核-壳结构ZnS∶Tb/CdS纳米晶的电致发光

利用微乳液方法合成出粒径为4 nm的核-壳结构ZnS∶Tb/CdS纳米晶。用XRD、TEM及荧光光谱等手段对合成的纳米晶的结构、形态和光学特性分别进行了表征。将ZnS∶Tb/CdS纳米晶制作成有机-无机杂化结构电致发光器件,其结构为ITO/poly(3,4-ethylene d ioxythiophene)∶poly(styrene sulfonate)(PEDOT-PSS)(70 nm)/poly(vinylcobarzale)(PVK)(100 nm)/ZnS∶Tb/CdS纳米晶(120 nm)/2,9-d im ethyl-4,7-d iphenyl-1,10-phenanthroline(BCP)(30 nm)/L iF(1.0 nm)/A l(100 nm)。当驱动电压为13 V时,可以测到Tb3+离子的两个特征峰。在电致发光光谱中未测到聚合物PVK的发光,说明电子和空穴是在纳米晶层上复合的。当驱动电压为25 V时,得到器件的最大亮度为19 cd/m2。

ZnS∶Tb薄膜电致发光的量子效率及过热电子分布

采用高频溅射的方法制备了高亮度的ＺｎＳ∶Ｔｂ薄膜电致发光器件．测量了发射强度比Ｉ（５Ｄ３－７Ｆ６）／Ｉ（５Ｄ４－７Ｆ４）随激发电压的变化关系、弛豫时间及发光的量子效率，计算了碰撞截面，分析ＺｎＳ∶Ｔｂ的过热电子的分布，并与ＺｎＳ∶Ｍｎ进行了比较．指出了ＺｎＳ∶Ｔｂ效率与ＺｎＳ∶Ｍｎ效率差异的可能原因．

ZnS:Tb/SiO_2核壳结构纳米晶的光学性质

用微乳液法合成了ZnS:Tb/S iO2核壳结构纳米晶,并通过X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、荧光光谱等手段对产物的结构、尺寸、形貌、荧光特性进行了表征。结果表明,ZnS:Tb纳米晶的粒径为3nm,ZnS:Tb/S iO2核壳结构纳米晶的粒径为5 nm左右,这样就得出壳的厚度约为1nm。在ZnS:Tb/S iO2核壳结构纳米晶的发射光谱上可以观察到有5个发射峰为460、489、544、584和620 nm,分别对应ZnS基质的发光和Tb3+离子的5D4→7F6、5D4→7F5、5D4→7F4、5D4→7F3跃迁。

ZnS:Tb^(3+)薄膜的电致发光

ZnS:Tb薄膜电致发光的光转换效率高达21m/W。然而,由于超量掺杂作用导致了快速衰减。通常,老化过程中效率的降低未发现有相应的光谱改变或载流子加速/激发中心的对应改变。因此,衰减可能与激发中心数量减少有关。这可能是由存在有堆积和或富铽相造成的。在0.5-0.8流明/瓦范围内可较稳定地使用。