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衬底温度对直流磁控溅射法沉积ZnO∶Ti薄膜性能的影响 被引量:14
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作者 刘汉法 张化福 +2 位作者 郭美霞 史晓菲 周爱萍 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期95-99,共5页
利用直流磁控溅射工艺,在石英玻璃衬底上沉积出了具有高度C轴择优取向的掺Ti氧化锌(ZnO∶Ti,TZO)透明导电薄膜。研究了衬底温度对TZO薄膜应力、结构和光电性能的影响。结果表明,衬底温度对TZO薄膜的结构、应力和电阻率有重要影响。TZO... 利用直流磁控溅射工艺,在石英玻璃衬底上沉积出了具有高度C轴择优取向的掺Ti氧化锌(ZnO∶Ti,TZO)透明导电薄膜。研究了衬底温度对TZO薄膜应力、结构和光电性能的影响。结果表明,衬底温度对TZO薄膜的结构、应力和电阻率有重要影响。TZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜。在衬底温度为100℃时,实验获得的TZO薄膜电阻率具有最小值2.95×10-4Ω.cm,400℃时薄膜出现孪晶,随着温度的升高,薄膜应力具有减小的趋势。实验制备的TZO薄膜附着性能良好,可见光区平均透过率都超过91%。 展开更多
关键词 zno∶ti薄膜 透明导电薄膜 衬底温度 磁控溅射
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钛掺杂对ZnO∶Ti透明导电薄膜性能的影响 被引量:7
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作者 顾锦华 汪浩 +4 位作者 兰椿 钟志有 孙奉娄 杨春勇 侯金 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期845-851,共7页
以不同钛掺杂含量的氧化锌陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射工艺在玻璃基片上沉积了Ti掺ZnO(TZO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、分光光度计和霍尔效应测试系统,研究了钛掺杂含量对TZO薄膜微观结构和光电特性的影响。结果表明:所有TZ... 以不同钛掺杂含量的氧化锌陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射工艺在玻璃基片上沉积了Ti掺ZnO(TZO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、分光光度计和霍尔效应测试系统,研究了钛掺杂含量对TZO薄膜微观结构和光电特性的影响。结果表明:所有TZO薄膜均为六角纤锌矿结构,并且具有(002)择优取向,钛掺杂含量对薄膜性能具有明显的影响。当钛掺杂含量为3wt%时,TZO薄膜的结晶质量最好、可见光平均透过率最高、电阻率最低、品质因数最大(748.15 S/cm),具有最佳的光电综合性能。TZO薄膜的光学带隙随钛掺杂含量增加而单调增大。 展开更多
关键词 磁控溅射 zno∶ti 透明导电薄膜
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ZnO∶Ti透明导电薄膜的制备与光电性能研究 被引量:1
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作者 刘汉法 袁玉珍 +2 位作者 张化福 袁长坤 类成新 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期41-43,53,共4页
采用直流磁控溅射法,在水冷7059玻璃衬底上制备了具有高透射率和相对低电阻率的掺钛氧化锌(ZnO∶Ti)透明导电薄膜,研究了溅射偏压对ZnO∶Ti薄膜结构、形貌和光电性能的影响。结果表明,ZnO∶Ti薄膜为六角纤锌矿多晶结构,具有c轴择优取向... 采用直流磁控溅射法,在水冷7059玻璃衬底上制备了具有高透射率和相对低电阻率的掺钛氧化锌(ZnO∶Ti)透明导电薄膜,研究了溅射偏压对ZnO∶Ti薄膜结构、形貌和光电性能的影响。结果表明,ZnO∶Ti薄膜为六角纤锌矿多晶结构,具有c轴择优取向。溅射偏压对ZnO∶Ti薄膜的结构和电阻率有重要影响。当溅射偏压为10V时,电阻率具有最小值1.90×10–4?.cm。薄膜具有良好的附着性能,可见光区平均透射率超过90%。该ZnO∶Ti薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极。 展开更多
关键词 zno∶ti 透明导电薄膜 偏压 磁控溅射
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液相法直接制备Ti-ZnO及其光催化性能研究 被引量:1
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作者 弓莹 高雯雯 +1 位作者 焦玉荣 刘慧瑾 《当代化工》 CAS 2017年第7期1315-1317,1321,共4页
以硫酸氧钛、醋酸锌、氢氧化钠为出发原料,在醇水溶液体系中,通过液相法直接制备了尺寸为25 nm的Ti-ZnO纳米晶体,ZnO为纤锌矿结构。Ti-ZnO显示出优异的光催化性能,在紫外灯照6 h后,Ti-ZnO对甲基橙的降解率达到97.34%。
关键词 zno ti掺杂 光催化
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缓冲层厚度对Ti/Si模板上生长ZnO薄膜的影响 被引量:1
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作者 李璠 李冬梅 +4 位作者 戴江南 王立 蒲勇 方文卿 江风益 《南昌大学学报(理科版)》 CAS 北大核心 2007年第2期181-185,共5页
采用常压MOCVD法,以二乙基锌和去离子水为源,在不同厚度的ZnO缓冲层上生长了一组ZnO薄膜。分别采用X射线衍射(XRD)、干涉显微镜和光致发光谱(PL)对样品的结晶性能、表面形貌和发光性能进行分析,结果表明,随着缓冲层的引入,ZnO外延膜的... 采用常压MOCVD法,以二乙基锌和去离子水为源,在不同厚度的ZnO缓冲层上生长了一组ZnO薄膜。分别采用X射线衍射(XRD)、干涉显微镜和光致发光谱(PL)对样品的结晶性能、表面形貌和发光性能进行分析,结果表明,随着缓冲层的引入,ZnO外延膜的质量得到很大提高,缓冲层的厚度对外延ZnO薄膜的质量有很大的影响,当缓冲层厚度为60 nm时,ZnO薄膜的结晶性能最好,表现出高度的择优取向,(002)面的ω摇摆曲线半峰全宽仅为1.72°,其表面平整,表现出二维生长的趋势,室温光致发光谱中只有与自由激子复合有关的近紫外发光峰,几乎观察不到与缺陷有关的深能级发光。 展开更多
关键词 zno 缓冲层 ti/Si模板 MOCVD
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Ti掺杂ZnO纳米薄膜的微结构/生长取向程度及其光致发光特性研究 被引量:2
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作者 马书懿 刘静 +2 位作者 赵强 张小雷 李发明 《西北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2013年第3期34-39,共6页
采用射频(RF)反应磁控溅射技术在Si衬底上分别制备了具有(100)方向生长的ZnO薄膜和Ti掺杂ZnO薄膜(ZnO∶Ti).利用X射线衍射(XRD)和光致荧光发光(PL)表征技术,研究了不同Ti掺杂浓度对ZnO薄膜微观结构和光学性能的影响.结果显示,Ti掺杂前后... 采用射频(RF)反应磁控溅射技术在Si衬底上分别制备了具有(100)方向生长的ZnO薄膜和Ti掺杂ZnO薄膜(ZnO∶Ti).利用X射线衍射(XRD)和光致荧光发光(PL)表征技术,研究了不同Ti掺杂浓度对ZnO薄膜微观结构和光学性能的影响.结果显示,Ti掺杂前后ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,同时均表现出沿(100)方向的择优生长特性;掺入2%Ti元素后薄膜的织构系数Tc(100)明显增加,表明Ti的掺入对ZnO薄膜的结晶取向程度有一定影响.与未掺杂的ZnO薄膜相比,ZnO∶Ti薄膜的衍射峰发生宽化且峰强减小,薄膜的结晶质量下降.改变Ti的掺杂量,发现Si衬底上制备的薄膜发光强度和发光峰位随掺杂浓度发生相应的改变. 展开更多
关键词 ti掺杂zno薄膜 射频反应磁控溅射 X射线衍射 光致发光
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Ti/SnO_2/ZnO复合薄膜的制备及其光催化性能研究 被引量:1
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作者 魏守强 刘瑛 +2 位作者 曹琳琳 卢旭东 邵忠财 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2009年第1期5-8,共4页
以Ti/SnO2为基体,从Zn(NO3)2水溶液中阴极电沉积ZnO,制备了Ti/SnO2/ZnO复合薄膜,用X-射线衍射、扫描电子显微镜和紫外-可见漫反射吸收光谱对其进行了表征,以甲基橙为目标有机物,考察了其光催化活性。实验结果表明,Ti/SnO2/ZnO复合薄膜... 以Ti/SnO2为基体,从Zn(NO3)2水溶液中阴极电沉积ZnO,制备了Ti/SnO2/ZnO复合薄膜,用X-射线衍射、扫描电子显微镜和紫外-可见漫反射吸收光谱对其进行了表征,以甲基橙为目标有机物,考察了其光催化活性。实验结果表明,Ti/SnO2/ZnO复合薄膜的光催化活性明显高于Ti/ZnO薄膜,且其催化活性随ZnO的沉积时间而变化。对复合薄膜催化活性提高的原因进行了讨论。 展开更多
关键词 ti/SnO2/zno复合薄膜 电沉积 光催化活性
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[100]取向Al-Ti共掺杂ZnO薄膜的制备与光电性能研究 被引量:1
8
作者 江民红 刘心宇 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1101-1105,共5页
采用常压固相烧结法制备了Al-Ti共掺ZnO靶材,采用射频磁控溅射技术及真空退火工艺,在普通玻璃衬底上制备了具有[100]取向Al-Ti共掺杂ZnO薄膜(ZATO).采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对ZATO薄膜的生长机理、显微结构、形貌进行... 采用常压固相烧结法制备了Al-Ti共掺ZnO靶材,采用射频磁控溅射技术及真空退火工艺,在普通玻璃衬底上制备了具有[100]取向Al-Ti共掺杂ZnO薄膜(ZATO).采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对ZATO薄膜的生长机理、显微结构、形貌进行了测试分析,用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计及荧光光谱仪对ZATO薄膜的光电性能进行了测试分析.结果表明,ZATO薄膜经500℃保温3h退火后,择优取向由(002)向(100)方向转变;此时,衍射谱上还观察到超点阵衍射线条.[100]取向ZATO薄膜的光学带隙从退火前的3.29降至2.86,平均可见光透过率从90%降至70%,表现为一般的透过性;而电阻率则从1.89×10^(-2)Ω·cm降至1.25×10^(-3)Ω·cm,呈现较好的导电性.薄膜中均出现了380nm附近的带边发射(NBE)峰以及410、564nm的深能级发射峰,且经500℃保温3h退火后,这些峰的位置并未改变,但峰强均明显减弱.对上述实验机理进行了分析讨论. 展开更多
关键词 zno薄膜 ti-Al共掺杂 取向 光电性能
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退火过程中Ti^(4+)离子对低压ZnO陶瓷压敏性能的影响 被引量:1
9
作者 徐庆 陈文 +1 位作者 郜定山 袁润章 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2000年第3期13-18,共6页
本文对烧成后的掺TiO2 低压ZnO压敏陶瓷进行了退火处理 ,测量了不同退火温度下ZnO陶瓷的压敏性能 ,运用XRD、SEM等分析方法研究了退火过程中ZnO陶瓷结构的变化。研究结果表明 ,退火过程中Ti4+离子取代Zn2 +离子而固溶进入ZnO晶粒表面 ,... 本文对烧成后的掺TiO2 低压ZnO压敏陶瓷进行了退火处理 ,测量了不同退火温度下ZnO陶瓷的压敏性能 ,运用XRD、SEM等分析方法研究了退火过程中ZnO陶瓷结构的变化。研究结果表明 ,退火过程中Ti4+离子取代Zn2 +离子而固溶进入ZnO晶粒表面 ,是引起ZnO陶瓷压敏性能变化的主要原因 ,在退火温度不超过 40 0℃时可获得较好的压敏性能。 展开更多
关键词 压敏性 退火 氧化锌陶瓷 钛离子 烧成
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氧氩比对Ti掺杂ZnO薄膜结构和光电性能的影响
10
作者 高倩 黄美东 +4 位作者 王小龙 张建鹏 王萌萌 陈泽昊 王宇 《天津师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2015年第2期37-41,共5页
为优化Zn O∶Ti复合薄膜制备工艺,采用射频磁控溅射法在不同氧氩比条件下沉积Zn O∶Ti复合薄膜,得到的样品经由EDS能谱仪检测Ti掺杂质量分数为3%.分别利用台阶仪、扫描电子显微镜、X线衍射仪、分光光度计和霍尔效应仪对样品的沉积速率... 为优化Zn O∶Ti复合薄膜制备工艺,采用射频磁控溅射法在不同氧氩比条件下沉积Zn O∶Ti复合薄膜,得到的样品经由EDS能谱仪检测Ti掺杂质量分数为3%.分别利用台阶仪、扫描电子显微镜、X线衍射仪、分光光度计和霍尔效应仪对样品的沉积速率、微观结构和光电性能进行表征.结果表明:随着氧氩比逐渐增大,薄膜的沉积速率呈现先增加后减小的变化.所有Zn O∶Ti薄膜均为六角纤锌矿结构,具有(002)晶面择优取向;当氧氩比为1∶1时,薄膜样品的表面形貌和结构优于其他样品.经过在空气中500℃的退火处理,薄膜样品的结晶质量明显提高.所有Zn O∶Ti薄膜在可见光区透过率均大于90%.随着氧氩比的增加,薄膜样品的电阻率先减小后增加,当氧氩比为1∶1时,电阻率最小,为6.5×10-4Ω·cm,薄膜的综合性能达到最优. 展开更多
关键词 zno:ti薄膜 磁控溅射 光电性能 氧氩比
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Effect of Zn and Ti mole ratio on microstructure and photocatalytic properties of magnetron sputtered TiO_2-ZnO heterogeneous composite film 被引量:2
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作者 白力静 寇钢 +1 位作者 龚振瑶 赵志明 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第12期3643-3649,共7页
Series of TiO 2-ZnO heterojunction composite films with different n(Zn)/n(Ti) ratios were prepared by UDP450 magnetron sputter ion plating equipment, and the mole ratio of Zn to Ti was controlled by adjusting the ... Series of TiO 2-ZnO heterojunction composite films with different n(Zn)/n(Ti) ratios were prepared by UDP450 magnetron sputter ion plating equipment, and the mole ratio of Zn to Ti was controlled by adjusting the current values of sputtering target. The effects of n(Zn)/n(Ti) on the microstructures of TiO2-ZnO films were investigated by SEM, AFM, Raman and XPS, and their photocatalytic decomposition of methyl orange solutions was evaluated. The results show that an increase in n(Zn)/n(Ti) typically results in a decrease in the grain size of composite films firstly and then an increase of grain size, while an increase in n(Zn)/n(Ti) leads to an increase in film roughness firstly and then a decrease in film roughness. Both grain size and roughness of TiO2-ZnO films reach the maximum and minimum at n(Zn)/n(Ti) of 1/9.3, respectively. The n(Zn)/n(Ti) shows little effect on the valences of Zn and Ti elements, which mainly exist in the form of TiO2 and ZnO phases. The n(Zn)/n(Ti) has influence on the amount of anatase/rutile TiO2 heterojunction in the film. With increase of the n(Zn)/n(Ti), the absorption intensity of the composite film increases and the absorption region extends to 450 nm, which is redshifted as much as 150 nm in comparison with the pure TiO2 films. However, the photocatalytic abilities of heterogeneous composite films do not depend on the n(Zn)/n(Ti) but rather on the microstructures of the TiO2-ZnO composite films. Degradation rate of the film reaches the maximum and the photocatalytic decomposition of pollutants works best when n(Zn)/n(Ti)=1:9.3. 展开更多
关键词 magnetron sputtering tiO2-zno thin films Zn to ti mole ratio MICROSTRUCTURE PHOTOCATALYtiC
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掺Ti对ZnO纳米颗粒的微观结构与光学特性的影响
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作者 张正中 刘昊 吴阳江 《原子与分子物理学报》 北大核心 2017年第6期1049-1054,共6页
本研究利用溶胶凝胶法制备了Ti_xZn_(1-x)O纳米粒子,并且分析了Ti掺杂对ZnO纳米粒子晶体结构与光学特性的影响.微观结构分析得知Ti掺杂会使ZnO结晶较差,晶格常数与压缩应力增大,但可使晶粒缩小至5 nm左右.光致发光(PL)光谱分析得出Ti掺... 本研究利用溶胶凝胶法制备了Ti_xZn_(1-x)O纳米粒子,并且分析了Ti掺杂对ZnO纳米粒子晶体结构与光学特性的影响.微观结构分析得知Ti掺杂会使ZnO结晶较差,晶格常数与压缩应力增大,但可使晶粒缩小至5 nm左右.光致发光(PL)光谱分析得出Ti掺杂会造成氧空位缺陷减少,近带边发光(NBE)峰值蓝移,但NBE峰值强度增幅变化却不大.拉曼光谱分析表明Ti_xZn_(1-x)O的结晶品质不佳且NBE峰值强度的增幅未完全依循多声子模态信号减弱而增强的规律,其原因是NBE峰值强度除受多声子模态信号影响外还受其它因素的影响.TC(002)值越高时样品的多声子模态信号会越弱,而NBE峰值强度增幅越大. 展开更多
关键词 氧化锌 纳米颗粒 钛掺杂 微观结构 光学特性
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磁控溅射功率对Ti掺杂ZnO薄膜结构和光电性能的影响
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作者 李园 黄美东 +2 位作者 张建鹏 杨明敏 高倩 《天津师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2016年第5期28-32,共5页
为了深入研究Ti掺杂ZnO薄膜的光电性能,采用射频磁控溅射技术在硅和玻璃基底上沉积Ti掺杂ZnO(TZO)薄膜.分别利用表面轮廓仪、X线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、UV-3600分光光度计和HMS-2000霍尔效应测试系统等表征手段分析溅射功率对... 为了深入研究Ti掺杂ZnO薄膜的光电性能,采用射频磁控溅射技术在硅和玻璃基底上沉积Ti掺杂ZnO(TZO)薄膜.分别利用表面轮廓仪、X线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、UV-3600分光光度计和HMS-2000霍尔效应测试系统等表征手段分析溅射功率对TZO薄膜微观结构及光电性能的影响.结果表明:溅射功率对薄膜样品沉积速率的影响呈现先升后降的趋势,对电阻率的影响正好相反.当溅射功率为100W时,薄膜的沉积速率最大,为7.96nm/min,此时电阻率为最小的1.02×10-3Ω·cm;所有TZO薄膜在可见光波段的平均透过率均高于80%,为透明导电薄膜.Ti掺杂后的ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构,具有良好的c轴择优取向,溅射功率为100W时其微观结构均匀、平整、致密,表面形貌最好. 展开更多
关键词 射频磁控溅射 溅射功率 ti掺杂TZO薄膜(TZO) 光电性能
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Ti掺杂ZnO光电性能的第一性原理研究 被引量:5
14
作者 曲灵丰 侯清玉 +1 位作者 许镇潮 赵春旺 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第15期180-188,共9页
在掺杂量为1.04 at%-1.39 at%的范围内,Ti掺杂ZnO体系吸收光谱分布和电导率的实验结果存在争议均有文献报道,但是,迄今为止,对此未有合理的理论解释.为了解决存在的争议,本文采用基于密度泛函理论的广义梯度近似平面波超软赝势GGA+U的方... 在掺杂量为1.04 at%-1.39 at%的范围内,Ti掺杂ZnO体系吸收光谱分布和电导率的实验结果存在争议均有文献报道,但是,迄今为止,对此未有合理的理论解释.为了解决存在的争议,本文采用基于密度泛函理论的广义梯度近似平面波超软赝势GGA+U的方法,用第一性原理构建了两种不同掺杂量Zn_(0.9792)Ti_(0.0208)O和Zn_(0.9722)Ti_(0.0278)O超胞模型,所有模型在几何结构优化的基础上,对能带结构分布,态密度分布和吸收光谱分布进行了计算.计算结果表明:在本文限定的掺杂量范围内,Ti掺杂量越增加,掺杂体系体积越增加,体系总能量越升高,体系稳定性越下降,形成能越升高,掺杂越难,掺杂体系布居值减小,Ti-O键长变长,共价键减弱,离子键增强,所有掺杂体系均转化为n型化简并半导体;掺杂体系带隙越变宽,吸收光谱蓝移越显著,电子有效质量越增加,电子浓度越增加,电子迁移率越减小,电子电导率越减小,掺杂体系导电性能越差.计算结果与实验结果相符合.对存在的问题进行了合理的理论解释.对Ti掺杂ZnO光电功能材料的设计和制备有一定的理论指导作用. 展开更多
关键词 ti掺杂zno 吸收光谱分布 电导率 第一性原理
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基于柔性衬底的Ti、F共掺ZnO透明导电薄膜的制备及其性能研究 被引量:1
15
作者 邓皓谦 赵文达 +2 位作者 杜小琴 晏忠 吴晓京 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期963-969,共7页
为了制备出高性能的可挠透明导电薄膜,采用脉冲激光沉积技术在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底上制备了Ti、F共掺的Zn O(TFZO)透明导电薄膜。研究了不同衬底温度、氧分压及F的掺杂量对TFZO薄膜电学性能和光学性能的影响。实验结果表明,... 为了制备出高性能的可挠透明导电薄膜,采用脉冲激光沉积技术在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底上制备了Ti、F共掺的Zn O(TFZO)透明导电薄膜。研究了不同衬底温度、氧分压及F的掺杂量对TFZO薄膜电学性能和光学性能的影响。实验结果表明,在衬底温度为150℃,氧分压为0.5 Pa,Ti、F掺杂量各为1%(原子比)时,制备的TFZO薄膜的电阻率达到1.69×10-3Ω·cm,可见光范围内平均透过率为81%。对薄膜进行弯曲可靠性测试和疲劳测试,向内、向外弯曲半径大于10mm时,薄膜电阻基本没有变化,在15 mm条件下弯曲1000次后薄膜亦无明显的电阻变化。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 ti、F共掺杂zno PET柔性衬底 脉冲激光沉积
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(Ti/ZnO)_(N)成分调制纳米多层膜的结构与透光导电性研究 被引量:1
16
作者 牛犇 吴隽 +5 位作者 王凯丰 黄成斌 付豪 祝柏林 李涛涛 姚亚刚 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第8期1478-1484,共7页
采用射频(RF)和单极中频直流脉冲磁控溅射方法,在玻璃基板上制备了(Ti/ZnO)_(N)成分调制纳米多层膜,并研究了调制周期数对其结构及透光导电性能的影响。通过X射线衍射、拉曼光谱、原子力显微镜、紫外可见吸收光谱以及霍尔效应测试结果表... 采用射频(RF)和单极中频直流脉冲磁控溅射方法,在玻璃基板上制备了(Ti/ZnO)_(N)成分调制纳米多层膜,并研究了调制周期数对其结构及透光导电性能的影响。通过X射线衍射、拉曼光谱、原子力显微镜、紫外可见吸收光谱以及霍尔效应测试结果表明:(Ti/ZnO)_(N)成分调制纳米多层膜以(002)取向的纤锌矿型ZnO结构为主,具有明确的成分调制结构,各Ti层和各ZnO层厚度均匀连续,各界面平整且无明显扩散。在可见光范围的平均透光率大于85%,电阻率最小可达到2.63×10^(-2)Ω·cm。 展开更多
关键词 磁控溅射 (ti/zno)_(N) 调制周期数 透光率 电性能
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Ti基ZnO纳米棒阵列的制备及其光催化性能研究 被引量:2
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作者 杨加明 韩玲军 +1 位作者 钟丽萍 梁镇海 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期288-292,共5页
采用两电极体系恒电流电沉积法在Ti基底上制得较均一的ZnO纳米棒阵列,利用SEM和XRD观察表征样品,研究Zn(NO3)2浓度及电流密度对ZnO纳米棒阵列微观形貌的影响.以甲基橙为目标降解物,考察该电极光催化性能.结果表明,Zn(NO3)2浓度和电流密... 采用两电极体系恒电流电沉积法在Ti基底上制得较均一的ZnO纳米棒阵列,利用SEM和XRD观察表征样品,研究Zn(NO3)2浓度及电流密度对ZnO纳米棒阵列微观形貌的影响.以甲基橙为目标降解物,考察该电极光催化性能.结果表明,Zn(NO3)2浓度和电流密度对纳米棒阵列的形貌有显著影响;与ITO玻璃等其他基底相比,在Ti基底上也可沉积较好均一取向的ZnO纳米棒阵列;紫外灯照射下,ZnO/Ti电极对甲基橙(10 mg·L-1)模拟印染废水降解2.5 h,降解率达到83.3%,光催化活性较佳;无光照时ZnO纳米棒的降解率仅7%. 展开更多
关键词 zno纳米棒阵列 恒电流电沉积 ti基底 光催化 甲基橙
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种植体表面Ti-ZnO纳米复合涂层的抗菌性能研究
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作者 季震宇 马迅 +6 位作者 刘平 王静静 马凤仓 张柯 陈小红 刘剑楠 李伟 《材料保护》 CAS CSCD 2023年第2期1-8,共8页
为预防种植体周围炎的发生,采用反应磁控溅射法在纯Ti片表面制备了Ti-ZnO纳米复合涂层,通过改变Ti靶材与ZnO靶材的拼接比例,研究纳米ZnO含量对涂层微观结构和抗菌性能的影响。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(... 为预防种植体周围炎的发生,采用反应磁控溅射法在纯Ti片表面制备了Ti-ZnO纳米复合涂层,通过改变Ti靶材与ZnO靶材的拼接比例,研究纳米ZnO含量对涂层微观结构和抗菌性能的影响。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、JC2000C1界面张力测量仪对样品进行微观组织的表征以及粗糙度和润湿性能的测量,通过电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)对涂层中的Zn离子释放进行测试,通过CCK-8法对涂层进行细胞毒性测试,通过平板涂布计数法对涂层进行抗菌性能评价。结果表明:当Ti靶材与ZnO靶材的拼接比例为95∶5时,Ti-ZnO涂层的纳米ZnO含量最多,涂层的粗糙度以及与液相接触角达到最大值,分别为0.547 nm和101.25°,涂层无细胞毒性,符合生物安全性材料的标准,涂层的抗菌性能最佳,涂层的抑菌率达到了91.05%。 展开更多
关键词 ti-zno涂层 ti 微观组织 细胞毒性 抗菌性能
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Ti/ZnO/C复合材料的制备及其在处理四环素类废水中的应用 被引量:2
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作者 张发涛 张泽秒 +2 位作者 何祎 黄海飞 王丽苹 《有色金属工程》 CAS 北大核心 2022年第2期31-39,共9页
以MOF-5为模板,采用浸渍法和焙烧法制备了一种Ti/ZnO/C复合材料,并应用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、紫外-可见漫反射光谱(UV-vis DRS)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、N_(2)吸附-脱附技术等多种方法对Ti/ZnO/C的结... 以MOF-5为模板,采用浸渍法和焙烧法制备了一种Ti/ZnO/C复合材料,并应用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、紫外-可见漫反射光谱(UV-vis DRS)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、N_(2)吸附-脱附技术等多种方法对Ti/ZnO/C的结构、形貌、成分、光谱性质等进行了分析。结果表明,Ti/ZnO/C是一种介孔材料,BET比表面积为123 m^(2)/g,孔径为2.56 nm。C的复合使ZnO的禁带宽度从3.25 eV降至2.88 eV,极大地增加了ZnO的光响应范围。Ti^(4+)的复合可抑制ZnO晶粒长大,增加ZnO的表面羟基数量。研究了Ti/ZnO/C对四环素(TC)、土霉素(OTC)和强力霉素(DC)的降解性能,并与ZnO和ZnO/C进行了比较。结果显示,Ti/ZnO/C是一种良好的光催化材料,TC、DC和OTC的降解率分别为99.2%、95.1%和84.7%。 展开更多
关键词 抗生素 降解 MOF-5 介孔ti/zno/C 催化
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Ti缓冲层对ZnO薄膜吸收特性和荧光光谱的影响
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作者 张小雷 马书懿 +6 位作者 杨付超 黄新丽 马李刚 李发明 赵强 刘静 靳钰珉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第24期3337-3340,共4页
采用射频磁控溅射法在Si衬底和玻璃衬底上制备了ZnO/Ti薄膜,利用紫外-可见分光光度计和荧光分光光度计等技术表征了ZnO/Ti薄膜的光学特性,研究了Ti缓冲层的厚度对ZnO薄膜的影响。透射吸收光谱显示所有ZnO薄膜在可见光区域的平均透过率超... 采用射频磁控溅射法在Si衬底和玻璃衬底上制备了ZnO/Ti薄膜,利用紫外-可见分光光度计和荧光分光光度计等技术表征了ZnO/Ti薄膜的光学特性,研究了Ti缓冲层的厚度对ZnO薄膜的影响。透射吸收光谱显示所有ZnO薄膜在可见光区域的平均透过率超过80%,当引入缓冲层后,薄膜的紫外吸收边先向长波方向移动,且随着缓冲层厚度的增加紫外吸收边向短波方向移动。薄膜的荧光光谱显示,所有样品出现了位于390nm的紫外发光峰,435和487nm的蓝光双峰以及525nm的绿光峰,并对各发光峰的来源进行了探讨。 展开更多
关键词 ti缓冲层 紫外-可见光吸收光谱 荧光光谱 zno薄膜 磁控溅射
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