硅-二氧化硅超晶格——探索硅基发光材料的一条新途径

理论上认为，由于Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格中硅层（阱层）的电子和空穴都受到极强的量子限制效应，硅层能带有可能从体硅的间接带隙转变为直接带隙，从而发光效率大大提高．实验上，在非晶Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格中观察到在可见光波段的室温光致发光和明显的量子限制效应现象．晶体Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格研究也取得了初步的结果．

分子束外延系统中生长Si/SiO_2超晶格及其发光

在硅分子束外延（ＭＢＥ）系统中，利用Ｓｉ和Ｏ２共淀积的方法生长出化学配比理想的ＳｉＯ２。

a-Si/SiO_2超晶格结构的非线性光学性质

用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格．利用ＴＥＭ和Ｘ射线衍射技术对其结构进行了分析，并采用多种光谱测量手段，如Ｒａｍａｎ光谱、吸收光谱和光致发光谱，对该结构的光学性质进行了研究．结果表明，随纳米Ｓｉ层厚度的减小，Ｒａｍａｎ峰发生展宽，吸收边以及光荧光峰发生蓝移．用单光束Ｚ扫描技术研究了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格结构的非线性光学性质．这一结果较多孔硅的相应值大两个量级．还对影响非线性效应增强的因素进行了讨论．

硅基光电子材料的研究

综述了硅基发光材料的研究新进展 ,分别以发光多孔硅、多孔碳化硅、纳米硅薄膜和发光硅基超晶格为例 ,分析讨论了其制备。