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不同退火温度下Zn_(0.96)Co_(0.04)O薄膜的磁性研究
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作者 刘永刚 杨东洋 《材料导报（纳米与新材料专辑）》 EI CAS 2011年第1期91-92,112,共3页
通过对磁控溅射方法制备的Zn_(0.96)Co_(0.04)O薄膜退火前后结构和磁性的研究发现,Co进入ZnO的晶格中并取代了Zn的位置,形成稀磁半导体结构,显示了室温铁磁性。后期真空退火可以产生更多的氧空位,提高BMP之间发生交叠的几率,从而使磁矩... 通过对磁控溅射方法制备的Zn_(0.96)Co_(0.04)O薄膜退火前后结构和磁性的研究发现,Co进入ZnO的晶格中并取代了Zn的位置,形成稀磁半导体结构,显示了室温铁磁性。后期真空退火可以产生更多的氧空位,提高BMP之间发生交叠的几率,从而使磁矩增大。因此可以认为氧空位是产生磁性的必要条件,其磁性来源机制符合J.M.D.Coey的BMP模型。 展开更多
关键词 zno.96coo.040稀磁半导体薄膜高温退火磁性
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