期刊文献+
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Zn_xCd_(1-x)S薄膜的制备及其光电性质的研究 被引量:1
1
作者 龚跃球 黄代勇 +2 位作者 马晶 朱坤 赵修建 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 2002年第9期5-7,共3页
用化学池沉积法制备了不同锌含量的 Znx Cd( 1 -x) S薄膜 ,并阐述了不同锌含量对薄膜性能的影响及其原因。通过 X射线衍射、扫描电镜、光谱透过率等测试方法表明 ,在 0 .4<x<0 .6(摩尔百分比 )时 ,薄膜有较大的晶粒和较小的电阻 ... 用化学池沉积法制备了不同锌含量的 Znx Cd( 1 -x) S薄膜 ,并阐述了不同锌含量对薄膜性能的影响及其原因。通过 X射线衍射、扫描电镜、光谱透过率等测试方法表明 ,在 0 .4<x<0 .6(摩尔百分比 )时 ,薄膜有较大的晶粒和较小的电阻 ,可望替代部分 Cd 展开更多
关键词 光电性质 化学池沉积 znxcd(1-x)S薄膜 太阳电池 锌含量
下载PDF
Zn_xCd_(1-x)Se薄膜的研究进展
2
作者 张叶 《科技情报开发与经济》 2007年第1期143-144,共2页
介绍了ZnxCd1-xSe薄膜的最新发展和研究现状及制备方法,从应用、工艺与性能等方面分析了它们的优势和不足之处,讨论了ZnxCd1-xSe薄膜的发展趋势。
关键词 znxcd1-xse薄膜 半导体材料 太阳电池
下载PDF
水溶性荧光量子点Zn_xCd_(1-x)Se的合成以及在血潜指纹显现中的应用 被引量:9
3
作者 王珂 杨瑞琴 +1 位作者 夏彬彬 熊海 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第24期21-24,共4页
探索了水溶性镉硒化锌(ZnxCd1-xSe)荧光量子点溶液对血手印的显现方法。以巯基丙酸(MPA)为修饰剂合成了水溶性荧光量子点ZnxCd1-xSe溶液,并用此溶液对血手印进行了显现。结果良好地显出锡纸、瓷砖、铝合金、黑塑料、透明胶带、玻璃上的... 探索了水溶性镉硒化锌(ZnxCd1-xSe)荧光量子点溶液对血手印的显现方法。以巯基丙酸(MPA)为修饰剂合成了水溶性荧光量子点ZnxCd1-xSe溶液,并用此溶液对血手印进行了显现。结果良好地显出锡纸、瓷砖、铝合金、黑塑料、透明胶带、玻璃上的血手印;对原血,浓度为50%、20%、10%、5%、1%的血手印,以及放置1天、3天、7天、15天、30天的血手印亦有良好显现。水溶性荧光量子点ZnxCd1-xSe溶液显现出的指纹纹线流畅、细节特征明显,具有很高的实用和鉴定价值。 展开更多
关键词 znxcd1-xse量子点 血手印 显现 荧光
下载PDF
一锅法水相制备发白光的Zn_xCd_(1-x)Se量子点 被引量:1
4
作者 付沙沙 孙启壮 +3 位作者 李定云 董美婷 刘淑贤 黄朝表 《化学试剂》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期895-898,945,共5页
以Na2SeO3,CdCl2.2.5H2O为Se源和Cd源,还原型谷胱甘肽(GSH)作为还原剂和稳定剂,真正成功实现了一锅法水相制备发白光ZnxCd1-xSe量子点(QDs),通过调节Zn2+与Cd2+的比例改变ZnxCd1-xSe量子点的光学性质。实验结果表明,当Zn/Cd比增大时,Znx... 以Na2SeO3,CdCl2.2.5H2O为Se源和Cd源,还原型谷胱甘肽(GSH)作为还原剂和稳定剂,真正成功实现了一锅法水相制备发白光ZnxCd1-xSe量子点(QDs),通过调节Zn2+与Cd2+的比例改变ZnxCd1-xSe量子点的光学性质。实验结果表明,当Zn/Cd比增大时,ZnxCd1-xSe量子点的荧光光谱和激子吸收峰均发生蓝移,证明这种混晶量子点的形成,而且,Zn0.89Cd0.11Se的光学性能最佳。通过粉末X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)表征所制备的样品是立方体结构,粒径约为3 nm。并将一定量的量子点与不同体积血红蛋白结合,为以后量子点在生物标记及医学检测中的应用奠定了工作基础。 展开更多
关键词 znxcd1-xse量子点 白光 一锅法 水相
下载PDF
硒化温度对CIGS/Mo界面微观结构和化学成分的影响
5
作者 袁琦 茶丽梅 +3 位作者 明文全 杨修波 李石勇 韩俊峰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1787-1790,1819,共5页
采用磁控溅射和硒化热处理的方法在钠钙玻璃上沉积了一系列铜铟镓硒(CIGS)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微术(HR-TEM)、高角环形暗场相(HAADF)和X射线能量散射光谱(EDS)元素面扫描分析等表征手段,研究了铜铟镓硒/钼(CIGS/... 采用磁控溅射和硒化热处理的方法在钠钙玻璃上沉积了一系列铜铟镓硒(CIGS)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微术(HR-TEM)、高角环形暗场相(HAADF)和X射线能量散射光谱(EDS)元素面扫描分析等表征手段,研究了铜铟镓硒/钼(CIGS/Mo)界面特性随硒化温度的变化规律。结果表明,400℃硒化的薄膜中CIGS与Mo层之间界面清晰;当硒化温度为500℃时,CIGS/Mo界面上出现MoSe_2薄层和富Na的二次相纳米颗粒;当硒化温度升至600℃时,MoSe_2层增厚,同时富Na二次相纳米颗粒连接形成不平整的条带,CIGS/Mo界面演变为CIGS/富Na的二次相/MoSe_2/Mo多层结构。此外,MoSe_2的取向对富Na二次相的形成有一定的影响。 展开更多
关键词 CuInxGa1-xse2 薄膜 界面 微观结构 成分
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部