ZnO半导体薄膜的研究进展

介绍了制备氧化锌薄膜的几种主要方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法等;分析了氧化锌薄膜作为代替透明导电膜(ITO膜)的可行性及这方面的研究进展;阐述了氧化锌薄膜作为一种新的场发射阴极材料应用于平板显示或作为场发射电子源的研究进展,同时综述了其作为发光器件的众多优势。

半导体(ZnO)薄膜射频磁控溅镀工艺控制参数研究

氧化锌(ZnO)是一种用途广泛用途的新型半导体材料,具有优良的电学和光学特性,是制备半导体发光器和半导体激光器的理想材料。其制备方法有很多,射频磁控溅镀法因膜层结构均匀、致密、性能良好而被广泛应用。本文研究了溅镀压力、氧气浓度、溅镀功率和基板温度对溅镀工艺的影响,得出了最佳控制参数,对溅镀工艺的提高,氧化锌(ZnO)薄膜电气性能的提升具有积极意义。

不同退火温度下Zn_(0.96)Co_(0.04)O薄膜的磁性研究

通过对磁控溅射方法制备的Zn_(0.96)Co_(0.04)O薄膜退火前后结构和磁性的研究发现,Co进入ZnO的晶格中并取代了Zn的位置,形成稀磁半导体结构,显示了室温铁磁性。后期真空退火可以产生更多的氧空位,提高BMP之间发生交叠的几率,从而使磁矩增大。因此可以认为氧空位是产生磁性的必要条件,其磁性来源机制符合J.M.D.Coey的BMP模型。