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常压MOCVD法制备ZnTe单晶膜
1
作者
江风益
范广涵
+1 位作者
宋士惠
范希武
《南昌大学学报(工科版)》
CAS
1990年第3期60-62,88,共4页
本文叙述了常压MOCVD法制备ZnTe单晶膜的方法.通过x-ray衍射和光政发光的测量,表明已生长出高质量的ZnTe单晶膜.为生长ZnSxTel-x固溶体,获得从绿色到紫色的发光材料准备了条件.
关键词
金属有机化学汽相沉淀
znte单晶膜
光致发光
X射线衍射
下载PDF
职称材料
题名
常压MOCVD法制备ZnTe单晶膜
1
作者
江风益
范广涵
宋士惠
范希武
机构
江西工业大学
中国科学院长春物理研究所
出处
《南昌大学学报(工科版)》
CAS
1990年第3期60-62,88,共4页
文摘
本文叙述了常压MOCVD法制备ZnTe单晶膜的方法.通过x-ray衍射和光政发光的测量,表明已生长出高质量的ZnTe单晶膜.为生长ZnSxTel-x固溶体,获得从绿色到紫色的发光材料准备了条件.
关键词
金属有机化学汽相沉淀
znte单晶膜
光致发光
X射线衍射
Keywords
MOCVD
znte
single crystal films
photoluminescence
x-ray diffraction
分类号
T-55 [一般工业技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
常压MOCVD法制备ZnTe单晶膜
江风益
范广涵
宋士惠
范希武
《南昌大学学报(工科版)》
CAS
1990
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