碳点修饰石墨毡电极在ZnI_2溶液中的电化学性能

通过溶剂热法在石墨毡(GF)上制备碳点(CD),将其作为电极,在碘化锌(ZnI_2)电解液中测量其电化学性能,研究其作为ZnI_2储能器件的电极对储能器件性能的影响。主要通过不同制备时间的溶剂热法制备碳点,研究不同的制备时间对碳点制备的影响。对碳点修饰的石墨毡进行快速热退火,研究退火对石墨毡电极性能的影响。通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、X射线衍射仪(XRD)和喇曼光谱对电极表面进行了表征。通过循环伏安曲线(CV)、电化学阻抗谱(EIS)和计时电位法研究其电化学性能。研究结果表明,通过9 h、180℃下溶剂热法制备的CD修饰GF具有最好的电化学性能。

海洋泥质沉积物的孢粉实验室处理方法研究

为了对比孢粉实验前处理中的酸碱处理法与氢氟酸处理法在富集孢粉方面的优劣，选用5个冲绳海槽海洋沉积岩芯的样品进行了分组对比研究。结果显示，氢氟酸处理法在最终富集物的分散性、孢粉的分离状况及孢粉纹饰的清晰程度等方面均优于酸碱处理法，有利于孢粉的鉴定。氢氟酸处理法所获孢粉浓度一般是酸碱处理法的3-4倍，甚至更高，这可能与孢粉分离、富集程度好有关。另外，实验过程中，也对ZnI2重液的配制作了简单比较，认为使用锌粉与碘粒反应配制碘化锌重液，具有配制时间短、成本低和毒性小的优点，是较好的选择。

PLD法制备透明ZnO薄膜的主要点缺陷研究

采用脉冲激光沉积(PLD)法在石英衬底上制备了ZnO薄膜。为研究ZnO薄膜内部主要点缺陷,我们用(002)ZnO单晶与ZnO薄膜作对比,并进行了霍尔测试、X线衍射(XRD)和光学透射谱等基本表征。霍尔测量得到的高的霍尔迁移率及XRD图表明,制备的ZnO薄膜结晶良好,具有沿c轴高度择优取向。同时,ZnO薄膜衍射峰相对于单晶向大角度方向发生了漂移。透射谱表明,ZnO薄膜在可见光区透过率为75%,吸收带边相对于单晶发生蓝移。各种表征手段证明PLD法制备的ZnO薄膜主要点缺陷为Zn填隙(Zni)。

ZnO/(Ni)薄膜的制备与发光性能的研究

采用直流磁控溅射法制备了ZnO/(Ni)薄膜。研究了氧分压及Ni掺杂对ZnO薄膜的结构、光致发光特性及薄膜中的几种本征缺陷如氧空位(VO)、锌空位(VZn)、氧位锌(OZn)、锌位氧(ZnO)、间隙氧(Oi)、间隙锌(Zni)等浓度变化的影响。实验结果表明,随着氧分压的增大,466nm处的蓝色发光峰增强,掺Ni后蓝色发光峰也增强。通过分析,推测出蓝色发光峰可能是由ZnO薄膜中的间隙锌(Zni)点缺陷引起的。

退火对N掺杂ZnO薄膜的结构和光学性质的影响

采用磁控溅射法在石英衬底上制备N掺杂ZnO薄膜(ZnO:N),随后进行了退火处理,研究了退火温度对ZnO:N薄膜结构和光学性质的影响。结果表明:所有ZnO:N薄膜均为纤锌矿结构;退火处理能改善薄膜的结晶质量,且能有效调控ZnO:N薄膜中间隙锌缺陷浓度,进而影响薄膜的光学带隙。

基于Strecker反应的含氰基多取代吡唑的合成及生物活性研究

为探索多取代吡唑胺的Strecker反应及含氰基吡唑化合物的生物活性,首次实现了ZnI2催化下多取代吡唑胺、三甲基硅腈(TMSCN)和醛的Strecker反应,初步探索了反应条件及醛底物的范围.共获得20个全新含氰基多取代吡唑目标物,最高收率为93.5%,并通过核磁共振氢谱(1HNMR)、碳谱(13CNMR)和高分辨质谱(HRMS)确证了其结构.活性测试表明,10×10^-3g/L浓度下,13个化合物对蚊幼虫活性为100%,5×10^-3g/L浓度下4个化合物活性高于40%;在500×10^-3g/L浓度下10个化合物对黏虫体现一定活性.在500×10^-3g/L浓度下5个化合物对烟草花叶病毒具有一定钝化活性,最高活性为31.8%,4个化合物则具有保护活性,最高活性为28.3%.在50×10^-3mg/mL浓度下,3个化合物对瓜果腐霉菌、芦笋茎枯菌、辣椒疫霉菌、水稻纹枯菌等显示一定抑制活性,其中4-[(1-氰基十二烷基)氨基]-5-乙基-N-甲基-1H-吡唑-3-甲酰胺(3t)对辣椒疫霉活性达62.3%.这表明氨基邻位具有大位阻基团的吡唑胺底物能顺利发生Strecker反应,含氰基吡唑类目标物显示多样的生物活性,具有一定的研究价值.