不同还原条件对ZnS:Zn.Pb发光性能的影响

对阴极射线用低压蓝色荧光粉ZnS :Zn .Pb的制备条件进行了详细地研究 ,发现随还原条件的改善 ,其结构、光谱及发光性能均有大的提高 .

ZnS∶Zn,Pb蓝粉在低压阴极射线激发下的应用

通过对ZnS∶Zn,Pb蓝色荧光粉进行表面包覆SiO2以改善其稳定性;In2O3材料的适量混合,提高了荧光粉的导电性,降低了它的起辉电压。采用沉淀法制备荧光屏,考察了阳极电压和阳极电流对亮度以及衰减过程的影响,实验结果表明ZnS∶Zn,Pb的性能优于ZnS∶Ag,Cl和ZnS∶Zn,可适用于FED等低压显示器。

ZnS:Zn,Pb薄膜的制备及其发光性能研究

用电子束蒸发的方法制备了ZnS:Zn,Pb荧光薄膜,分别经400℃、600℃退火处理。采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱等,表征了ZnS:Zn,Pb荧光薄膜的结构、成分、形貌和发光性能。实验表明,随着退火温度的升高,薄膜的结构程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,提高了薄膜的发光性能。因此,退火处理是提高ZnS:Zn,Pb荧光薄膜发光性能的有效方法之一。

基于CdTe:Zn/ZnS量子点快速检测变形杆菌荧光免疫分析法的建立

采用水相合成法制备了巯基丙酸修饰的水溶性掺杂式CdTe:Zn/ZnS量子点,并采用紫外可见光吸收光谱、荧光光谱和透射电镜对量子点的光学性质和结构进行表征,结果表明其发射峰位于578 nm,半峰宽为45 nm,荧光量子产率为40. 78%,量子点晶体呈直线有序排列,其粒径约为3 nm;与抗体偶联制成荧光探针建立荧光免疫分析(FLISA),用于检测鸡蛋中分离的腐败菌彭氏变形杆菌(Proteus penneri),结果表明当其浓度在3. 28 log CFU/mL^8. 699 log CFU/mL范围内时,菌浓度的对数值与荧光强度之间存在着一定的线性关系,R2=0. 992;FLISA法检测彭氏变形杆菌的检出限为3. 581logCFU/mL,比传统酶联免疫吸附法(ELISA)的检出限5. 688 log CFU/mL灵敏了127倍,为微生物检出提供了一种新思路。