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ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变
被引量:
1
1
作者
郭子政
梁希侠
班士良
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期456-460,共5页
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明 ,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同 ,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数 ,但比Γ点的压力系数小 ,这是ZnSe材料...
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明 ,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同 ,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数 ,但比Γ点的压力系数小 ,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层Γ、X、L对称点压力系数的影响 。
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关键词
znse
znse/gaas
静压
异质结构
直接禁带-间接禁带转变
压力系数
半导体材料
硒化锌
砷化镓
光致发光
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职称材料
热壁外延ZnSe/GaAs薄膜生长机理的研究
2
作者
王杰
李喆深
+3 位作者
蔡群
陆春明
沈军
王迅
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第2期90-94,共5页
本文用四极质谱(QMS)、X射线光电子谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)等手段,对单一源热壁外延(HWB)ZnSe/GaAs 薄膜的生长机理作了一些研究.这些研究主要包括 ZnSe源的蒸发情况以及在不同衬底温度条件下,外延薄膜的化学配比状态.
关键词
热壁外延
薄膜
外延生长
znse/gaas
下载PDF
职称材料
题名
ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变
被引量:
1
1
作者
郭子政
梁希侠
班士良
机构
内蒙古大学理工学院物理系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期456-460,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目 (60 1660 0 2 )
文摘
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明 ,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同 ,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数 ,但比Γ点的压力系数小 ,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层Γ、X、L对称点压力系数的影响 。
关键词
znse
znse/gaas
静压
异质结构
直接禁带-间接禁带转变
压力系数
半导体材料
硒化锌
砷化镓
光致发光
Keywords
hydrostatic pressure
heterojunction
direct gap indirect gap transformation
pressure coefficient
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
热壁外延ZnSe/GaAs薄膜生长机理的研究
2
作者
王杰
李喆深
蔡群
陆春明
沈军
王迅
机构
复旦大学应用表面物理国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第2期90-94,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文用四极质谱(QMS)、X射线光电子谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)等手段,对单一源热壁外延(HWB)ZnSe/GaAs 薄膜的生长机理作了一些研究.这些研究主要包括 ZnSe源的蒸发情况以及在不同衬底温度条件下,外延薄膜的化学配比状态.
关键词
热壁外延
薄膜
外延生长
znse/gaas
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变
郭子政
梁希侠
班士良
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
下载PDF
职称材料
2
热壁外延ZnSe/GaAs薄膜生长机理的研究
王杰
李喆深
蔡群
陆春明
沈军
王迅
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992
0
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
统计分析
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