TiO_2包覆ZnS荧光粉的制备及表征

采用溶胶-凝胶法成功在ZnS荧光粉表面包覆TiO2薄膜。通过透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见吸收(UV-Vis)及荧光光谱(PL)对包覆前后荧光粉的结构和光学性能进行表征。结果表明:ZnS荧光粉表面包覆了一层厚度约5nm的TiO2薄膜,该薄膜整体连续性较好,分布较为均匀,且包覆过程对荧光粉的晶型及结晶度无影响,而包覆膜对ZnS的吸光度略有屏蔽且发光强度也有所降低。

化学合成法制备ZnS基纳米荧光粉研究

描述了一种生产ZnS:M[M=Mn,Cu,Cu(Al)]纳米荧光粉的化学合成方法.运用本方法通过调节巯基乙酸与甲基丙烯酸的摩尔比,可在1.8～3.0nm范围内控制纳米粒子的尺寸.选择面积的电子衍射和X射线衍射证明ZnS:M纳米荧光粉具有闪锌矿结构.透射电镜图像表明ZnS:M纳米荧光粉具有较好的尺寸分布.ZnS:Mn的PL谱表明纳米尺寸的ZnS:Mn与体材料相比具有较高的发光效率。

化学合成法制备ZnS∶Cu纳米荧光粉研究

本文介绍一种制备ZnS∶Cu纳米荧光粉的化学合成方法。本方法中 ,通过调节巯基乙酸与甲基丙烯酸的摩尔比 ,可得到不同粒径的纳米荧光粉。用TEM ,XRD和PL谱对所制得的纳米荧光粉进行了表征。

降低ZnS:Mn荧光粉电阻率的SnO_2:Sb薄膜包覆研究

以ZnS(荧光纯)与MnCl2(分析纯)为原料通过固相反应法,高温烧结制成ZnS:Mn荧光粉.采用化学共沉淀法在ZnS:Mn荧光粉表面包覆上一层透明的SnO2:Sb薄膜来增加材料的导电性.用数字万用表和自制的测量盒测量了粉体的电阻.试验并讨论了包覆层中不同的Sb/Sn摩尔比,包覆量(Sn/Zn),热处理时间以及热处理温度对粉体电阻率的影响.

等离子显示屏用Zn_2SiO_4:Mn^(2+)荧光粉的研究

采用高温固相法制备PDP绿色荧光粉Zn2SiO4:Mn2+,研究了Zn/Si摩尔比、激活剂Mn2+含量的变化对荧光粉真空紫外光谱、相对亮度、余辉时间及色坐标的影响.试验结果表明,当Zn/Si摩尔比为1.905,Mn2+含量为0.11 mol时,所制备的荧光粉Zn2SiO4:Mn2+的色坐标x=0.2109,y=0.7115,发射波长525 nm,余辉时间t1/10为3.5 ms.

高温固相法制备ZnO∶Zn绿色荧光粉及其在近紫外LEDs中的应用研究

采用高温固相法在温度900~1 100℃,时间3h的条件下制备出系列ZnO∶Zn荧光粉样品,并进行了封装应用研究。利用X射线衍射分析(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、荧光分光光度计(PL)和可见光光谱分析系统等手段对样品分别进行了表征分析。研究结果表明:所制备的荧光粉样品均具有ZnO晶型的六方纤锌矿结构,样品可以有效地被近紫外光激发,所发射的绿光光谱具有宽谱发射特征,峰位于502nm归属于氧空位发射,同时940℃条件下制备的荧光粉样品具有最高的发光强度。结合近紫外LED芯片和RGB荧光粉分别制备出绿光LED和白光LED,其中绿光LED在不同驱动电流(250~500mA)泵浦下表现出稳定的光谱发射特性,发射光谱谱型和色坐标基本未变,发射强度随电流升高而增加,所制备的白光LED在色温3 212K时,显色指数达到94.1,发光效率为85.6lm·W-1(@300mA,9.3V),在(250~500mA)驱动电流泵浦下同时也表现出稳定的光谱发射特性,所制备的ZnO∶Zn绿色荧光粉对于制备高显色、高品质近紫外白光LED具有潜在的应用价值。

ACEL ZnS∶Cu发光体内的Cu^+迁移与发光的老化

众所周知,Cu对ZnS粉末ACEL是不可或缺和不可替代的。因此维持Cu和它的存在形式在ZnS晶粒中的稳定对ACEL的老化致关重要。Cu+在ZnS中具有很高的热扩散率,500℃时热扩散系数已达10-9cm2/s,是各种杂质中热扩散最强的杂质。900℃时几分钟内即可使7~10μm的ZnS晶粒完全激活。CuxS具有很强的离子导电特性,在电场作用下表现出很强的Cu+迁移特性。由于CuxS具有很高的电导率,可视为导体,因此在外电场中ZnS晶粒内的CuxS导电线处于等电位状态。与CuxS导电线电位不同的所有等位面不能与CuxS相交叉而发生扭曲。由于电流的流动方向必须与等位面垂直,所以导致流过ZnS晶粒的大部分电流被汇集到CuxS导线上,并且在导电线上的电流密度分布呈两端弱、中间强的状态。因此在电场作用下CuxS导电线及其周边可能达到很高温度。如上所述,Cu+迁移是必然的,以此可以很好地解释Fischer所观察到的发光线对的老化现象。