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ZnO/ZnSe复合材料的制备、 表征及催化特性
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作者 张晓凯 蒋瑞枫 +1 位作者 付晓雪 刘忠民 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期1005-1010,共6页
对传统的两步水合热法进行改进,采用更加经济、安全、简便的方法在室温下合成ZnO/ZnSe核壳结构。调节原料比例,实验温度,优化了制备ZnO/ZnSe核壳结构的最佳生长与修饰条件,使其具有良好的分散性,时间稳定性,良好的发光特性。研究采用醋... 对传统的两步水合热法进行改进,采用更加经济、安全、简便的方法在室温下合成ZnO/ZnSe核壳结构。调节原料比例,实验温度,优化了制备ZnO/ZnSe核壳结构的最佳生长与修饰条件,使其具有良好的分散性,时间稳定性,良好的发光特性。研究采用醋酸锌作为锌源,硒粉作为硒源,通过调整原料比例以及实验温度制备出球形核壳结构的ZnO/ZnSe复合材料,用透射电子显微镜(TEM),X射线粉末衍射仪(XRD),紫外可见分光光度计(UV-Vis),光致发光光谱(PL),X射线光电子能谱(XPS)对晶体结构进行了表征,同时对光催化性能进行了研究。结果表明,改变实验条件,原料比例为Zn∶Se=1.6∶1,温度为80℃时生成的ZnO/ZnSe核壳结构对甲基橙溶液有较好的吸光效果。ZnSe过厚的壳层生长会阻碍复合材料对甲基橙的降解效率。实验数据结合理论分析得到了实验最佳条件。 展开更多
关键词 ZnO/znse核壳结构 光催化 透射电镜 X射线光电子能谱
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ZnSe基蓝光量子点的中间壳层结构调控及其发光性能研究
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作者 伍仕停 余春燕 +2 位作者 方佳庆 徐阳 翟光美 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第7期1160-1169,共10页
ZnSe作为一种不含重金属的宽带隙量子点(QDs),近年来在蓝光量子点及其发光二极管器件领域受到广泛关注。然而,ZnSe基核壳结构蓝光量子点的核壳界面处通常存在较大的晶格失配,易于形成缺陷态捕获载流子,从而影响其光学性能。本文通过将... ZnSe作为一种不含重金属的宽带隙量子点(QDs),近年来在蓝光量子点及其发光二极管器件领域受到广泛关注。然而,ZnSe基核壳结构蓝光量子点的核壳界面处通常存在较大的晶格失配,易于形成缺陷态捕获载流子,从而影响其光学性能。本文通过将均质的单层ZnSeS合金层替换为具有组分渐变结构的ZnSeS合金层,合成了具有径向方向Se/S浓度渐变梯度的ZnSeS合金中间壳层的ZnSeTe/ZnSe/ZnSeS/ZnS量子点,并利用X射线衍射谱、稳态光致发光光谱、时间分辨发光光谱、透射电镜和电致发光测试等表征手段研究了不同合金中间壳层对量子点结构、形貌和光学性能的影响。结果表明,所合成的具有组分梯度ZnSeS壳层的量子点的发射波长均为深蓝色(444.5 nm),发射线宽窄(<18 nm),尺寸均一,具有闪锌矿结构,结晶度高;随着ZnSeS合金中间壳层沿量子点径向方向组分渐变平滑度的不断提高,量子点的荧光量子效率(PLQY)和色纯度等光学性质依次改善,其中通过S原子扩散形成的具有线性缓变ZnSeS壳层的量子点具有最窄的发射线宽(15.8 nm)和最高的PLQY(20.7%)。利用这种具有最优荧光性能的量子点作为发光材料制备的发光二极管器件的最大外量子效率为1.8%,最高亮度为750 cd/m^(2)。本研究提出的量子点合成方案和结构优化策略有助于促进高质量无毒蓝光ZnSe基核/壳量子点的发展。 展开更多
关键词 无毒蓝光量子点 核/壳结构 梯度合金壳 znse 量子点发光二极管 发光性能
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水热-烧结法制备Cr^(2+):ZnSe/ZnSe核壳结构纳米孪晶
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作者 张婷婷 王方园 +4 位作者 刘长友 张国荣 吕佳辉 宋宇晨 介万奇 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期409-415,共7页
Cr^(2+)掺杂ZnSe纳米晶是一种重要的中红外材料,核壳结构的ZnSe基半导体纳米晶表现出优异的光学、电学与催化性能。纳米晶的缺陷可以影响其性能,如具有孪晶结构的纳米晶拥有更高的强度和硬度。为了提高掺杂纳米晶的综合性能,本工作以可... Cr^(2+)掺杂ZnSe纳米晶是一种重要的中红外材料,核壳结构的ZnSe基半导体纳米晶表现出优异的光学、电学与催化性能。纳米晶的缺陷可以影响其性能,如具有孪晶结构的纳米晶拥有更高的强度和硬度。为了提高掺杂纳米晶的综合性能,本工作以可溶性Zn盐为Zn源,以新制NaHSe溶液为Se源,以Cr(AC)_(2)为掺杂源,通过两次水热过程制备了核壳结构Cr^(2+):ZnSe/ZnSe,在氩气保护或高真空下分别于400和800℃烧结获得了室温下化学性质稳定的纳米晶。结构和形貌表征结果显示,纳米晶尺寸主要集中在20~30 nm之间,壳体厚度约为2.6 nm,纳米晶具有层错缺陷,并由此发展成为孪晶。分析可知孪晶面为(111),相邻两晶面夹角为70.02°,误差在±0.5°以内。随着样品结晶度提高,孪晶密度增大,表明释放晶格畸变能为层错和孪晶的形成提供驱动力,孪晶的形核与长大符合位错诱导机制。XPS分析表明,Cr元素以+2价存在于纳米晶中;反射光谱测试结果分析发现,烧结的纳米晶在1775 nm附近存在吸收带,表明所制纳米孪晶具有潜在的中红外发光性能。 展开更多
关键词 Cr^(2+):znse 核壳结构 纳米孪晶 孪晶机制 烧结
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ZnSe及其Mn掺杂复合材料光吸收催化性能和高压结构性能研究
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作者 王世霞 王晓雨 胡天意 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期380-385,共6页
ZnSe半导体材料是制备光电器件和光催化反应催化剂的重要原材料。其单体材料具有强光下易变质、电子-空穴复合等现象。通过元素掺杂制备ZnSe复合材料,并与单体材料对比研究了元素掺杂所提升的ZnSe的光学及结构性能。首先采用水热法实验... ZnSe半导体材料是制备光电器件和光催化反应催化剂的重要原材料。其单体材料具有强光下易变质、电子-空穴复合等现象。通过元素掺杂制备ZnSe复合材料,并与单体材料对比研究了元素掺杂所提升的ZnSe的光学及结构性能。首先采用水热法实验室制备纯ZnSe和Mn∶Zn加入比分别为5%、10%、15%和20%的ZnSe复合材料,对比材料形貌、结构,光吸收和催化性能,结果显示掺杂比为10%的样品结晶度最高,杂质成型量最少,催化性能最佳。采用Mao-Bell型金刚石压腔结合原位拉曼光谱探究纯ZnSe和掺杂比为10%的样品的高压结构相变行为,以探究元素掺杂对样品结构性能的影响。研究结果:(1)扫描电子显微镜(SEM)图显示,加入Mn元素后制得的ZnSe样品形貌为球状,与纯样大致相同,球状颗粒表面有小颗粒负载,且随着Mn加入量的增加,表面负载的物质增多;(2)X射线衍射(XRD)图谱表明,ZnSe样品结构为立方闪锌矿结构,随着Mn加入量的增加,样品MnSe特征峰增强,杂质MnO_(2)成型越完全。掺杂比为10%的样品ZnSe结晶度高,杂质成型量少;(3)固体紫外漫反射(UV-Vis)结果表明,掺杂比为10%的样品对光的吸收边最大,禁带宽度最小,为1.65 eV;(4)光催化实验结果显示,掺杂比为10%的样品催化降解甲基橙的效率最大,6 h降解85.4%。研究表明掺杂Mn元素比为10%的ZnSe复合材料,光吸收和催化性能相对最好。金刚石压腔结合原位拉曼光谱探究ZnSe样品和掺杂比为10%的样品的高压相变结果表明,(1)纯ZnSe的LO声子模在压力上升到12.3 GPa时基本消失,TO声子模在压力上升到20.8 GPa时消失,整个加压过程中没有新峰生成,纯ZnSe发生闪锌矿相向岩盐矿相转变的高压行为;(2)复合材料的TO声子模在6.9 GPa时发生劈裂,在8.0 GPa时208 cm^(-1)处有新峰出现,表明在此压力下部分样品由闪锌矿相转变为辰砂矿相。在10.8 GPa时辰砂矿相的峰消失,体系发生由辰砂矿相向岩盐矿相转变;加压至18.8 GPa,LO声子模非常微弱,几近消失,此时体系中的闪锌矿相完全转化为岩盐矿相。研究了不同条件下ZnSe的光催化性能和相变行为,探究了不同掺杂比对ZnSe光催化性能的影响,确定掺杂比为10%的ZnSe样品为最佳掺杂比复合材料,丰富了极端条件下ZnSe的物理化学性质的多样性研究。 展开更多
关键词 znse MN掺杂 光吸收性能 光催化性能 高压相变
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Investigating the charge transfer mechanism of ZnSe QD/COF S-scheme photocatalyst for H_(2)O_(2) production by using femtosecond transient absorption spectroscopy
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作者 Yanyan Zhao Chunyan Yang +4 位作者 Shumin Zhang Guotai Sun Bicheng Zhu Linxi Wang Jianjun Zhang 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE CAS CSCD 2024年第8期258-269,共12页
Hydrogen peroxide(H_(2)O_(2))has gained widespread attention as a versatile oxidant and a mild disin-fectant.Here,an electrostatic self-assembly method is applied to couple ZnSe quantum dots(QDs)with a flower-like cov... Hydrogen peroxide(H_(2)O_(2))has gained widespread attention as a versatile oxidant and a mild disin-fectant.Here,an electrostatic self-assembly method is applied to couple ZnSe quantum dots(QDs)with a flower-like covalent organic framework(COF)to form a step-scheme(S-scheme)photocata-lyst for H_(2)O_(2)production.The as-prepared S-scheme photocatalyst exhibits a broad light absorption range with an edge at 810 nm owing to the synergistic effect between the ZnSe QDs and COF.The S-scheme charge-carrier transfer mechanism is validated by performing Fermi level calculations and in-situ X-ray photoelectron and femtosecond transient absorption spectroscopies.Photolumi-nescence,time-resolved photoluminescence,photocurrent response,electrochemical impedance spectroscopy,and electron paramagnetic resonance results show that the S-scheme heterojunction not only promotes charge carrier separation but also boosts the redox ability,resulting in enhanced photocatalytic performance.Remarkably,a 10%-ZnSe QD/COF has excellent photocatalytic H_(2)O_(2)-production activity,and the optimal S-scheme composite with ethanol as the hole scavenger yields a H_(2)O_(2)-production rate of 1895 mol g^(-1)h^(-1).This study presents an example of a high-performance organic/inorganic S-scheme photocatalyst for H_(2)O_(2)production. 展开更多
关键词 znse quantum dot Covalent organic framework S-scheme heterojunction Carrier migration and separation H_(2)O_(2) production
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喷墨打印用高稳定性水系ZnSe:Mn量子点的制备及光学性能研究
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作者 敬新柯 胡晓博 +2 位作者 王建成 王蒙蒙 曾赛 《广州化工》 CAS 2024年第15期20-24,31,共6页
水系锰离子掺杂硒化锌(ZnSe:Mn)量子点因其可大规模合成、环境友好无毒性而受到研究者们的广泛关注。然而,表面缺陷多易引起晶体氧化分解、纳米晶体自净化效应导致离子掺杂困难等问题,极大地降低了ZnSe:Mn量子点的荧光性能及其稳定性,... 水系锰离子掺杂硒化锌(ZnSe:Mn)量子点因其可大规模合成、环境友好无毒性而受到研究者们的广泛关注。然而,表面缺陷多易引起晶体氧化分解、纳米晶体自净化效应导致离子掺杂困难等问题,极大地降低了ZnSe:Mn量子点的荧光性能及其稳定性,并限制其实际应用。本文利用合适比例的异丙醇/水混合溶液和稀氢氧化钠溶液,通过“整体防御”结合“局部修复”的两步法改性策略对ZnSe:Mn量子点表面进行后处理,得到表面改性后的ZnSe:Mn量子点,并进行X射线衍射、X射线光电子能谱、荧光光谱、电子自旋共振波谱仪等测试表征。结果表明:该后处理技术可以简便高效地钝化ZnSe:Mn量子点的表面缺陷,大幅提高绝对量子产率至25%,并同时其稳定性得到显著提升,有效抑制了晶格的氧化解离过程,这为制备高性能的水溶性ZnSe:Mn量子点提供了可行途径。通过配制水性量子点墨水并进行喷墨打印演示,证明该材料有望作为一种可应用于塑料外观的新型品牌标记方式。 展开更多
关键词 znse:Mn量子点 表面改性 缺陷钝化 荧光性能 喷墨打印
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化学气相沉积ZnS、ZnSe研究进展 被引量:1
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作者 赵小玻 韦中华 +2 位作者 张旭 钱纁 于浩海 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第12期2125-2134,共10页
化学气相沉积(CVD)ZnS、ZnSe具有较高的红外透过率及良好的光学、力学性能,是红外军用探测系统首选的红外光学材料。大尺寸、高均匀性ZnS、ZnSe材料的制备是未来研究的重要课题。本文介绍了CVD的原理及在沉积过程中存在的主要问题,阐述... 化学气相沉积(CVD)ZnS、ZnSe具有较高的红外透过率及良好的光学、力学性能,是红外军用探测系统首选的红外光学材料。大尺寸、高均匀性ZnS、ZnSe材料的制备是未来研究的重要课题。本文介绍了CVD的原理及在沉积过程中存在的主要问题,阐述了高性能红外材料必备的光学性能,综述和分析了CVD ZnS、CVD ZnSe的研究进展,以及这两种材料主要缺陷形成机理与工艺控制研究。旨在改进生产工艺参数,为批量化制备高性能ZnS、ZnSe材料提供理论参考,以满足其在军事领域上的应用。 展开更多
关键词 ZNS znse 化学气相沉积 透过率 吸收系数 缺陷 红外光学材料
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纯蓝光ZnSe基核/壳结构量子点的合成与发光性能 被引量:1
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作者 贾汉林 伍仕停 +2 位作者 方佳庆 余春燕 翟光美 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第11期1774-1783,共10页
探索了纯蓝光ZnSe基核/壳结构量子点的合成方法,研究了各种反应参数对量子点发光性能的影响,通过Te元素掺杂和尺寸调控相结合的方法使量子点发光波长红移至蓝光波段,并通过引入氟化锌对表界面缺陷进行腐蚀/钝化,从而提高了所制备量子点... 探索了纯蓝光ZnSe基核/壳结构量子点的合成方法,研究了各种反应参数对量子点发光性能的影响,通过Te元素掺杂和尺寸调控相结合的方法使量子点发光波长红移至蓝光波段,并通过引入氟化锌对表界面缺陷进行腐蚀/钝化,从而提高了所制备量子点的发光强度。结果表明,当初始反应温度为200℃、初始反应时间为120 min时,得到的ZnSe核可以实现380 nm波长的发光,且更加适合后续的Te元素掺杂;当Te和Se的摩尔比为0.01时,所合成的ZnSe基核/壳量子点在实现442 nm波长的蓝色发光的同时,保持了15 nm的窄发光半峰全宽;当ZnF_(2)的添加量为1.5 mmol时,量子点的发光强度比不添加ZnF_(2)时提升了约3倍;量子点尺寸均一且在正辛烷中保持了高分散性,具有良好的成膜性,所制备出的量子点薄膜表面致密平滑无明显裂纹。本研究结果有助于促进高质量无毒蓝光ZnSe基核/壳量子点合成技术的发展及其在下一代显示技术中的应用。 展开更多
关键词 无毒蓝光量子点 核/壳结构 znse Te掺杂 氟化锌(ZnF_(2)) 缺陷腐蚀 缺陷钝化
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面向量子点电致发光二极管的蓝光InP和ZnSe量子点研究现状 被引量:1
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作者 杨书淇 刘方海 +1 位作者 陈萍 陈雷 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2023年第12期1631-1644,共14页
作为传统显示器强有力的竞争者之一,量子点发光二极管(QLED)在显示领域备受关注。然而,高性能蓝光QLED器件的发光材料中通常含有镉或铅,这两类重金属有毒元素对人体健康和生态环境不利,也阻碍了QLED器件的规模化商用进程。因此,高质量... 作为传统显示器强有力的竞争者之一,量子点发光二极管(QLED)在显示领域备受关注。然而,高性能蓝光QLED器件的发光材料中通常含有镉或铅,这两类重金属有毒元素对人体健康和生态环境不利,也阻碍了QLED器件的规模化商用进程。因此,高质量无镉无铅型蓝光量子点材料的研发成为推动新型显示产业发展的动力和业界迫切追求的目标。历经数十年发展,InP和ZnSe等无镉无铅量子点材料的蓝光发射性能已取得较大进步,随着合成策略及蓝光材料的进一步优化改进,环境友好型蓝光量子点发光二极管器件性能有望追上传统红、绿光量子点器件的步伐。本文分别从合成优化手段、表面包覆策略、核壳结构类型、发光性能参数等方面进行汇总,系统综述了当前无镉无铅型蓝光InP和ZnSe量子点材料的研究进展,指出了QLED蓝光材料未来的发展方向。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 蓝光量子点 电致发光 znse INP
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大口径ZnSe晶体单点金刚石车削工艺技术研究 被引量:1
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作者 兰喜瑞 张宇佳 +1 位作者 孙宏宇 吴凡 《光电技术应用》 2023年第3期72-74,84,共4页
表面质量是衡量大口径ZnSe晶体能否用于红外成像和激光光学系统中最重要评价参数之一。大口径ZnSe晶体通常采用单点金刚石车削的加工方式。这种方式表面容易产生白点、云雾状缺陷,严重影响红外和激光光学系统质量。ZnSe晶体的表面质量... 表面质量是衡量大口径ZnSe晶体能否用于红外成像和激光光学系统中最重要评价参数之一。大口径ZnSe晶体通常采用单点金刚石车削的加工方式。这种方式表面容易产生白点、云雾状缺陷,严重影响红外和激光光学系统质量。ZnSe晶体的表面质量与主轴转速、进给速度、切削深度、刀具半径等多个加工工艺参数影响因素密切相关。采用Taguchi法设计加工实验,对各个工艺参数进行深入研究,得到优化加工工艺参数组合,最终得到大口径ZnSe晶体的加工工艺技术方案。 展开更多
关键词 大口径znse晶体 单点金刚石车削 加工工艺参数 Taguchi法
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CdZnSe/ZnSe/ZnSeS量子点材料的制备及其量子点电致发光器件性能研究
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作者 黄桥灿 杨尊先 郭太良 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第8期658-664,共7页
量子点(QDs)材料由于其出色单色性,发光可调等优点,在电致器件方面得到了快速的发展。文章研究通过物理方法在QDs核生长的过程中用溶剂稀释单体的浓度,减少QDs核的生长时间,从而可在不改变化学成分比例的基础上改变QDs的发光波长。进一... 量子点(QDs)材料由于其出色单色性,发光可调等优点,在电致器件方面得到了快速的发展。文章研究通过物理方法在QDs核生长的过程中用溶剂稀释单体的浓度,减少QDs核的生长时间,从而可在不改变化学成分比例的基础上改变QDs的发光波长。进一步通过包覆ZnSe与ZnSeS壳层对发光波长进行调制,最终得到光致波长在540 nm的绿色QDs。通过对比实验以及LaMer模型解释了发生变色的原理。仅在核的生长阶段进行干涉才能控制QDs的发光峰位。同时发现提高QDs外壳的包覆温度对QDs的缺陷的减少有积极作用。随后将得到的QDs用于制备量子点电致发光器件,在8 V电压下得到了348993 Cd/m^(2)的亮度,以及32 Cd/A的电流效率。另外,该方法可以为其它类型的由热注入法制备的纳米材料制备提供新的思路。 展开更多
关键词 热注入法 Cdznse/znse/znseS 量子点 量子点电致发光器件
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HPVB法Fe^(2+):ZnSe激光晶体生长及激光输出特性
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作者 夏士兴 谢文强 +3 位作者 付秋月 魏磊 丁宇 张丰发 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第7期1033-1036,共4页
本文采用纯度为99.999%的颗粒状ZnSe为基质材料,纯度为99.998%的FeSe粉末为掺杂物,通过HPVB法生长了Fe^(2+):ZnSe晶体,晶体尺寸达Φ50.8 mm×120 mm。采用电感耦合等离子发射光谱仪测试了Fe^(2+):ZnSe晶体样品中铁离子掺杂浓度为3.0... 本文采用纯度为99.999%的颗粒状ZnSe为基质材料,纯度为99.998%的FeSe粉末为掺杂物,通过HPVB法生长了Fe^(2+):ZnSe晶体,晶体尺寸达Φ50.8 mm×120 mm。采用电感耦合等离子发射光谱仪测试了Fe^(2+):ZnSe晶体样品中铁离子掺杂浓度为3.048×10^(18)cm^(-3)。采用粉末XRD衍射仪测试了Fe^(2+):ZnSe晶体样品的X-射线衍射谱,其衍射谱与基质ZnSe样品衍射谱匹配度达92%。采用UV/VIS/NIR分光光度计和傅里叶红外光谱仪测试了Fe^(2+):ZnSe晶体样品的透过谱图,透过谱在波长3.0μm处出现了明显的Fe^(2+)离子吸收峰。采用2.94μm Er:YAG激光器为泵浦源抽运尺寸为10 mm×10 mm×4 mm的Fe^(2+):ZnSe晶体样品,重复频率为100 Hz时,激光能量输出达12 mJ,输出波长调谐范围3.95~4.15μm。 展开更多
关键词 HPVB法 Fe^(2+):znse晶体 离子掺杂浓度 中波红外 激光输出
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Thermally Evaporated ZnSe for Efficient and Stable Regular/Inverted Perovskite Solar Cells by Enhanced Electron Extraction 被引量:1
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作者 Xin Li Guibin Shen +6 位作者 Xin Ren Ng Zhiyong Liu Yun Meng Yongwei Zhang Cheng Mu Zhi Gen Yu Fen Lin 《Energy & Environmental Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第5期440-448,共9页
Electron transport layers(ETLs)are crucial for achieving efficient and stable planar perovskite solar cells(PSCs).Reports on versatile inorganic ETLs using a simple film fabrication method and applicability for both l... Electron transport layers(ETLs)are crucial for achieving efficient and stable planar perovskite solar cells(PSCs).Reports on versatile inorganic ETLs using a simple film fabrication method and applicability for both low-cost planar regular and inverted PSCs with excellent efficiencies(>22%)and high stability are very limited.Herein,we employ a novel inorganic ZnSe as ETL for both regular and inverted PSCs to improve the efficiency and stability using a simple thermal evaporation method.The TiO_(2)-ZnSe-FAPbl_(3)heterojunction could be formed,resulting in an improved charge collection and a decreased carrier recombination further proved through theoretical calculations.The optimized regular PSCs based on TiO_(2)/ZnSe have achieved 23.25%efficiency with negligible hysteresis.In addition,the ZnSe ETL can also effectively replace the unstable bathocuproine(BCP)in inverted PSCs.Consequently,the ZnSe-based inverted device realizes a champion efficiency of 22.54%.Moreover,the regular device comprising the TiO_(2)/ZnSe layers retains 92%of its initial PCE after 10:00 h under 1 Sun continuous illumination and the inverted device comprising the C_(60)/ZnSe layers maintains over 85%of its initial PCE at 85℃for 10:00 h.This highlights one of the best results among universal ETLs in both regular and inverted perovskite photovoltaics. 展开更多
关键词 high efficiency long-term stability planar regular/inverted perovskite solar cells thermal evaporation znse electron transport layer
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晶体院山东公司大尺寸、大厚度CVD ZnSe晶体生长取得新突破
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作者 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第12期2236-2236,共1页
近期,中材人工晶体研究院(山东)有限公司(简称晶体院山东公司)张福昌博士带领的研发团队在大尺寸、大厚度化学气相沉积硒化锌(CVD ZnSe)晶体生长技术领域取得重要突破。该团队基于自主研发设计制造的CVD ZnSe大型生长装备,生长出长2 m、... 近期,中材人工晶体研究院(山东)有限公司(简称晶体院山东公司)张福昌博士带领的研发团队在大尺寸、大厚度化学气相沉积硒化锌(CVD ZnSe)晶体生长技术领域取得重要突破。该团队基于自主研发设计制造的CVD ZnSe大型生长装备,生长出长2 m、宽1 m、厚度30~40 mm且性能优异的硒化锌多晶材料,如图1所示。 展开更多
关键词 硒化锌 人工晶体 化学气相沉积 多晶材料 研发团队 CVD 自主研发设计 znse
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ZnSe/ZnS核壳结构量子点的制备及光电性能
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作者 乔华丽 《信息记录材料》 2023年第7期34-36,共3页
为探究ZnSe/ZnS核壳结构量子点光电性能,开展对其制备及光电性能的实验研究。在实验中所需设备包括X射线衍射仪、透射电子显微镜、紫外-可见分光光度计等,所需材料有括硒粉、醋酸锌、硼氢化钠、硫化亚铁等。利用所选设备和材料完成对ZnS... 为探究ZnSe/ZnS核壳结构量子点光电性能,开展对其制备及光电性能的实验研究。在实验中所需设备包括X射线衍射仪、透射电子显微镜、紫外-可见分光光度计等,所需材料有括硒粉、醋酸锌、硼氢化钠、硫化亚铁等。利用所选设备和材料完成对ZnSe/ZnS核壳结构量子点的制备。在制备过程中获取样本光谱图,并用电子显微镜对其结构表面观察。通过实验研究得出,制备的ZnSe/ZnS核壳结构量子点具有良好的水溶性,经过分散后可以得到稳定性更强的水溶液,同时温度、时间、反应物用量等都会影响ZnS壳的厚度。以期为提升ZnSe/ZnS材料应用适应性提供参考。 展开更多
关键词 znse/ZnS 光电性能 核壳结构 量子点
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不同形貌ZnSe的制备及光电化学性能 被引量:5
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作者 郝彦忠 酆云 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期788-792,共5页
采用水热法制备了ZnSe纳米棒和微球,用XRD,TGA—DTA和SEM等技术对其进行了表征,提出了解释ZnSe微球的形成新机理.研究结果表明,纳米棒直径为50~100nm,棒长约为200~300nm,ZnSe微球直径为3~10μm.;纳米棒在反应温度为240℃时... 采用水热法制备了ZnSe纳米棒和微球,用XRD,TGA—DTA和SEM等技术对其进行了表征,提出了解释ZnSe微球的形成新机理.研究结果表明,纳米棒直径为50~100nm,棒长约为200~300nm,ZnSe微球直径为3~10μm.;纳米棒在反应温度为240℃时具有闪锌矿和纤维锌矿型7昆晶结构,微球在反应温度为210℃时具有闪锌矿结构;将ZnSe纳米棒和微球均匀地涂在导电玻璃的导电面上,于380℃煅烧40min后制成膜电极,并进行了光电化学研究,纳米棒膜结构电极最高单色光的光电转换效率(IPCE)可达到9.09%. 展开更多
关键词 水热法 znse纳米棒 znse微球 光电化学
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ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变 被引量:1
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作者 郭子政 梁希侠 班士良 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期456-460,共5页
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明 ,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同 ,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数 ,但比Γ点的压力系数小 ,这是ZnSe材料... 用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明 ,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同 ,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数 ,但比Γ点的压力系数小 ,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层Γ、X、L对称点压力系数的影响 。 展开更多
关键词 znse znse/GaAs 静压 异质结构 直接禁带-间接禁带转变 压力系数 半导体材料 硒化锌 砷化镓 光致发光
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ZnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究
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作者 方再利 李国华 +4 位作者 韩和相 丁琨 陈晔 彭中灵 袁诗鑫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期28-32,共5页
测量了ZnSe0 .92 Te0 .0 8 ZnSe超晶格量子阱材料在 77K时 0~ 7.8GPa静压下的光致发光谱 .观察到ZnSe0 .92Te0 .0 8阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光 ,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约 5 0 % ,表明Te等电子陷阱对激... 测量了ZnSe0 .92 Te0 .0 8 ZnSe超晶格量子阱材料在 77K时 0~ 7.8GPa静压下的光致发光谱 .观察到ZnSe0 .92Te0 .0 8阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光 ,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约 5 0 % ,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的 .还观察到了激子在ZnSe0 .92 Te0 .0 8阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻 (CdSe) 1 (ZnSe) 3 展开更多
关键词 TE 等电子陷阱 光致发光谱 锌硒碲三元化合物 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 静压 znseTe/znse znse 硒化锌 量子阱
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ZnSe和Cr∶ZnSe单晶的温梯法制备及光学性能研究 被引量:1
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作者 张浩 李琳 +4 位作者 宋平新 张迎九 冷雨欣 许毅 董永军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期848-852,共5页
采用温度梯度法(TGT)生长了直径为32 mm大尺寸ZnSe晶体。对生长出的ZnSe单晶进行了光学性能分析。采用磁控溅射方法在ZnSe晶体上镀铬膜,通过热扩散方法成功制备出中红外Cr∶ZnSe激光晶体,并研究了Cr∶ZnSe晶体的光谱性能。吸收光谱测试... 采用温度梯度法(TGT)生长了直径为32 mm大尺寸ZnSe晶体。对生长出的ZnSe单晶进行了光学性能分析。采用磁控溅射方法在ZnSe晶体上镀铬膜,通过热扩散方法成功制备出中红外Cr∶ZnSe激光晶体,并研究了Cr∶ZnSe晶体的光谱性能。吸收光谱测试观察到了Cr2+(3d4)取代四面体配位Zn2+的5T2→5E能级的跃迁在1800nm的吸收带。77 K低温的光致发光光谱表明Cr∶ZnSe晶体具有中心波长位于2.2μm的宽谱带发射特征。 展开更多
关键词 znse Cr∶znse 温度梯度法(TGT) 中红外
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ZnO/ZnSe复合纳米结构的制备及可见光光催化性能 被引量:18
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作者 梁建 何霞 +3 位作者 董海亮 刘海瑞 张华 许并社 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期455-460,共6页
通过热水解法,以氧化锌为模板,成功制备出形貌均一的ZnO/ZnSe复合纳米结构.为了对比不同O/Se比对光催化性能的影响,保持其它反应参数不变,调节还原剂水合肼的用量,得到不同硒化程度的ZnO/ZnSe复合纳米结构.采用场发射扫描电子显微镜、X... 通过热水解法,以氧化锌为模板,成功制备出形貌均一的ZnO/ZnSe复合纳米结构.为了对比不同O/Se比对光催化性能的影响,保持其它反应参数不变,调节还原剂水合肼的用量,得到不同硒化程度的ZnO/ZnSe复合纳米结构.采用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射仪和透射电子显微镜对样品的形貌及结构进行了表征,通过测试该复合结构对亚甲基蓝的可见光催化降解评估了其光催化效率.结果表明,与纯ZnO比,ZnO/ZnSe复合结构在可见光区域和紫外光区域的光吸收范围变宽,显示出较高的光催化效率.原因在于ZnSe导带上的电子在扩散势能的作用下迁移到ZnO的导带上,而空穴仍保留在ZnSe价带,这样有助于光生电子和空穴对的分离,降低其复合机率,从而提高ZnO的光催化效率. 展开更多
关键词 ZNO ZNO znse 亚甲基蓝 光催化效率
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