CaCO_3对ZnO基压敏陶瓷的微观缺陷及电性能的影响

测量了不同CaCO3含量的ZnO-Bi2O3-Sb2O3-Co2O3-MnO2-Cr2O3-CaCO3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其I-V特性,研究了CaCO3对ZnO基压敏陶瓷的微观缺陷和电性能的影响。实验发现,含0.25%(摩尔分数)的CaCO3的ZnO基压敏陶瓷的缺陷浓度、基体和晶界缺陷的电子密度以及压敏电压比不含CaCO3的ZnO基压敏陶瓷的低。当CaCO3含量高于摩尔分数0.25%时,随着CaCO3含量的增加,ZnO基压敏陶瓷缺陷浓度、基体和晶界缺陷态的电子密度升高,从而导致其压敏电压和非线性系数增加,漏电流减小。

添加Bi2WO6对ZnO基压敏陶瓷电学性能的影响

用传统固相反应法研究了添加Bi2WO6(x=0%~9%,质量分数)对ZnO基压敏陶瓷的微观结构、压敏性能和介电性能的影响。结果表明:掺入适量的Bi2WO6能促进ZnO压敏陶瓷晶粒均匀生长、提高微观结构的均匀性、降低压敏场强和提高非线性系数;同时,Bi2WO6的添加可提高ZnO晶粒表面吸附氧的含量,从而提高界面态密度和势垒高度以及ZnO基压敏陶瓷的非线性特性。Bi2WO6的添加量为7%的ZnO基压敏陶瓷,其综合性能为:E1 mA=263 V/mm,a=53,JL=3.50μA/cm2,jb=11.52 eV。

微量Bi_2O_3对ZnVSnO基压敏陶瓷显微结构和电学非线性的影响

采用传统混合氧化物工艺在800℃经4小时烧结制备了0.01-0.2mol%Bi2O3掺杂的ZnO-V2O5-SnO2(ZnVSnO)基压敏陶瓷,采用电子天平、SEM、XRD和I-V测试仪研究了其密度、显微结构和电性能随Bi2O3含量的变化。结果表明:随Bi2O3含量升高,ZnVSnO基陶瓷密度变化不大,相对密度均超过了98%;样品均由ZnO主晶相和少量的Zn2SnO4、Bi2Sn2O7第二相组成,但平均晶粒直径从2.13μm降到1.54μm,样品的压敏场强和非线性系数随之升高。当Bi2O3掺杂量为0.2mol%时样品性能最优,其压敏场强、非线性系数和漏电流密度分别为2842V/mm、51.2和0.0925mA/cm2。