ZnSe宽带隙半导体光发射器件

ZnSe宽带隙半导体光发射器件是未来全色光显示和高密度光记录用的重要器件。在相继完成材料、掺杂技术 ,以及器件结构相关的研究工作后 ,目前正在攻克器件实用化的关键技术———寿命。介绍了ZnSe的 p型和n型导电材料的控制技术及其LD和LED的开发进展。

蓝色波段发光和激光二极管的新进展

文章在简要概述了几种适合制备短波长发光器件材料——SiC,GaN和ZnSe的晶体结构、掺杂性质及外延技术后,主要介绍了它们在制备蓝色波段发光和激光二极管的新进展。

电脉冲下ZnSeLD受激发射

用光助，低压ＭＯＣＶＤ方法获得ｐ－ＺｎＳｅ，ｐ－ＺｎＳＳｅ受主浓度为３×１０１７ｃｍ－３和８×１０１６～２×１０１７ｃｍ－３的条件下，生长制备了ｎ－ＺｎＳＳｅｎ－ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ／ｐ－ＺｎＳｅｐ－ＺｎＳＳｅ的ＺｎＳｅＬＤ结构。在经解理约为１ｍｍ腔长样品上，在７７Ｋ，观测到其蓝绿发光峰值半高宽随脉冲电压增加出现窄化现象，表明有激射产生。