ZnS光电材料制备技术的研究进展

ZnS作为一种性能优良的光学、电学和光电一体化材料,具有极大的应用价值。综合概述了ZnS粉末、块状材料和薄膜等各种材料的制备方法,阐述并讨论了水热合成法、均匀沉淀法、溶胶-凝胶法、化学气相沉积法、溅射法等不同方法的特点。并着重论述了ZnS粉末和薄膜,特别是在纳米粉末和纳米晶薄膜制备技术方面的研究进展。

ZnS光电材料制备技术的研究进展

ZnS作为一种性能优良的光学、电学和光电一体化材料,具有极大的应用价值。作者概述了ZnS粉末、块状材料和薄膜等材料的制备方法,阐述并讨论了水热合成法、均匀沉淀法、溶胶-凝胶法、化学气相沉积法、溅射法等制备方法的特点,并着重论述ZnS粉末和薄膜特别是纳米粉末和纳米晶薄膜的制备技术。

Zn掺杂Cu2O纳米薄膜的制备及其光电性能研究

以醋酸钠(NaAc)和醋酸铜[Cu(Ac)2]作为反应体系,采用电沉积法,在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上制备了Zn掺杂的氧化亚铜(Cu2O)(Zn/Cu2O)纳米薄膜,考察了Cu(Ac)2浓度、沉积温度、沉积时间、沉积电压和溶液pH等制备条件对Cu2O纳米薄膜光电性能的影响及乙酸锌[Zn(Ac)2]掺杂量对Zn/Cu2O纳米薄膜光电性能的影响。结果表明,当反应液中含0.04mol/L Cu(Ac)2、0.02mol/L NaAc、0.0064mmol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、0.008mol/L Zn(Ac)2、溶液pH=5.5、沉积温度为50℃时,施加1.4V电压沉积40min,即可制备形貌较好、光电压达0.3054V的Zn/Cu2O薄膜,掺杂Zn(Ac)2的Cu2O纳米薄膜比纯Cu2O纳米薄膜具有更高的光电性能。紫外-可见分光光度计、X射线衍射、场发射扫描电子显微镜和能量色散谱仪等表征结果显示,Zn(Ac)2的掺杂使得Cu2O纳米薄膜紫外吸收峰发生蓝移,择优面发生改变,薄膜表面粗糙度增加,形貌由星型结构变为花簇状结构,样品中Zn元素质量分数和原子分数分别为4.03%和2.78%。