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V_2O_5在ZnO-V_2O_5压敏陶瓷低温烧结中的双重作用 被引量:3
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作者 周健 徐国跃 +1 位作者 曹敏 侯清建 《电瓷避雷器》 CAS 2005年第5期39-42,共4页
制备了V2O5含量为0.25%(摩尔分数)的双组元ZnO压敏陶瓷,采用电子自旋共振谱(ESR)研究了V2O5中V离子的价态变化。结果表明,V离子是一种受主杂质,热处理后,其价态产生了变化,尤其是在655℃热处理时价态变化程度最明显,与V2O5的差热分析(D... 制备了V2O5含量为0.25%(摩尔分数)的双组元ZnO压敏陶瓷,采用电子自旋共振谱(ESR)研究了V2O5中V离子的价态变化。结果表明,V离子是一种受主杂质,热处理后,其价态产生了变化,尤其是在655℃热处理时价态变化程度最明显,与V2O5的差热分析(DTA)结果相吻合。差热分析显示,V2O5在655℃存在一相变吸热峰,此时样品的低价态V离子的ESR信号最强。V-I非线性测试结果也显示,低价态V离子ESR信号越强,宏观非线性系数越大。V2O5同时起着液相添加剂的作用,使ZnO-V2O5压敏陶瓷在900℃致密化。 展开更多
关键词 zno-v2o5压敏陶瓷 V离子的价态 V-I非线性
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V/Sb预合成粉对ZnO-V_2O_5基压敏电阻材料的影响
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作者 赵鸣 王卫民 +2 位作者 张慧君 高峰 田长生 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第A02期224-227,共4页
基于传统电子陶瓷合成工艺,采用二次合成法在95℃合成了组织均匀、瓷体相对密度>98%、非线性系数>50的ZnVSb基多组分压敏电阻陶瓷材料。Sb以V2O5/Sb2O3预合成粉的形式进行添加,避免了由于Sb2O3挥发造成的对ZnO晶粒生长的阻碍,... 基于传统电子陶瓷合成工艺,采用二次合成法在95℃合成了组织均匀、瓷体相对密度>98%、非线性系数>50的ZnVSb基多组分压敏电阻陶瓷材料。Sb以V2O5/Sb2O3预合成粉的形式进行添加,避免了由于Sb2O3挥发造成的对ZnO晶粒生长的阻碍,促进了陶瓷的低温烧结。随着预合成粉含量的增加,Sb3+离子对Zn22离子的取代量增加,材料内部VZn n等受主型缺陷的增加,使晶界势垒升高,使材料获得优异电学非线性特性。 展开更多
关键词 zno-v2o5压敏电阻 二次合成法 低温烧结
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Phase relations in the ZnO-V_2O_5-K_2O system
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作者 陈业青 李蕾 +5 位作者 任其 朱航天 梁敬魁 骆军 李静波 饶光辉 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第7期338-344,共7页
The subsolidus phase relations of a ZnO-V2O5-K2O system are investigated by X-ray powder diffraction. There is 1 ternary compound, 11 binary compounds and 14 three-phase regions in this system. The phase diagrams of V... The subsolidus phase relations of a ZnO-V2O5-K2O system are investigated by X-ray powder diffraction. There is 1 ternary compound, 11 binary compounds and 14 three-phase regions in this system. The phase diagrams of V2O5- K2O with the K2O content ranging from 0 to 71 mol% and pseudo-binary system of ZnO-K2ZnV2O7 are also studied by X-ray powder diffraction and differential thermal analysis methods. 展开更多
关键词 zno-v2o5-K2o system Zno-K2ZnV2o7 system V2o5-K2o system X-ray diffraction
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Li_2CO_3-B_2O_3-V_2O_5掺杂ZnO-TiO_2陶瓷低温烧结的研究
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作者 喻佑华 李海南 夏萌 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期136-139,共4页
以Li2CO3、B2O3和V2O53种常见的低熔点氧化物为烧结助剂,用传统固相法制备了Li2CO3-B2O3-V2O5掺杂的ZnO-TiO2微波介质陶瓷,并利用XRD、SEM等研究了ZnO-TiO2陶瓷的烧结行为、物相组成、显微结构特征及微波介电性能等。结果表明,当掺入3%... 以Li2CO3、B2O3和V2O53种常见的低熔点氧化物为烧结助剂,用传统固相法制备了Li2CO3-B2O3-V2O5掺杂的ZnO-TiO2微波介质陶瓷,并利用XRD、SEM等研究了ZnO-TiO2陶瓷的烧结行为、物相组成、显微结构特征及微波介电性能等。结果表明,当掺入3%(质量分数)Li2CO3-B2O3-V2O5时,在840℃烧结2h可制备出体积密度为4.99g/cm3的ZnO-TiO2陶瓷,达到理论密度的96.5%以上,εr、Q.f、τf分别约为24、22900GHz、-4×10-6/℃。 展开更多
关键词 Zno-Tio2 Li2Co3-B2o3-V2o5掺杂 微波介电性能
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TiO_2-V_2O_5-Li_2O系湿敏陶瓷材料的改性研究
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作者 曲宝涵 姜永超 +2 位作者 姜瑞敏 王弘 沈瑜生 《传感技术学报》 CAS CSCD 1996年第2期1-5,共5页
研究了掺杂ZnO对TiO_2-V_2O_5-Li_2O系湿敏材料结构及性能的影响.结果表明:掺杂ZnO改善了材料微结构,提高了材料的硬度、烧结温度、湿度灵敏度及稳定性.改性材料以TiO_2为主相,粒界生成LiZnVO_4.感湿玻璃,其中低V_2O_5掺杂的材料A孔隙... 研究了掺杂ZnO对TiO_2-V_2O_5-Li_2O系湿敏材料结构及性能的影响.结果表明:掺杂ZnO改善了材料微结构,提高了材料的硬度、烧结温度、湿度灵敏度及稳定性.改性材料以TiO_2为主相,粒界生成LiZnVO_4.感湿玻璃,其中低V_2O_5掺杂的材料A孔隙率及灵敏度较高,高 V_2O_5掺杂的材料B固有阻值低.掺杂材料的烧结温度为900~1100℃. 展开更多
关键词 TiVLi系 湿敏陶瓷材料 改性 陶瓷材料
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Subsolidus Phase Relations in the ZnO-BaO-V_2O_5 System
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作者 郑萌 吕佩文 +2 位作者 陈达贵 颜峰波 黄丰 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2013年第1期106-112,共7页
The subsolidus phase relations of the ZnO-BaO-V2O5 ternary systems were investigated by means of X-ray diffraction analysis. There are three ternary compounds, nine binary compounds and sixteen 3-phase regions found i... The subsolidus phase relations of the ZnO-BaO-V2O5 ternary systems were investigated by means of X-ray diffraction analysis. There are three ternary compounds, nine binary compounds and sixteen 3-phase regions found in this system. The crystal structure of the ternary compound Ba2ZnV2O8 was refined by Rietveld profile fitting method and the powder diffraction pattern is given. A new ternary compound Ba3.4Zn0.8V4O14.2 has been found by the powder diffraction pattern. 展开更多
关键词 Zno-Bao-V2o5 system phase diagram ZNo X-ray diffraction
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烧结温度的细微变化对V-Mn-Nb-Gd共掺杂氧化锌陶瓷压敏特性和衰减行为的影响(英文) 被引量:1
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作者 C.W.NAHM 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第4期1176-1184,共9页
研究烧结温度的细微变化对V-Mn-Nb-Gd共掺杂氧化锌陶瓷显微组织、电性能、介电性能和衰减行为的影响。随着烧结温度的升高,烧结球团密度由5.54 g/cm3降低到5.42 g/cm3,平均晶粒尺寸由4.1μm增大至11.7μm,击穿场强由7138 V/cm急剧降低至... 研究烧结温度的细微变化对V-Mn-Nb-Gd共掺杂氧化锌陶瓷显微组织、电性能、介电性能和衰减行为的影响。随着烧结温度的升高,烧结球团密度由5.54 g/cm3降低到5.42 g/cm3,平均晶粒尺寸由4.1μm增大至11.7μm,击穿场强由7138 V/cm急剧降低至920 V/cm。在900°C烧结的压敏陶瓷呈现极佳的非线性(非欧姆)特性,其非线性系数和漏电流密度分别为66和77μA/cm2。在性能稳定性方面,在85°C、24 h和0.85E1 m A的直流加速应力下,经900°C烧结的压敏陶瓷呈现最强的加速衰减特性,且其ΔE1 mA=-9.2%。 展开更多
关键词 zno-v2o5基陶瓷 烧结 电性能 衰减行为 压敏电阻器
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Microhardness,microstructure and electrical properties of ZVM ceramics 被引量:2
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作者 Abdel-Mageed H.KHAFAGY Sanaa M.EL-RABAIE +1 位作者 Mohamed T.DAWOUD M.T.ATTIAb 《Journal of Advanced Ceramics》 SCIE CAS 2014年第4期287-296,共10页
The effect of Mn_(3)O_(4)addition on microhardness,microstructure and electrical properties of vanadium oxide doped zinc oxide varistor ceramics is systematically investigated.The Vicker’s microhardness HV has decrea... The effect of Mn_(3)O_(4)addition on microhardness,microstructure and electrical properties of vanadium oxide doped zinc oxide varistor ceramics is systematically investigated.The Vicker’s microhardness HV has decreased with increasing the amount of Mn3O4.Also,the average grain size has decreased from 27.51μm to 19.55μm with increasing the amount of Mn_(3)O_(4) up to 0.50 mol%,whereas an increase in Mn_(3)O_(4) up to 0.75 mol%has caused the average grain size to increase and then it decreases with increasing Mn_(3)O_(4)from 0.75 mol%to 1.00 mol%.The sintered density has decreased from 5.38 g/cm3 to 5.31 g/cm3 with increasing the amount of Mn_(3)O_(4).The varistor ceramic modified with 0.50 mol%Mn_(3)O_(4) has exhibited excellent nonlinear properties,with 16.29 for the nonlinear coefficient and 441.9μA/cm2 for the leakage current density.Furthermore,the sample doped with 0.50 mol%Mn_(3)O_(4) has been found to possess donor density as 0.77×10^(18) cm^(-3) and 0.916 eV barrier height. 展开更多
关键词 CERAMICS electrical properties MICRoSTRUCTURE VARISToR Mn3o4 doped zno-v2o5 varistor
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