期刊文献+
共找到9篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
ZnTe Cu薄膜的制备及其性能 被引量:27
1
作者 郑家贵 张静全 +3 位作者 蔡伟 黎兵 蔡亚平 冯良桓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期171-176,共6页
用共蒸发法在室温下沉积了 Zn Te∶ Cu多晶薄膜 .刚沉积的不掺 Cu的薄膜呈立方相 ,适度掺 Cu时为立方相和六方相的混合相 .随着 Cu含量的增加 ,六方相增加 ,光能隙减小 .根据暗电导温度关系 ,结合 XRD和 DSC的结果 ,认为在 110℃、170... 用共蒸发法在室温下沉积了 Zn Te∶ Cu多晶薄膜 .刚沉积的不掺 Cu的薄膜呈立方相 ,适度掺 Cu时为立方相和六方相的混合相 .随着 Cu含量的增加 ,六方相增加 ,光能隙减小 .根据暗电导温度关系 ,结合 XRD和 DSC的结果 ,认为在 110℃、170℃开始出现类 Cu Te、类 Cu2 Te相以及 Cu0、Cu+离解的结果导致电导温度关系异常 ,应用这种薄膜作为背接触层获得了转换效率为 11.6 % ,面积为 0 .5 2 cm2 的 Cd S/Cd Te/Zn Te∶ 展开更多
关键词 znte:cu薄脂 共蒸发法 多晶薄膜 太阳电池
下载PDF
ZnTe(ZnTe∶Cu)多晶薄膜的XPS研究 被引量:4
2
作者 钟永强 郑家贵 +7 位作者 冯良桓 蔡伟 蔡亚平 张静全 黎兵 雷智 李卫 武莉莉 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期598-601,共4页
用共蒸发法在室温下制备了ZnTe及ZnTe∶Cu多晶薄膜,测量了电导率温度曲线,发现不掺杂的ZnTe薄膜的暗电导随温度的增加而线形增加,呈常规的半导体材料特征;掺Cu的ZnTe薄膜在温度较低时,lnσ随温度升高而缓慢增加,随后缓慢降低,达到一极小... 用共蒸发法在室温下制备了ZnTe及ZnTe∶Cu多晶薄膜,测量了电导率温度曲线,发现不掺杂的ZnTe薄膜的暗电导随温度的增加而线形增加,呈常规的半导体材料特征;掺Cu的ZnTe薄膜在温度较低时,lnσ随温度升高而缓慢增加,随后缓慢降低,达到一极小值,当温度继续升高时又陡然增加,呈现异常现象。用XPS研究了N2气氛下退火前后表面状态,发现不掺Cu的ZnTe薄膜呈现富Te现象。掺Cu后Te氧化明显,以ZnTe形式存在的Te明显减少;ZnTe∶Cu薄膜中Zn的含量在退火前后变化明显,退火前,Zn主要以ZnTe形式存在,退火后Zn原子向表面扩散,使表面成分更加均匀,谱峰变宽;退火时,部分Cu原子进入晶格形成CuxTe相,引起载流子浓度变化,导致ZnTe∶Cu多晶薄膜的电导温度关系异常。 展开更多
关键词 znte多晶薄膜 光电子能谱 退火 cuxTe
下载PDF
The properties of CdTe solar cells with ZnTe/ZnTe: Cu buffer layers
3
作者 宋慧瑾 Zheng Jiagui +6 位作者 FengLianghuan Yan Qiang Lei Zhi Wu Lili Zhang Jingquan Li Wei Li Bing 《High Technology Letters》 EI CAS 2008年第1期57-60,共4页
CdS/CdTe solar cells with ZnTe/ZnTe: Cu buffer layers were fabricated and studied. The energy band structure of it was analyzed. The C-V, I-V characteristics and the spectral response show that the ZnTe/ZnTe:Cu buff... CdS/CdTe solar cells with ZnTe/ZnTe: Cu buffer layers were fabricated and studied. The energy band structure of it was analyzed. The C-V, I-V characteristics and the spectral response show that the ZnTe/ZnTe:Cu buffer layers improve the back contact characteristic properties, the diode characteristics of the forward junction and the short-wave spectral response of the CdTe solar cells. The ZnTe/ZnTe-Cu buffer layers affect the solar cell conversion efficiencv and its fill factor. 展开更多
关键词 znte/znte cu buffer layers CdTe solar cells co-evaporation deposition thin film
下载PDF
ZnTe薄膜性能研究 被引量:1
4
作者 杨富 南景宇 +3 位作者 蔡道林 刘伟东 孟旭东 冯浩 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期135-137,共3页
用真空共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜。用XRD表征薄膜结构,刚沉积未掺Cu和适度掺Cu的薄膜为立方结构,高度(111)择优,重掺Cu的为立方和六方混合相。室温时薄膜的形貌和光能隙取决于掺Cu浓度和退火温度,并通过透射光谱的测量计... 用真空共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜。用XRD表征薄膜结构,刚沉积未掺Cu和适度掺Cu的薄膜为立方结构,高度(111)择优,重掺Cu的为立方和六方混合相。室温时薄膜的形貌和光能隙取决于掺Cu浓度和退火温度,并通过透射光谱的测量计算出光能隙。 展开更多
关键词 znte:cu薄膜 共蒸发法 退火
下载PDF
Effect of ZnTe/ZnTe:Cu complex back-contact on device characteristics of CdTe solar cells
5
作者 WU LiLi FENG LiangHuan +6 位作者 LI Wei ZHANG JingQuan LI Bing LEI Zhi CAI Wei CAI YaPing ZHENG JiaGui 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2007年第2期199-205,共7页
ZnTe/ZnTe:Cu complex layers deposited by vacuum co-evaporation have been in- troduced to CdS/CdTe solar cells. The C-V and I-V curves have been investigated and the effects of un-doped ZnTe layer thickness as well as ... ZnTe/ZnTe:Cu complex layers deposited by vacuum co-evaporation have been in- troduced to CdS/CdTe solar cells. The C-V and I-V curves have been investigated and the effects of un-doped ZnTe layer thickness as well as annealing temperatures on I-V characteristics of CdTe solar cells have been studied. The results show that the “roll over” and “cross over” phenomena of dark and light I-V curves can be eliminated by use of ZnTe/ZnTe:Cu layer and the fill factor for a typical sample has increased to 73%, where there is no high resistance transparent layer. The reasons have been discussed combined with the energy band diagram of CdTe solar cells. 展开更多
关键词 znte films znte:cu films back-contact CDTE SOLAR cells
原文传递
ZnTe:Cu多晶薄膜结构和电性质(英文) 被引量:1
6
作者 吴晓丽 郑家贵 +7 位作者 郝瑞英 冯良桓 蔡伟 蔡亚平 张静全 黎兵 李卫 武莉莉 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期655-660,共6页
用共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜,利用XRD、AFM和XPS等测试技术对样品进行了表征,研究了掺Cu浓度和退火温度对薄膜物相和晶粒度的影响,分析了薄膜表面的元素状态。根据铜离子的变价行为对异常的电阻率温度关系作了解释。并确... 用共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜,利用XRD、AFM和XPS等测试技术对样品进行了表征,研究了掺Cu浓度和退火温度对薄膜物相和晶粒度的影响,分析了薄膜表面的元素状态。根据铜离子的变价行为对异常的电阻率温度关系作了解释。并确定了最佳掺铜浓度和退火温度。 展开更多
关键词 znte:cu多晶薄膜 共蒸发系统 结构 电阻率~温度
原文传递
CdTe太阳能电池的制备及电子辐照对电池影响的研究 被引量:4
7
作者 夏庚培 郑家贵 +5 位作者 冯良桓 蔡伟 蔡亚平张静全 黎兵 李卫 武莉莉 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期118-121,共4页
作者将用共蒸发法制备的ZnTe/ZnTe∶Cu复合多晶薄膜作为背接触层,获得了转换效率为13.38%的CdTe多晶太阳能电池.用光强为100mW/cm2的卤钨灯对电池光照7d后,发现性能无明显变化.该电池经能量为1.6MeV,辐照注量为1013~1015电子/cm2的电... 作者将用共蒸发法制备的ZnTe/ZnTe∶Cu复合多晶薄膜作为背接触层,获得了转换效率为13.38%的CdTe多晶太阳能电池.用光强为100mW/cm2的卤钨灯对电池光照7d后,发现性能无明显变化.该电池经能量为1.6MeV,辐照注量为1013~1015电子/cm2的电子束辐照后,其性能有不同程度的下降,但经真空下150℃退火后,又恢复到接近辐照前的值. 展开更多
关键词 CdTe太阳能电池 znte/znte:cu复合膜 光照 辐照
下载PDF
碲化锌的电导率温度关系及其在碲化镉太阳电池组件中的应用
8
作者 陈茜 冯良桓 +5 位作者 郝瑞英 张静全 武莉莉 蔡亚萍 李卫 宋慧瑾 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期188-190,共3页
用ZnTe/ZnTe∶Cu复合层作为背接触层,能很好的解决CdTe太阳电池的欧姆接触问题。以前的研究表明,ZnTe∶Cu因掺铜浓度的不同,显示出不同的电导率温度关系。本文仔细观察了各种掺杂浓度ZnTe∶Cu的电导率温度关系,并由此来选定掺铜浓度。... 用ZnTe/ZnTe∶Cu复合层作为背接触层,能很好的解决CdTe太阳电池的欧姆接触问题。以前的研究表明,ZnTe∶Cu因掺铜浓度的不同,显示出不同的电导率温度关系。本文仔细观察了各种掺杂浓度ZnTe∶Cu的电导率温度关系,并由此来选定掺铜浓度。实验还表明,对一个确定掺铜浓度的ZnTe/ZnTe∶Cu复合层,其退火温度对CdTe太阳电池的性能影响很大。为此,本文发展了通过测试ZnTe/ZnTe∶Cu复合层的电导温度关系,来确定退火温度的方法。目前,用ZnTe/ZnTe∶Cu复合层作背接触材料,获得了转换效率为7.03%的中面积碲化镉薄膜电池集成组件。 展开更多
关键词 znte/znte:cu复合层作背接触材料 太阳电池 电导率温度关系
下载PDF
CdTe太阳电池背接触层的XPS研究
9
作者 杨帆 钟永强 +8 位作者 郑家贵 冯良桓 蔡伟 蔡亚平 张静全 黎兵 雷智 李卫 武莉莉 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期904-907,共4页
采用共蒸发法在不同条件下制备了ZnTe和ZnTe∶Cu多晶薄膜,通过XRD和XPS研究了它们的结构和各元素的浓度分布。结果表明,不同衬底温度下沉积的薄膜,结构无明显变化,利用XPS溅射剖析获得了薄膜中各成分浓度随溅射时间变化的分布图,发现不... 采用共蒸发法在不同条件下制备了ZnTe和ZnTe∶Cu多晶薄膜,通过XRD和XPS研究了它们的结构和各元素的浓度分布。结果表明,不同衬底温度下沉积的薄膜,结构无明显变化,利用XPS溅射剖析获得了薄膜中各成分浓度随溅射时间变化的分布图,发现不同条件下制备的薄膜,溅射速率不同,各成分随溅射时间的变化也不相同。薄膜中Cu的浓度随溅射时间增加而快速增加,并达到一极大值,然后快速下降。根据Cu浓度的变化研究了ZnTe层对Cu原子的阻挡作用,通过对Cu浓度随时间变化分布图的比较,作者认为,用70℃制备ZnTe,而后在常温下制备ZnTe∶Cu的复合膜作为CdTe太阳电池的背接触层,能有效阻挡Cu原子的扩散,提高电池效率。 展开更多
关键词 CDTE太阳电池 光电子能谱 znte/zntecu多晶薄膜
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部