用催化CVD法研制优质a-Si薄膜

用新的催化ＣＶＤ法在约３５０℃的低温条件下研制出了ａ－Ｓｉ薄膜。本方法是利用催化剂，使ＳｉＨ４和Ｈ２混合气体在一定温度下反应而裂解，在衬底上沉积ａ－Ｓｉ薄膜。所制出的ａ－Ｓｉ薄膜具有良好的光电特性，光电灵敏度超过１０６，电子自旋密度约２．５×１０１６ｃｍ－３。