ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响

本文采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu:I,Br粉末材料受到超短激光脉冲激发后,其光生电子和浅束缚电子的衰减过程。发现制备过程中Mn2+、Cu+、I-、Br-的掺杂量对光生导带电子的衰减过程有明显的影响。光生电子寿命是I-、Br-形成的浅施主能级和Cu+受主能级、Mn2+发光中心共同作用的结果。本文还测量了材料的热释光曲线,Cu+受主能级、Mn2+发光中心会影响热释光强度,证实I-、Br-形成电子陷阱对光生电子和浅陷阱中的电子寿命有延长作用,而Mn2+发光中心会起到缩短寿命的作用。

在水和乙醇体系中用辐射技术制备纳米ZnS晶体(英文)

在水溶液体系和乙醇溶液体系中,于常温常压下不加入任何催化剂,用γ射线辐照技术可以成功制备出纳米ZnS晶休,其中硫代硫酸钠和二硫化碳分别为上述两体系的硫源。本工作利用XRD和TEM来分析观察纳米ZnS晶体的结构和形貌。产物具有立方体结构和球型的形貌,颗粒大小在20-50纳米之间。根据实验,提出了纳米ZnS晶体在不同体系中形成的机理。

不同激光脉冲作用下ZnS晶体非线性光学特性

用Z-scan技术在532nm的皮秒激光脉冲和800nm飞秒激光脉冲作用下分别研究了ZnS晶体的非线性吸收及非线性折射特性。实验结果表明,ZnS晶体在532nm的皮秒激光脉冲作用下非线性吸收为双光子吸收,其非线性吸收系数为5.3×10-11m/W,在800nm的飞秒激光脉冲作用下非线性吸收为三光子吸收,非线性吸收系数为0.59×10-21m2/W2;在532nm皮秒激光脉冲作用下,ZnS晶体的非线性折射率符号为负,自由载流子产生的非线性折射率的改变占主导,而800nm飞秒激光脉冲作用下,ZnS晶体的非线性折射率符号为正,束缚电子产生的非线性折射率的改变为主要因素。

ZnS晶体的化学气相沉积生长

本文报道了用化学气相沉积(CVD)法生长ZnS透明多晶体的实验结果,对生长的晶体的物理化学性能进行了测试,讨论了化学气相沉积工艺中影响ZnS晶体质量的因素。结果表明:选用固体硫作原料,用化学气相沉积方法,可以沉积出透明ZnS多晶体;它的透过性能极其优异,在6.2μm处无吸收峰,在中、长波红外透过率可达70%以上。

ZnS晶体材料的结构、性质及其光学应用

ZnS晶体的结构和性能对ZnS的应用具有重要的研究价值和意义。作为一种宽带隙半导体,ZnS的晶体结构和类型是影响其光学特性的主要因素。α-ZnS和β-ZnS的光学性质具有很大的差异,β-ZnS光学各向同性,折射率与方向无关,能满足光学透过的应用需求。综述了ZnS块体材料的晶体结构、性能及其在红外光学中的应用。

Zn_3BPO_7晶体的THz和红外吸收光谱(英文)

本文研究了Zn3BPO7(ZBP)晶体的THz时域光谱以及从中红外到远红外的吸收光谱,以及6.6cm-1(0.2THz)～4000cm-1宽频段的红外光谱光学性质。THz吸收光谱表明晶体在0.5～1.2THz有较好的透射性质,在1.7THz和2.5THz分别存在一个泛频共振峰和基频共振峰,并且折射率稳定。在远红外区(100～2700cm-1)晶体的透射率极小,几乎接近于零。在中红外波段(2700～4000cm-1)晶体具有较好的透射性质。50～4000cm-1波段的吸收规律表明ZBP晶体具有做成特定波段滤波器的潜力。

Cd补偿垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体

采用传统垂直布里奇曼法和Cd补偿垂直布里奇曼法,分别生长出两根尺寸为φ30mm×130mm的Cd0.9Zn0.1Te晶锭。测试了晶体的结晶质量、成分分布、位错腐蚀坑密度(EPD)、红外透过率及电阻率。结果表明,Cd补偿垂直布里奇曼法生长的晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高。这说明Cd补偿垂直布里奇曼法是一种生长高阻值CZT晶体的优良方法。

常压化学气相输运法合成Zn_(1-x)Co_xO晶体

本文采用高温化学气相输运法,温度970℃,在蓝宝石和石英基片上制备Zn1-xCoxO晶体。电子扫描显微镜(SEM)观察发现,蓝宝石晶片上的晶体形貌较S iO2晶片上的规整,晶体呈现六棱柱或六棱锥体,一般显露柱面m{101-0}、正锥面p{101-1}、负极面c{0001-}和正极面c{0001},晶体表面光滑。在石英基片上得到的Zn1-xCoxO晶体生长的棱面较模糊,基片的部分晶体非定向密集生长,连续形成薄膜结构。X衍射证实晶体为ZnO纤锌矿结构。X光能谱(EDS)测量表明ZnO晶体有钴离子的存在,且浓度随原料中的Co2O3:ZnO的比值增大而增加。

Zn:Fe:LiNbO_3晶体的生长及其光学性能的研究

在LiNbO3中掺进ZnO和Fe2O3,以Czochralski技术生长Zn(7mol%):Fe(0.03%):LiNbO3,Zn(3mol%):Fe(0.03%):LiNbO3和Fe(0.03%):LiNbO3晶体。测试晶体的吸收光谱,Zn:Fe:LiNbO3晶体的吸收边相对Fe:LiNbO3晶体发生紫移。测试晶体的红外光谱,Zn(7mol%):Fe:LiNbO3晶体OH-吸收峰移到3529cm-1。测试晶体抗光致散射能力,Zn(3mol%):Fe:LiNbO3晶体抗光致散射能力比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级,Zn(7mol%):Fe:LiNbO3晶体比Fe:LiNbO3晶体高二个数量级。测试晶体的衍射效率和响应时间,Zn:Fe:LiNbO3晶体响应时间缩短,衍射效率降低。对吸收边和OH-吸收峰移动的机理,以及Zn:Fe:LiNbO3晶体抗光致散射能力增强的机理进行了研究。

低温陈化法制备ε-Zn(OH)_2晶体及其表征

ε-Zn（OH）2 crystals with high thermal stability,well crystallinity and fine dispersity were prepared by aging at low temperatue from zinc nitrate and sodium hydroxide in aqueous solution. The crystal structure,morphology and thermal stability were characterized by Xray diffractometry,scanning electron microscopy and differential scanning calorimeter. The influences of reaction temperatures,mole ratios of zinc nitrate to sodium hydroxide and phase-inversion rates on the products were discussed in details.

水热法合成Zn_(0.85)Mn_(0.15)O纳米晶体及其光性能

目的目前,最重要的问题是难以合成高质量均匀掺杂的样品,原因之一就是影响样品结构和性能的因素很多,比如前驱物浓度、pH值、温度、时间,现在还没有搞清楚,不同的制备方法也得出不同的结论.方法采用水热法,在正交实验研究的基础上,设计了不同前驱物浓度的实验,用X射线衍射仪,扫描电镜对其样品的结构和晶粒的形貌进行了研究,最后测试了不同前驱物浓度样品的室温拉曼光谱.结果采用水热法合成了Zn0.85Mn0.15O纳米晶体,得出了各因素影响实验响应的大小;观察到ZnMn2+3O4这种杂相,同时不同前驱物浓度样品的拉曼光谱显示,E2模及A1模均向低频方向移动,而且不同的前驱物浓度,其E2模及A1模向低频方向移动的幅度不同.结论虽然用水热法可以合成出比较均匀的纳米体,但其制备的技术现在不够成熟,尤其是前驱物浓度等因素影响晶粒形貌的本质,也就是生长机理还不太清楚,依然需要深入的研究.

Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO_3晶体位相共轭性能和全息关联存储

在同成分LiNbO3中,掺入ZnO的摩尔分数分别为1%、3%、5%、7%和9%,掺入(质量分数)0.03%MnCO3和0.08%Fe2O3,采用提拉法生长了优质Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体.测试Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体的OH-红外吸收光谱,抗光损伤能力和位相共轭性能.Zn离子浓度在7%和9%时,OH-吸收峰移到3 528cm-1,讨论OH-吸收峰移动机理.随着Zn离子浓度增加,抗光损伤能力增加.Zn离子浓度增加到7%,达到阈值.Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体高二个数量级,研究高掺锌Mn∶Fe∶LiNbO3晶体抗光损伤增强机理.随着Zn离子浓度增加,Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭反射率降低,位相共轭响应速度增加.Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭镜消除了光波的位相畸变.以Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体作存储介质进行全息关联存储实验.讨论全息关联存储的工作原理.以原图象的25%和50%进行寻址,在输出平面上接收到较完整的存储图象.

Mg:Zn:LiNbO_3晶体光学性能的研究

在 L i Nb O3中参进 3 mol% Mg O和 2 mol% Zn O,生长 Mg∶ Zn∶L i Nb O3晶体 .测试晶体的吸收光谱、红外光谱倍频转换效率和相位匹配温度 .Mg( 3 mol% )∶ Zn( 2 mol% )∶ L i Nb O3晶体达到阈值浓度 .Mg∶ Zn∶ L i Nb

Cd0.9Zn0.1Te晶体中的In掺杂研究

采用电感耦合等离子质谱仪（ICP-MS）和光致发光的手段研究了In在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的分布及存在状态,浓度测试结果表明，In的分凝特性受生长条件影响很大，沿晶体轴向有效分凝因数在0．19到0．5之间变化。对高电阻和低电阻In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶体光致发光强度与温度依赖关系的研究表明，高电阻晶体D^0X峰存在两个热激活能2．8meV和21meV，低电阻晶体A^0X热激活能为3．4meV。分析认为In掺杂导致的自补偿效应是导致掺杂效率低下的原因。

Mg：Zn：LiNbO3晶体光损伤和倍频性能的研究

以Czochralski技术生长Mg(3%)∶Zn∶(x%)∶LiNbO3(x=1,2,3)(摩尔分数)。测试晶体光损伤阈值,Mg(3%)∶Zn(3%)∶LiNbO3晶体光损伤阈值比LiNbO3晶体提高了2个数量级以上。测试晶体红外光谱Mg(3%)∶Zn(3%)∶LiNbO3晶体OH-吸收峰位置由LiNbO3的3 482 cm-1移到3 532 cm-1,即晶体掺杂达到阈值浓度。采用角度匹配,测试晶体的倍频转换效率。激光功率密度很高时,晶体出现暗迹,倍频转换效率下降,暗迹是由倍频光引起,与基频光无关。氧化的晶体可以减弱暗迹。对晶体光损伤阈值的增强,OH-吸收峰的移动,暗迹产生的机理进行阐述和研究。

Zn,Mg:LiNbO_3晶体的光学特性研究

为了研制出结合Zn∶L iNbO3与Mg∶L iNbO3优点的晶体,采用提拉法从熔体中生长了Zn,Mg∶L iNbO3晶体,并对它的配方和生长性能、光学均匀性、抗光折变以及倍频性能进行了研究,生长出了尺寸达40mm×70mm、双折射率梯度优于10-4/cm量级的Zn,Mg∶L iNbO3晶体,倍频得到了20m J的0.532μm的绿光输出,转换效率达到45%。该晶体是一种很有前途的非线性光学材料。

Zn∶In∶LiNbO_3晶体抗光损伤性能的研究

在LiNbO3 中掺进ZnO和In2 O3 以Czochralski技术生长Zn∶In∶LiNbO3 晶体。采用光斑畸变法测试Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力。Zn∶In∶LiNbO3 晶体抗光损伤能力比LiNbO3 晶体提高二个数量级。测试晶体的红外光谱 ,Zn∶In∶LiNbO3 晶体吸收峰的位置相对LiNbO3 晶体发生紫移 ,且随着Zn2 + 和In3 + 浓度增加紫移程度增加。晶体的倍频性能(相位匹配温度和倍频转换效率 )研究表明 :Zn∶In∶LiNbO3 晶体相位匹配温度在室温附近。并研究了Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤机理和OH-吸收峰紫移的机理。

工艺参数对CVD ZnS沉积速率的影响

本文报道了CVD法制备ZnS晶体的制备工艺,系统地研究了气体流量、工作气压、基板温度等主要工艺参数对沉积速率的影响规律。实验表明,随着H2S(s)/Zn摩尔流量比的增加,沉积速率逐渐增大;基板温度升高,沉积速率加快;工作气压增大,沉积速率变化不大。在本实验研究的条件下认为,采用合适的H2S(s)/Zn摩尔流量比和沉积温度,在较低的工作气压下生长晶体,能保证较稳定的沉积速率,生长出高质量的晶体。

Zn:Fe:LiNbO_3晶体光折变性能研究

生长了Zn:Fe:LiNbO3晶体,测试了晶体的光折变性能,并且对晶体进行了正反向极化工艺处理技术,有效地提高了Zn:Fe:LiNbO3晶体的光折变性能,使得Zn:Fe:LiNbO3晶体的响应速度大大加快,散射噪声变小,存储图像清晰。

Zn∶Fe∶LiNbO_3晶体全息存储性能研究

以提拉法生长Zn(1mol% )∶Fe∶LiNbO3,Zn(4mol % )∶Fe∶LiNbO3,Zn(7mol% )∶Fe∶LiNbO3晶体 Zn∶Fe∶LiNbO3晶体随着Zn2 + 浓度的增加 ,抗光致散射能力增加 ,Zn(7mol% )∶Fe∶LiNbO3晶体抗光致散射能力比Fe∶LiNbO3晶体提高两个数量级以上 测试了Zn∶Fe∶LiNbO3晶体衍射效率、响应时间 以Zn(7mol % )∶Fe∶LiNbO3晶体作为存储元件 ,Zn(4mol% )∶Fe∶LiNbO3晶体作为位相共轭镜 ,进行全息关联存储试验 试验结果显示出成像质量好、图像清晰完整、噪音小等优点 研究了Zn∶Fe∶LiNbO3晶体全息存储性能增强的机理 Zn(4mol% )