电子束蒸发Al_2O_3/TiO_2复合膜及在无机EL中的应用

开发高可靠性的绝缘层薄膜几十年来一直是TFEL显示器研制中的重要努力方向之一。采用双靶脉冲电子束蒸发法制备了Al2O3／TiO2单元结构为10nm／10nm、20nm／20nm、40nm／40nm、总厚度约600nm的多层复合薄膜，同时采用共蒸发法制备了800nm的Al，TiyOz复合薄膜，研究了它们的介电性能，并与Al2O3、TiO2单层膜的介电性能做了比较，最后将性能较优的AlxTiyOz薄膜应用到ZnS：Mn TFEL器件中。Al2O3／TiO2多层复合膜随着结构单元中Al2O3、TiO2厚度由10nm增至40nm，介电常数由20．2减小到16．1，击穿场强由154MV／m增至174MV／m，反映介电损耗的参数△Vy由0．09V降为0．04V，在50MV／m下漏电流密度由1×10^6A／cm^2增至1×10^-4A／cm^2，品质因子由2．62μC／cm^2降为2．46μC／cm^2。AlxTiyOz薄膜的品质因子大于3．6μC／cm62，应用于ZnS：Mn TFEL器件中获得在200Hz下较高的L50（58cd·m^-2）、很低的阈值电压（60～70V），而且各个像素的L-V性能有很好的重复性。