明随着薄膜厚度的增加,外应力可以得到充分释放。而溅射功率的变化可以改变GZO薄膜的应力和晶粒尺寸。研究表明溅射功率在140W的条件下制备的厚度225nm薄膜具有最大的晶粒尺寸和最小的压缩应力。结果表明改变溅射参数,比如溅射功率和薄膜厚度,GZO薄膜能够有效地释放应力。
关键词
zno∶ga薄膜
应力
基片曲率法
直流磁控溅射
有机衬底
Keywords
ga
doped
zno
stress
wafer curvature method
DC magnetron sputtering
polymer substrate
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
调制溅射气压对ZnO∶Ga薄膜结构与光电性能的影响
被引量:
2
2
作者
帅伟强
胡跃辉
张效华
胡克艳
陈义川
机构
景德镇陶瓷大学机械电子工程学院
出处
《中国陶瓷》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期22-25,共4页
基金
江西省科技支撑计划资助项目(2010BGA01100)
江西省对外合作资助项目(20111BDH80031
+7 种基金
20132BDH80025)
江西省自然基金资助项目(20111BAB202005
20132BAB202001)
江西省主要学科学术和技术带头人培养计划项目(20123BCB22002)
江西省高等学校科技落地计划(KJLD12085)
江西省教育厅科技资助项目(GJJ12494
GJJ13643
GJJ13625)
文摘
利用射频磁控溅射法分阶段调制溅射气压在石英衬底上沉淀ZnO∶Ga薄膜。实验分为四组,分别是0.7 Pa/1Pa,1 Pa/1 Pa,1.5 Pa/1 Pa,2 Pa/1 Pa。对样品的晶体微结构,电学性质和光学性质进行了分析。经过表征发现:不同溅射气压状态下ZnO∶Ga薄膜都具有(002)方向的择优取向,呈ZnO的六角纤锌矿晶体结构;第一阶段溅射低气压时候的样品的电阻率较低;可见光透过率随着第一阶段溅射气压的升高不断降低;PL分析时,不同的气压状态下都出现紫外发光峰和蓝色发光峰,随着第一段溅射气压的升高样品本征发光峰和缺陷发光峰都加强。
关键词
磁控溅射
zno∶ga薄膜
调制
溅射气压
Keywords
Magnetron sputtering
zno
:
ga
films
Modulation, Sputtering pressure
分类号
TQ174.756 [化学工程—陶瓷工业]
O484.41 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
薄膜厚度和溅射功率对有机衬底上ZnO∶Ga薄膜应力的影响
张哲浩
吕建国
江庆军
叶志镇
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2016
5
下载PDF
职称材料
2
调制溅射气压对ZnO∶Ga薄膜结构与光电性能的影响
帅伟强
胡跃辉
张效华
胡克艳
陈义川
《中国陶瓷》
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
下载PDF
职称材料
已选择
0
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