掺杂ZnWO_4晶体的研究现状与进展

ZnWO4单晶是一种优良的基质晶体材料,过渡金属离子和稀土离子能够较容易地掺杂进去,从而使掺杂ZnWO4晶体具有闪烁发光、上转换发光、可调谐激光等性能。本文从闪烁发光、上转换发光、可调谐激光和大功率LD泵浦发光等几个方面,介绍了掺杂ZnWO4晶体在生长技术、性能测试和发光机理等方面的研究进展。

Yb:ZW单晶生长缺陷和光谱性能

采用丘克拉斯基法生长了３块名义掺杂浓度分别为０．０５％、０．５％、１％的ＺｎＷＯ４：Ｙｂ３＋晶体，根据Ｘ射线粉末衍射数据计算了晶胞参数，由密度实验确定了Ｙｂ３＋是以置换Ｚｎ２＋离子的方式进入晶格．观察了组分过冷和位错蚀坑，研究了不同掺杂浓度晶体的（０１０）晶面上的位错类型、连接方式，计算了位错密度．发现随着掺杂浓度的增加，位错密度也增大，必须控制合理的生长工艺条件以减少位错密度，提高晶体质量．对晶体的吸收光谱进行了测试，并对晶体的激光性能进行了讨论．