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直流反应磁控溅射预制ZnO晶种层工艺参数优化
被引量:
7
1
作者
丁雨田
张杨
+2 位作者
王璟
胡勇
陈小焱
《兰州理工大学学报》
CAS
北大核心
2012年第4期1-4,共4页
采用直流反应磁控溅射法,在不同O2/Ar分压比(1∶3、1∶4),不同溅射功率密度(24、40、48W/cm2)及不同热处理温度(400、800℃)条件下制备出ZnO晶种层,研究O2/Ar分压比、溅射功率及热处理的最佳工艺,对制备的晶种层微观形貌和结构进行SEM、...
采用直流反应磁控溅射法,在不同O2/Ar分压比(1∶3、1∶4),不同溅射功率密度(24、40、48W/cm2)及不同热处理温度(400、800℃)条件下制备出ZnO晶种层,研究O2/Ar分压比、溅射功率及热处理的最佳工艺,对制备的晶种层微观形貌和结构进行SEM、AFM、XRD表征,分析磁控溅射相关工艺参数对预制ZnO晶种层的影响机理,发现在O2/Ar分压比为1∶4,溅射功率密度为40W/cm2及800℃热处理条件下制备的ZnO晶种层质量最优.
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关键词
反应磁控溅射
zno晶种层
沉积工艺
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职称材料
题名
直流反应磁控溅射预制ZnO晶种层工艺参数优化
被引量:
7
1
作者
丁雨田
张杨
王璟
胡勇
陈小焱
机构
兰州理工大学甘肃省有色金属新材料重点实验室
出处
《兰州理工大学学报》
CAS
北大核心
2012年第4期1-4,共4页
文摘
采用直流反应磁控溅射法,在不同O2/Ar分压比(1∶3、1∶4),不同溅射功率密度(24、40、48W/cm2)及不同热处理温度(400、800℃)条件下制备出ZnO晶种层,研究O2/Ar分压比、溅射功率及热处理的最佳工艺,对制备的晶种层微观形貌和结构进行SEM、AFM、XRD表征,分析磁控溅射相关工艺参数对预制ZnO晶种层的影响机理,发现在O2/Ar分压比为1∶4,溅射功率密度为40W/cm2及800℃热处理条件下制备的ZnO晶种层质量最优.
关键词
反应磁控溅射
zno晶种层
沉积工艺
Keywords
reactive magnetron sputtering
zno
seed-layer
deposition processing
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
直流反应磁控溅射预制ZnO晶种层工艺参数优化
丁雨田
张杨
王璟
胡勇
陈小焱
《兰州理工大学学报》
CAS
北大核心
2012
7
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职称材料
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参考文献
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