分子束外延ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)超晶格光学特性

用分子束外延方法在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的 Zn Se/ Zn Sx Se1 - x(x=0 .12 )超晶格结构 ,通过 X射线衍射谱和光致发光谱 ,对其结构特性和光学特性进行了研究 .结果表明 :在 4 .4 K温度下 ,超晶格样品显示较强的蓝光发射 ,主发光峰对应于阱层 Zn Se的基态电子到重空穴基态的自由激子跃迁 ,而且其峰位相对于 Zn Se薄膜的自由激子峰有明显蓝移 .从理论上分析计算了由应变和量子限制效应引起的自由激子峰位移动 。

常压 MOCVD 法生长 ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)应变层超晶格

本文首次报导以常压 MOCVD 法,用二甲基锌、硒化氢、硫化氢为源,在砷化镓衬底上外延生长 ZnSe/ZnS_XSe_(1-X) 应变层超晶格结构。讨论了气相组分对外延层组分的影响。用 X 射线衍射法和光荧光法鉴定了超晶格结构。

紫外透射型液晶光阀用ZnS_xSe_(1-x)薄膜的研究

描述了透射型ZnSxSe1 -x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理 ,并从器件的电学模型出发 ,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1 -x光敏层的特殊要求。采用分子束外延技术在ITO石英导电玻璃上制备了不同组分的三元ZnSxSe1 -x多晶薄膜 ,通过控制反应时的生长参数 ,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜。室温下 ,薄膜的紫外 可见光响应对比度大于 10 3,响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分 ,在 36 0～ 4 10nm范围内连续可调 ;薄膜的紫外 可见光吸收系数比大于 10 3;在液晶光阀工作的低频段 (<2 0 0Hz) ,其暗阻抗在 10 5～ 10 6 Ωcm2 之间 ;暗

分子束外延生长液晶光阀用ZnS_xSe_(1-x)薄膜的研究

描述了ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理 ,并从器件的电学模型出发 ,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-x光敏层的特殊要求。采用分子束外延技术在ITO导电玻璃上制备了具有 (111)面定向生长结构的ZnSxSe1-x多晶薄膜 ,通过控制反应时的生长参数 ,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜。室温下 ,该薄膜的紫外 /可见光响应对比度大于10 3 ;响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分 ,在 (36 0～ 4 10 )nm范围内连续可调 ;薄膜的暗电阻率在 (4 32× 10 9～ 2 0 3×10 11)Ω·m之间 ,并随着晶粒的增大而减小 ;在液晶光阀工作的低频段 (<2 0 0Hz) ,其光 /暗阻抗比在 0 2 2～ 0 36之间。

在ZnS_xSe_(1-x)单晶中本征缺陷的研究

本文用气相法生长ZnS_xSe_(1-x)(x=0.03)单晶,解理得到(110)面晶片。在组分分压(Zn或S/Se或Se)下300—800℃范围内进行热处理,在4.2K激子发射光谱中观察到与V_(Zn)(Zn空位)有关的I_1deep谱线强度的变化。当热处理温度低于300℃时,未观察到I_1deep谱线强度的变化。在300℃以上热处理样品中均观察到I_1deep谱线强度的变化。由此研究了V_(Zn)浓度随热处理条件的变化。提供了分别控制本征V_(Zn)缺陷和掺杂的实验依据。

VPE ZnS_xSe_(1-x)外延膜中的自发和受激辐射

本文首次报道了VPE ZnS_xSe_(1-x)外延膜在77K时起因于激子和激子(Ex—Ex)散射的自发辐射和受激辐射,研究了Ex—Ex散射发光的位置和强度与激发密度的关系,分析了受激辐射的光子能量比自发辐射稍低的原因.