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Structural and opto-electrical properties of pyrolized ZnO-CdO crystalline thin films 被引量:1
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作者 A.M.M.Tanveer Karim M.K.R.Khan M.Mozibur Rahman 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2015年第5期1-7,共7页
A series of ZnO-CdO thin films of different molar ratios of Zn and Cd have been deposited on glass sub- strate at substrate temperature -360℃ by the spray pyrolysis technique at an ambient atmosphere. X-ray diffracti... A series of ZnO-CdO thin films of different molar ratios of Zn and Cd have been deposited on glass sub- strate at substrate temperature -360℃ by the spray pyrolysis technique at an ambient atmosphere. X-ray diffraction (XRD) studies confirmed the polycrystalline nature of the film and modulated crystal structures ofwurtzite (ZnO) and cubic (CdO) are formed. The evaluated lattice parameters, and crystallite size are consistent with literature. Dislocation density and strain increased in the film as the grain sizes of ZnO and CdO are decreased. The band gap energy varies from 3.20 to 2.21 eV depending on the Zn/Cd ratios in the film. An incident photon intensity dependent I-V study confirmed that the films are highly photosensitive. Current increased with the increase of the intensity of the light beam. The optical conductivity and the optical constants, such as extinction coefficient, refractive index and complex dielectric constants are evaluated from transmittance and reflectance spectra of the films and these parameters are found to be sensitive to photon energy and displayed intermediate optical properties between ZnO and CdO, making it preferable for applications as the buffer and window layers in solar cells. 展开更多
关键词 zno-cdo buffer layers XRD spray pyrolysis
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核-壳CdO/ZnO量子点的制备及其光学特性研究 被引量:2
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作者 隋成华 韦成军 +5 位作者 蔡萍根 张庆彬 鄢波 吕斌 魏高尧 李芸 《浙江工业大学学报》 CAS 2014年第3期326-329,共4页
量子点由于其独特的物理和化学方面的特性,正在成为物理学、生物学和材料科学等领域的研究热点.采用热注入法分解前驱体制备高品质的CdO/ZnO核壳型量子点,研究了相应的能带结构和光学特性.首先,采用水浴法(5℃)将铜铁试剂分别与醋酸镉... 量子点由于其独特的物理和化学方面的特性,正在成为物理学、生物学和材料科学等领域的研究热点.采用热注入法分解前驱体制备高品质的CdO/ZnO核壳型量子点,研究了相应的能带结构和光学特性.首先,采用水浴法(5℃)将铜铁试剂分别与醋酸镉和醋酸锌混合搅拌后生成镉和锌的铜铁试剂,利用已制备得到的镉的铜铁试剂生成CdO量子点作为核,再分解锌的铜铁试剂在CdO量子点表面生长ZnO壳层,从而制备出结晶良好的CdO/ZnO核壳型量子点.通过X射线衍射(XRD)对量子点进行了物相分析,通过透射电镜(TEM)对量子点进行了微观结构的分析,通过荧光光谱对量子点进行了能带变化的分析和通过紫外-可见光吸收光谱对量子点进行了吸收边的分析,一系列的分析表征证明了核壳结构的生成. 展开更多
关键词 量子点 氧化镉 氧化镉/氧化锌核壳结构 发光动力学
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稀土Dy掺杂对ZnO,CdO和SnO_2薄膜性能的影响 被引量:2
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作者 韩菲 李健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第12期936-942,共7页
用热蒸发法和热处理制备稀土Dy掺杂金属氧化物CdO,ZnO和SnO2薄膜,研究不同Dy掺杂浓度及热处理对3种薄膜性能的影响。XRD和SEM测试结果显示:适当的Dy掺杂和热处理可改善薄膜的结构特性,使薄膜表面的致密性变好。CdO,ZnO和SnO2薄膜的最佳... 用热蒸发法和热处理制备稀土Dy掺杂金属氧化物CdO,ZnO和SnO2薄膜,研究不同Dy掺杂浓度及热处理对3种薄膜性能的影响。XRD和SEM测试结果显示:适当的Dy掺杂和热处理可改善薄膜的结构特性,使薄膜表面的致密性变好。CdO,ZnO和SnO2薄膜的最佳掺Dy原子数分数为5%,5%和3%。掺Dy后Cd O,ZnO和SnO2薄膜的导电类型均为n型,电阻值降低约一个数量级。Dy掺杂使得薄膜的致密性增加而导致光透过率降低。制备的薄膜都是直接带隙半导体,相应的光学带隙:Cd O约2.232 eV,CdO∶Dy(Dy原子数分数5%)的略增为2.241 e V,ZnO薄膜约为3.31 eV;ZnO∶Dy(Dy原子数分数5%)约3.25 eV,SnO2薄膜约3.07 eV,SnO2∶Dy(Dy原子数分数3%)约3.03 eV。 展开更多
关键词 热蒸发 CDO ZNO SNO2 薄膜 稀土Dy掺杂 热处理
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CdO-ZnO复合薄膜的光电学特性研究
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作者 金健 栾书多 顾广瑞 《延边大学学报(自然科学版)》 CAS 2021年第2期126-130,共5页
采用磁控溅射技术制备了不同原子百分比的CdO-ZnO复合薄膜,并利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见近红外分光光度计、四探针电阻测试仪研究了薄膜的结构和光电学特性.研究表明:适量增加CdO掺杂量可提高薄膜在近红外区域的透射率;... 采用磁控溅射技术制备了不同原子百分比的CdO-ZnO复合薄膜,并利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见近红外分光光度计、四探针电阻测试仪研究了薄膜的结构和光电学特性.研究表明:适量增加CdO掺杂量可提高薄膜在近红外区域的透射率;CdO-ZnO复合薄膜的光学带隙和电阻率随CdO含量的增加而减小,且当CdO和ZnO的原子百分比为4:1时薄膜的带隙和电阻率分别为2.09eV和10.79×10^(-3)Ω·cm.该研究结果可为制备高导电性和高透过率的薄膜提供参考. 展开更多
关键词 CdO-ZnO复合薄膜 磁控溅射 掺杂 光学性能 电学性能
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Zn掺杂CdO薄膜的溅射法制备和光电性能研究
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作者 刘少煜 祝巍 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期72-75,共4页
目的通过向CdO薄膜中掺杂ZnO,在尽量不影响其电学性质的前提下,拓宽禁带宽度并改善性能。方法通过磁控射频溅射分别在玻璃基底和硅<111>基底上沉积了一系列Cd_(1-x)Zn_xO透明导电薄膜。利用XRD、紫外可见分光光度计和霍尔效应测量... 目的通过向CdO薄膜中掺杂ZnO,在尽量不影响其电学性质的前提下,拓宽禁带宽度并改善性能。方法通过磁控射频溅射分别在玻璃基底和硅<111>基底上沉积了一系列Cd_(1-x)Zn_xO透明导电薄膜。利用XRD、紫外可见分光光度计和霍尔效应测量仪,测试了薄膜的结构、光学和电学性能。结果随着Zn掺杂含量的增加,薄膜结构会发生变化:x<0.25时,薄膜结果为岩盐相;0.25<x<0.5时,薄膜结构为混合相;x>0.5时,薄膜结构变成了纤锌矿相。掺杂Zn后,薄膜吸收边可以提升到3eV左右,同时其电阻率为6.69×10^(-4)?·cm,载流子浓度为7.92×10^(20) cm^(-3),与纯CdO薄膜电学性质相近。结论对CdO薄膜进行一定量的ZnO掺杂,可以在不影响其电学性质的前提下提高禁带宽度,从而使薄膜具有良好的光电性能。 展开更多
关键词 CDO ZNO 薄膜 磁控射频溅射 霍尔效应 吸收边
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