固溶体半导体ZnS_(1-x)Te_x(0≤x≤1)多晶薄膜的制备及特性研究

ZnS1-xTex是制作短波长光波段光电子器件和紫外探测器的理想材料。本文介绍了ZnS1-xTex多晶薄膜的真空蒸镀制备情况,并用原子力显微镜、X射线衍射仪、能量色散谱仪、紫外 可见分光光度计、荧光光谱分析仪等对制备的多晶薄膜的性质进行了测试和分析,发现该多晶薄膜保持了单晶薄膜的紫外吸收、光致发光等良好特性。

分子束外延ZnS_(1-x)Te_x单晶薄膜特性分析

通过精确的测量发现，分子束外延（ Ｍ Ｂ Ｅ） 生长的Ⅱ－ Ⅵ族三元合金碲硫锌（ Ｚｎ Ｓ１ － ｘ Ｔｅ ｘ）（０ ≤ｘ ≤１） 半导体单晶薄膜中 Ｚｎ 和 Ｔｅ 修正的俄歇参数α′随 ｘ 增大近似线性增加，且前者大于后者；同时还发现 Ｔｅ ４ｄ３／２ 和 Ｔｅ ４ｄ５／２ 光电子谱峰间距随 ｘ

Zn_(1-x)Mg_xS薄膜的磁控溅射制备及其性能研究

利用双靶磁控溅射法,在普通石英玻璃基底上成功制备出II-VI族化合物固溶体半导体Zn1-xMgxS多晶薄膜,并用X射线能量色散谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见(UV-V is)分光光度计、荧光分光光度计(PL)等测试手段表征了多晶薄膜的成份、表面形貌、晶体结构和光学性质。结果表明:磁控溅射法制备的Zn1-xMgxS多晶薄膜具有立方和六方相混晶相结构,晶粒生长均匀,薄膜在波长小于280nm的紫外区有强烈的吸收,在可见光区紫光范围有一个强的发光峰,而且随着Mg含量的增加,强度增加,吸收边和发光峰的蓝移也增加。蓝移说明了带隙的展宽,其禁带宽度大约从3.6 eV增至4.4 eV。较高的结晶质量和发光特性显示了它是一种制作短波光电器件和紫外探测器的理想材料。

固溶体半导体碲硫锌多晶薄膜的制备及发光特性研究

ZnS1 xTex薄膜具有高效的发光特性。样品可观测到强烈的光致发光,随着Te含量x的不同,发射光的颜色从深蓝到黄变化,使其成为制作短波长光波段光电子器件和紫外探测器的理想材料。本文介绍了ZnS1 xTex多晶薄膜真空蒸发制备的情况,并用X射线衍射仪对淀积在玻璃、石英玻璃和单晶硅衬底上的多晶薄膜进行结构分析,用紫外可见分光光度计、荧光光谱分析仪对样品的光吸收和发光性质进行研究。分析表明,该薄膜的结构符合闪锌矿的特征。紫外可见吸收光谱显示该样品在紫外光区有一个强烈的吸收峰,可见光区的吸收很微弱。光致发光光谱表明,样品在可见光区有一个以470nm为中心的发射峰,发射光肉眼可见。该多晶薄膜基本保持了单晶薄膜的紫外吸收、光致发光等良好特性。