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陷阱浓度对ZnS:Mn薄膜电致发光临界浓度和亮度的影响
1
作者
于光辉
王永生
+3 位作者
何大伟
徐征
刘宏利
徐叙
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期337-339,共3页
本文计算了陷阱浓度对 Zn S:Mn薄膜电致发光 Mn中心临界浓度的影响 ,在不同的陷阱浓度下 ,计算了发光亮度随发光中心浓度的变化。计算结果表明 ,降低陷阱的浓度可以显著地提高临界浓度 ,并且发光亮度也随之增大。
关键词
zns
:
mn
簿
膜
电致发光
陷阱浓度
临界浓度
亮度
原文传递
题名
陷阱浓度对ZnS:Mn薄膜电致发光临界浓度和亮度的影响
1
作者
于光辉
王永生
何大伟
徐征
刘宏利
徐叙
机构
北方交通大学光电子技术研究所
出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期337-339,共3页
基金
国家"八六三"计划资助项目! (863 -715 -0 0 82 )
国家自然科学基金!资助项目 (199740 0 2 )
文摘
本文计算了陷阱浓度对 Zn S:Mn薄膜电致发光 Mn中心临界浓度的影响 ,在不同的陷阱浓度下 ,计算了发光亮度随发光中心浓度的变化。计算结果表明 ,降低陷阱的浓度可以显著地提高临界浓度 ,并且发光亮度也随之增大。
关键词
zns
:
mn
簿
膜
电致发光
陷阱浓度
临界浓度
亮度
Keywords
zns
:
mn
thin film
electroluminescence
trap
critical concentration
brightness
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
O484.4 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
陷阱浓度对ZnS:Mn薄膜电致发光临界浓度和亮度的影响
于光辉
王永生
何大伟
徐征
刘宏利
徐叙
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
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