CuInS_2/ZnS核/壳量子点的制备及其光致发光器件

采用高温热分解法大批量地合成了CuInS_2裸核量子点,通过包覆ZnS壳层提高其发光量子效率;对CuInS_2裸核量子点和CuInS_2/ZnS核/壳量子点的形貌和光学性质进行了表征;将CuInS_2/ZnS核/壳量子点与Ga N蓝光二极管芯片相结合,组装了基于CuInS_2/ZnS核/壳量子点的红光发射照明器件。通过改变所涂覆CuInS_2/ZnS核/壳量子点的量,可以调节其发光二极管的红光成分,制备出一系列具有不同红光发射强度的CuInS_2/ZnS核/壳量子点基发光二极管。