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静压下ZnSe/Zn_(1-x)Cd_xSe应变异质结中电子的本征态
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作者 白鲜萍 班士良 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期621-626,共6页
运用三角势近似且计入电子向势垒的隧穿,通过数值计算方法求解定态薛定谔方程,研究流体静压力影响下有限深势垒ZnSe/Zn1-xCdxSe应变异质结中电子的本征态问题,讨论了其基态、第一激发态和第二激发态本征能量及相应的各级本征函数,同时... 运用三角势近似且计入电子向势垒的隧穿,通过数值计算方法求解定态薛定谔方程,研究流体静压力影响下有限深势垒ZnSe/Zn1-xCdxSe应变异质结中电子的本征态问题,讨论了其基态、第一激发态和第二激发态本征能量及相应的各级本征函数,同时与无应变的情形进行了比较分析.数值计算结果表明,应变使电子的能级降低,能级间距减小,且导致波函数的隧穿几率增加.静压效应显著降低能级和能级间距.因此,讨论电子在应变型异质结构中的散射问题时,需要计入材料间由于晶格不匹配而产生的应变效应的影响. 展开更多
关键词 应变异质结 本征值 本征态函数 隧穿 znse/zn1-xcdxse
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静压下Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe窄量子阱的激子和光跃迁 被引量:1
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作者 郭子政 梁希侠 班士良 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期946-950,共5页
利用波恩公式近似建立了应变与介电常量的定量关系 考虑应变对介电常量、有效质量、晶格常量 (体积 )等诸多物理量的影响 ,用变分法计算了静压下Zn1 -xCdxSe/ZnSe窄量子阱中激子结合能和光跃迁能量随压力的变化
关键词 zn1-xcdxse/znse 窄量子阱 静压 介电常量 有效质量 激子 光跃迁 应变 半导体 超晶格 光致发光
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不同偏压下Zn_(1-x)Cd_xSe-ZnSe超晶格室温电调制反射谱研究 被引量:1
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作者 于广辉 范希武 +4 位作者 关郑平 杨春雷 张吉英 申德振 胡德宝 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期1-5,共5页
首次研究了在室温和不同直流偏压下 Zn1-x Cdx Se -Zn Se超晶格结构的电调制反射谱 ( ER)的变化。当器件处于弱场范围时 ,随着电场的增加 ,ER谱的信号幅度增加 ,而线型不变 ;在强场区 ,随着电场的增加 ,ER谱的线型发生变化 ,激子跃迁能... 首次研究了在室温和不同直流偏压下 Zn1-x Cdx Se -Zn Se超晶格结构的电调制反射谱 ( ER)的变化。当器件处于弱场范围时 ,随着电场的增加 ,ER谱的信号幅度增加 ,而线型不变 ;在强场区 ,随着电场的增加 ,ER谱的线型发生变化 ,激子跃迁能量红移 ,继续增加反向偏压出现来自于 1 c-2 hh的禁戒跃迁 ,且其强度随反向偏压的增加迅速增加。不同偏压下组合超晶格结构的 ER谱研究表明 ,势垒高度较低的超晶格结构中的激子较易受到电场的调制。 展开更多
关键词 超晶格 电调制反射谱 电光调制 半导体
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Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数
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作者 郭子政 梁希侠 班士良 《量子光学学报》 CSCD 2002年第3期125-132,共8页
考虑压力下势垒高度、激子结合能的改变等诸多因素的影响后数值研究了Ⅱ -Ⅵ族ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数 ,特别是压力系数随阱宽的变化规律。计算表明在SCPA近似下跃迁能量的计算与实验值吻合较好 ,而在压力系... 考虑压力下势垒高度、激子结合能的改变等诸多因素的影响后数值研究了Ⅱ -Ⅵ族ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数 ,特别是压力系数随阱宽的变化规律。计算表明在SCPA近似下跃迁能量的计算与实验值吻合较好 ,而在压力系数的计算中必须计及材料的体积弹性模量随温度和压力的变化。证实了ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的压力系数随阱宽增大而减小的结论。 展开更多
关键词 zn1-xcdxse/znse 重空穴激子 跃迁能量 量子阱 光跃迁 压力系数 静压 半导体 光致发光
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分子束外延ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)超晶格光学特性
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作者 史向华 王兴军 +1 位作者 俞根才 侯晓远 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期377-380,共4页
用分子束外延方法在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的 Zn Se/ Zn Sx Se1 - x(x=0 .12 )超晶格结构 ,通过 X射线衍射谱和光致发光谱 ,对其结构特性和光学特性进行了研究 .结果表明 :在 4 .4 K温度下 ,超晶格样品显示较强的蓝光发射 ,... 用分子束外延方法在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的 Zn Se/ Zn Sx Se1 - x(x=0 .12 )超晶格结构 ,通过 X射线衍射谱和光致发光谱 ,对其结构特性和光学特性进行了研究 .结果表明 :在 4 .4 K温度下 ,超晶格样品显示较强的蓝光发射 ,主发光峰对应于阱层 Zn Se的基态电子到重空穴基态的自由激子跃迁 ,而且其峰位相对于 Zn Se薄膜的自由激子峰有明显蓝移 .从理论上分析计算了由应变和量子限制效应引起的自由激子峰位移动 。 展开更多
关键词 分子束外延 zndse/znsxSe1-x 超晶格 光学特性 X射线衍射谱 光致发光性质 硒化锌 锌硫硒混合物
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应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnS_xSe_(1-x)和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)价带带阶的研究
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作者 蔡淑惠 王仁智 +1 位作者 郑永梅 郑金成 《发光学报》 CSCD 北大核心 1998年第4期293-299,共7页
采用基于原子球近似下线性Mufin-Tin轨道(LMTO-ASA)的平均键能计算方法,研究了以ZnSxSe1-x为衬底,沿(001)方向外延生长的应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnSxSe1-x和ZnSe/Z... 采用基于原子球近似下线性Mufin-Tin轨道(LMTO-ASA)的平均键能计算方法,研究了以ZnSxSe1-x为衬底,沿(001)方向外延生长的应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnSxSe1-x和ZnSe/ZnSxSe1-x的价带带阶值ΔEv(x).研究表明,ΔEv(x)值随衬底合金组分x单调变化.且两者的关系是非线性的.在此计算结果与其它理论计算和实验结果符合较好. 展开更多
关键词 硫化锌 硒化锌 异质结 价带带阶 平均键能
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Hydrostatic pressure effect on the electron mobility in a ZnSe/Zn_(1-x)Cd_xSe strained heterojunction
7
作者 白鲜萍 班士良 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第12期4606-4613,共8页
With a memory function approach, this paper investigates the electronic mobility parallel to the interface in a ZnSe/Zn1-xCdxSe strained heterojunction under hydrostatic pressure by considering the intersubband and in... With a memory function approach, this paper investigates the electronic mobility parallel to the interface in a ZnSe/Zn1-xCdxSe strained heterojunction under hydrostatic pressure by considering the intersubband and intrasubband scattering from the optical phonon modes. A triangular potential approximation is adopted to simplify the potential of the conduction band bending in the channel side and the electronic penetrating into the barrier is considered by a finite interface potential in the adopted model. The numerical results with and without strain effect are compared and analysed. Meanwhile, the properties of electronic mobility under pressure versus temperature, Cd concentration and electronic density are also given and discussed, respectively. It shows that the strain effect lowers the mobility of electrons while the hydrostatic pressure effect is more obvious to decrease the mobility. The contribution induced by the longitudinal optical phonons in the channel side is dominant to decide the mobility. Compared with the intrasubband scattering it finds that the effect of intersubband scattering is also important for the studied material. 展开更多
关键词 electron mobility znse/zn1-xcdxse strain pressure effect
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Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe的量子Stark效应的变分法研究 被引量:2
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作者 吴旭明 唐九耀 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期339-342,共4页
用变分法计算了在不同量子阱宽度、不同外电场强度下 ,Zn0 .8Cd0 .2 Se/ Zn Se量子阱中电子、空穴基态能量及激子束缚能的变化规律 ,并根据所得的 Ee、Eh 和 Eb 数据 ,计算出激子吸收峰的 Stark移动 .计算结果显示 ,随着外电场强度和量... 用变分法计算了在不同量子阱宽度、不同外电场强度下 ,Zn0 .8Cd0 .2 Se/ Zn Se量子阱中电子、空穴基态能量及激子束缚能的变化规律 ,并根据所得的 Ee、Eh 和 Eb 数据 ,计算出激子吸收峰的 Stark移动 .计算结果显示 ,随着外电场强度和量子阱宽度的增大 ,量子 Stark效应变得更为显著 .本文还把计算所得的 Stark移动与从激子吸收光谱曲线中得到的实验数据进行了比较 ,当阱宽等于 9nm、电场为 10 0 k V/ cm时 ,两者符合得较好 . 展开更多
关键词 量子Stark 效应 变分法 量子阱 半导体
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Zn_(1-x)Mn_(x)/ZnSe应变超晶格分子束外延生长及光学特性研究
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作者 靳彩霞 史向华 +5 位作者 柯炼 张保平 凌晨 余更才 王杰 候晓远 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期635-640,共6页
用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe/ZnSe(x=0.16)超晶格结构,用X射线衍射和低温光致发光(PL)对其结构、应变分布以及光学性能进行了研究。结果表明,2K温度下,... 用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe/ZnSe(x=0.16)超晶格结构,用X射线衍射和低温光致发光(PL)对其结构、应变分布以及光学性能进行了研究。结果表明,2K温度下,Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格的光致发光中主发光峰对应于ZnSe阱中基态电子和基态轻空穴之间的自由激子跃迁,而且其峰位相对于ZnSe薄膜材料的自由激子峰有明显移动。其中,当超晶格的总厚度大于其临界厚度时,自由激子峰位向低能方向红移2meV;当超晶格总厚度小于其临界厚度时,自由激子峰位向高能方向蓝移6meV。理论上分析计算了由应变和量子限制效应引起的自由激子的峰位移动,理论和实验符合很好。 展开更多
关键词 zn1-xMnxSe/znse超晶格 X射线衍射谱 光致发光性质
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应用N-乙酰-L-半胱氨酸合成紫色-近红外荧光发射的量子点 被引量:1
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作者 薛冰 邓大伟 +3 位作者 曹洁 郭静 张俊 顾月清 《中国药科大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期456-461,共6页
应用生物活性分子N-乙酰-L-半胱氨酸(NAC)作为配体,采用加热回流和水热合成法制备具有紫色-近红外荧光发射、高质量的水溶性碲化镉量子点(CdTe QD s),并通过紫外可见、荧光分光光度计表征量子点的光学性质,透射电镜(TEM)和粉末X... 应用生物活性分子N-乙酰-L-半胱氨酸(NAC)作为配体,采用加热回流和水热合成法制备具有紫色-近红外荧光发射、高质量的水溶性碲化镉量子点(CdTe QD s),并通过紫外可见、荧光分光光度计表征量子点的光学性质,透射电镜(TEM)和粉末X射线衍射(XRD)表征量子点结构。结果表明,以N-乙酰-L-半胱氨酸为配体可以合成出荧光量子产率为11%-62.4%、荧光发射峰在415-800 nm宽范围内可调的Zn1-xCdxSe和CdTe水溶性量子点。XRD结果表明量子点荧光发射峰与其粒径相关。这是首次应用单一配体——N-乙酰-L-半胱氨酸作为稳定剂,合成具有紫色近红外宽荧光发射的水溶性荧光量子点。用此方法制备的水溶性量子点具有较好的荧光量子产率、较窄的半峰宽以及较强的光稳定性。 展开更多
关键词 水溶性量子点 N-乙酰-L-半胱氨酸 紫色-近红外荧光发射 zn1-xcdxse量子点 CDTE量子点
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