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V/Sb预合成粉对ZnO-V_2O_5基压敏电阻材料的影响
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作者 赵鸣 王卫民 +2 位作者 张慧君 高峰 田长生 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第A02期224-227,共4页
基于传统电子陶瓷合成工艺,采用二次合成法在95℃合成了组织均匀、瓷体相对密度>98%、非线性系数>50的ZnVSb基多组分压敏电阻陶瓷材料。Sb以V2O5/Sb2O3预合成粉的形式进行添加,避免了由于Sb2O3挥发造成的对ZnO晶粒生长的阻碍,... 基于传统电子陶瓷合成工艺,采用二次合成法在95℃合成了组织均匀、瓷体相对密度>98%、非线性系数>50的ZnVSb基多组分压敏电阻陶瓷材料。Sb以V2O5/Sb2O3预合成粉的形式进行添加,避免了由于Sb2O3挥发造成的对ZnO晶粒生长的阻碍,促进了陶瓷的低温烧结。随着预合成粉含量的增加,Sb3+离子对Zn22离子的取代量增加,材料内部VZn n等受主型缺陷的增加,使晶界势垒升高,使材料获得优异电学非线性特性。 展开更多
关键词 zno-v2o5压敏电阻 二次合成法 低温烧结
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Nb_2O_5掺杂量对ZnO压敏电阻器性能的影响 被引量:3
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作者 杨小妮 傅刚 +2 位作者 陈环 翟旺建 刘志宇 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期20-23,共4页
通过掺杂微量Nb2O5制备了ZnO压敏电阻器,运用扫描电子显微镜(SEM)和电性能测试手段分析了Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器微观结构和电性能的影响,测量了晶界势垒高度φH,并探讨了其对ZnO压敏电阻器性能的影响。结果表明:掺杂适量的Nb2O5可以... 通过掺杂微量Nb2O5制备了ZnO压敏电阻器,运用扫描电子显微镜(SEM)和电性能测试手段分析了Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器微观结构和电性能的影响,测量了晶界势垒高度φH,并探讨了其对ZnO压敏电阻器性能的影响。结果表明:掺杂适量的Nb2O5可以明显改善ZnO压敏电阻器的微观结构和电性能;当Nb2O5的掺杂量为摩尔分数0.10%时,所制ZnO压敏电阻器的晶粒尺寸最大,且压敏电压V1mA、非线性系数α和φH值分别为174V,30和0.463 eV。 展开更多
关键词 ZNo NB2o5 压敏电阻 晶界势垒高度
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V_2O_5在ZnO-V_2O_5压敏陶瓷低温烧结中的双重作用 被引量:3
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作者 周健 徐国跃 +1 位作者 曹敏 侯清建 《电瓷避雷器》 CAS 2005年第5期39-42,共4页
制备了V2O5含量为0.25%(摩尔分数)的双组元ZnO压敏陶瓷,采用电子自旋共振谱(ESR)研究了V2O5中V离子的价态变化。结果表明,V离子是一种受主杂质,热处理后,其价态产生了变化,尤其是在655℃热处理时价态变化程度最明显,与V2O5的差热分析(D... 制备了V2O5含量为0.25%(摩尔分数)的双组元ZnO压敏陶瓷,采用电子自旋共振谱(ESR)研究了V2O5中V离子的价态变化。结果表明,V离子是一种受主杂质,热处理后,其价态产生了变化,尤其是在655℃热处理时价态变化程度最明显,与V2O5的差热分析(DTA)结果相吻合。差热分析显示,V2O5在655℃存在一相变吸热峰,此时样品的低价态V离子的ESR信号最强。V-I非线性测试结果也显示,低价态V离子ESR信号越强,宏观非线性系数越大。V2O5同时起着液相添加剂的作用,使ZnO-V2O5压敏陶瓷在900℃致密化。 展开更多
关键词 zno-v2o5压敏陶瓷 V离子的价态 V-I非线性
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集成电路过压保护用ZnO压敏电阻的研制 被引量:4
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作者 朱传琴 杨志坚 +1 位作者 孙兆海 范坤泰 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第8期55-57,共3页
为获得集成电路过电压保护用低压压敏电阻,以中压ZnO压敏电阻的配方为基础,通过研究与实验,确定了采用添加晶粒助长剂TiO2和籽晶、晶界稳定剂硼银玻璃和Ta2O5,低温烧结等途径,研制出了低压ZnO压敏电阻。测试结果表明,该ZnO压敏电... 为获得集成电路过电压保护用低压压敏电阻,以中压ZnO压敏电阻的配方为基础,通过研究与实验,确定了采用添加晶粒助长剂TiO2和籽晶、晶界稳定剂硼银玻璃和Ta2O5,低温烧结等途径,研制出了低压ZnO压敏电阻。测试结果表明,该ZnO压敏电阻的压敏电压为15~25V,漏电流小(〈2μA),非线性特性好(α〉29)。 展开更多
关键词 电子技术 低压压敏电阻 晶粒 晶界 TA2o5
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Phase relations in the ZnO-V_2O_5-K_2O system
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作者 陈业青 李蕾 +5 位作者 任其 朱航天 梁敬魁 骆军 李静波 饶光辉 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第7期338-344,共7页
The subsolidus phase relations of a ZnO-V2O5-K2O system are investigated by X-ray powder diffraction. There is 1 ternary compound, 11 binary compounds and 14 three-phase regions in this system. The phase diagrams of V... The subsolidus phase relations of a ZnO-V2O5-K2O system are investigated by X-ray powder diffraction. There is 1 ternary compound, 11 binary compounds and 14 three-phase regions in this system. The phase diagrams of V2O5- K2O with the K2O content ranging from 0 to 71 mol% and pseudo-binary system of ZnO-K2ZnV2O7 are also studied by X-ray powder diffraction and differential thermal analysis methods. 展开更多
关键词 zno-v2o5-K2o system Zno-K2ZnV2o7 system V2o5-K2o system X-ray diffraction
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Effect of small changes in sintering temperature on varistor properties and degradation behavior of V-Mn-Nb-Gd co-doped zinc oxide ceramics 被引量:1
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作者 C.W.NAHM 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第4期1176-1184,共9页
The effect of small changes in sintering temperature on microstructure, electrical properties, dielectric characteristics, and degradation behavior of V-Mn-Nb-Gd co-doped zinc oxide ceramics was investigated. With the... The effect of small changes in sintering temperature on microstructure, electrical properties, dielectric characteristics, and degradation behavior of V-Mn-Nb-Gd co-doped zinc oxide ceramics was investigated. With the increase of sintering temperature, the densities of the sintered pellets decreased from 5.54 to 5.42 g/cm3 and the average grain size increased from 4.1 to 11.7 μm. The breakdown field(E1 m A) decreased noticeably from 7138 to 920 V/cm with the increase of sintering temperature. The varistor ceramics sintered at 900 ℃ exhibited excellent nonohmic properties, which were 66 for the nonohmic coefficient and 77 μA/cm2 for the leakage current density. Concerning stability, the varistors sintered at 900 ℃ exhibited the strongest accelerated degradation characteristics, with ΔE1 mA =-9.2% for DC accelerated degradation stress of 0.85 E1 m A at 85 °C for 24 h. 展开更多
关键词 zno-v2o5-based ceramics SINTERING electrical properties degradation behavior VARISToR
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Microhardness,microstructure and electrical properties of ZVM ceramics 被引量:2
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作者 Abdel-Mageed H.KHAFAGY Sanaa M.EL-RABAIE +1 位作者 Mohamed T.DAWOUD M.T.ATTIAb 《Journal of Advanced Ceramics》 SCIE CAS 2014年第4期287-296,共10页
The effect of Mn_(3)O_(4)addition on microhardness,microstructure and electrical properties of vanadium oxide doped zinc oxide varistor ceramics is systematically investigated.The Vicker’s microhardness HV has decrea... The effect of Mn_(3)O_(4)addition on microhardness,microstructure and electrical properties of vanadium oxide doped zinc oxide varistor ceramics is systematically investigated.The Vicker’s microhardness HV has decreased with increasing the amount of Mn3O4.Also,the average grain size has decreased from 27.51μm to 19.55μm with increasing the amount of Mn_(3)O_(4) up to 0.50 mol%,whereas an increase in Mn_(3)O_(4) up to 0.75 mol%has caused the average grain size to increase and then it decreases with increasing Mn_(3)O_(4)from 0.75 mol%to 1.00 mol%.The sintered density has decreased from 5.38 g/cm3 to 5.31 g/cm3 with increasing the amount of Mn_(3)O_(4).The varistor ceramic modified with 0.50 mol%Mn_(3)O_(4) has exhibited excellent nonlinear properties,with 16.29 for the nonlinear coefficient and 441.9μA/cm2 for the leakage current density.Furthermore,the sample doped with 0.50 mol%Mn_(3)O_(4) has been found to possess donor density as 0.77×10^(18) cm^(-3) and 0.916 eV barrier height. 展开更多
关键词 CERAMICS electrical properties MICRoSTRUCTURE VARISToR Mn3o4 doped zno-v2o5 varistor
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