期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于P型晶体硅异质结太阳电池的结构设计与性能分析
被引量:
5
1
作者
邸明东
周骏
+1 位作者
孙铁囤
孙永堂
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第10期1343-1348,共6页
针对两种a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池结构,应用AFORS_HET软件,分析氢化非晶硅(a-Si:H)和氢化微晶硅(μc-Si:H)两种材料作为背面场时的特性参数对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池性能的影响。结果表明:P型氢化微晶硅(μc-Si:H(p))为背...
针对两种a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池结构,应用AFORS_HET软件,分析氢化非晶硅(a-Si:H)和氢化微晶硅(μc-Si:H)两种材料作为背面场时的特性参数对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池性能的影响。结果表明:P型氢化微晶硅(μc-Si:H(p))为背面场时电池性能得到提高,μc-Si:H(p)的背面场特性是关键因素。最后,优化设计出以a-Si:H为窗口层、μc-Si:H为背面场的a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池TCO/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p)/TCO,并获得20%的转换效率。
展开更多
关键词
a-si
(
n
)/
c
—si
(
p
)
异质
结
太阳电池
微晶硅
背面场
AFORS—HET
下载PDF
职称材料
(p)nc-Si∶H/(n)c-Si异质结变容二极管
2
作者
韦文生
王天民
+2 位作者
张春熹
李国华
卢励吾
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期745-750,共6页
采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管———Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si∶H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I V,C V,C f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于...
采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管———Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si∶H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I V,C V,C f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射复合模型,这是nc-Si∶H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性.
展开更多
关键词
(
p
)
n
c
-
si
H薄膜
(
p
)
n
c
si
H/(
n
)
c
si
异质
结
变容二极管
下载PDF
职称材料
衬底参数及界面特性对硅异质结电池性能的影响
被引量:
5
3
作者
孙永堂
周骏
+2 位作者
孙铁囤
邸明东
苑红伟
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期870-875,共6页
针对a-Si∶H(n)/c-Si(p)双面异质结太阳电池结构,数值研究了不同p型单晶硅衬底厚度、氧缺陷密度、电阻率以及异质结界面缺陷态密度与电池转化效率之间的关系。结果表明:异质结界面缺陷态密度是影响电池性能的最主要因素,衬底前表面界面...
针对a-Si∶H(n)/c-Si(p)双面异质结太阳电池结构,数值研究了不同p型单晶硅衬底厚度、氧缺陷密度、电阻率以及异质结界面缺陷态密度与电池转化效率之间的关系。结果表明:异质结界面缺陷态密度是影响电池性能的最主要因素,衬底前表面界面缺陷密度增大,主要降低开路电压和填充因子,衬底背表面界面缺陷态密度主要影响短路电流和填充因子。其次,p型硅衬底厚度减小和氧缺陷密度的增大,均导致短路电流密度下降,电池转化效率降低,特别是在界面缺陷态密度较低时,氧缺陷密度对电池性能影响较大;最后,在衬底前表面界面缺陷态密度为5×1010cm-2,后表面界面缺陷态密度为5×1010cm-2以及氧缺陷密度为109cm-2时,衬底电阻率存在最优值1Ω.cm。
展开更多
关键词
双面
异质
结
c
—si
(
p
)衬底
太阳电池
AFORS·HET
下载PDF
职称材料
题名
基于P型晶体硅异质结太阳电池的结构设计与性能分析
被引量:
5
1
作者
邸明东
周骏
孙铁囤
孙永堂
机构
江苏大学机械工程学院光信息科学与技术系
宁波大学理学院光电子技术研究所
常州亿晶光电科技有限公司
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第10期1343-1348,共6页
基金
国家自然科学基金(60977048)
宁波市重点实验室基金(2007A22006)
江苏大学-常州亿晶光电科技有限公司联合研发项目
文摘
针对两种a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池结构,应用AFORS_HET软件,分析氢化非晶硅(a-Si:H)和氢化微晶硅(μc-Si:H)两种材料作为背面场时的特性参数对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池性能的影响。结果表明:P型氢化微晶硅(μc-Si:H(p))为背面场时电池性能得到提高,μc-Si:H(p)的背面场特性是关键因素。最后,优化设计出以a-Si:H为窗口层、μc-Si:H为背面场的a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池TCO/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p)/TCO,并获得20%的转换效率。
关键词
a-si
(
n
)/
c
—si
(
p
)
异质
结
太阳电池
微晶硅
背面场
AFORS—HET
Keywords
a-si
(
n
)/
c
-
si
(
p
) heteroju
n
c
tio
n
solar
c
ells
mi
c
ro
c
rystalli
n
e
si
li
c
o
n
ba
c
k surfa
c
e filed
AFORS_ HET
分类号
TM615 [电气工程—电力系统及自动化]
下载PDF
职称材料
题名
(p)nc-Si∶H/(n)c-Si异质结变容二极管
2
作者
韦文生
王天民
张春熹
李国华
卢励吾
机构
北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心
北京航空航天大学光电技术研究所
中国科学院半导体研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期745-750,共6页
基金
国家高技术研究发展计划
教育部高校博士点基金(批准号:200220006037)
+1 种基金
国家自然科学基金(批准号:60276012)
北京航空航天大学博士生基础性研究基金资助项目~~
文摘
采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管———Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si∶H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I V,C V,C f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射复合模型,这是nc-Si∶H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性.
关键词
(
p
)
n
c
-
si
H薄膜
(
p
)
n
c
si
H/(
n
)
c
si
异质
结
变容二极管
Keywords
p
)
n
c
-
si
∶H film
(
p
)
n
c
-
si
∶H/(
n
)
c
-
si
heteroju
n
c
tio
n
variable
c
a
p
a
c
ita
n
c
e diode
分类号
TN312.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
衬底参数及界面特性对硅异质结电池性能的影响
被引量:
5
3
作者
孙永堂
周骏
孙铁囤
邸明东
苑红伟
机构
江苏大学机械工程学院光信息科学与技术系
宁波大学理学院光学与光电子技术研究所
常州亿晶光电科技有限公司
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期870-875,共6页
基金
国家自然科学基金项目(60977048)
浙江省"钱江人才"项目(2007R10015)
+2 种基金
宁波市重点实验室基金项目(2007A22006)
宁波市自然科学基金项目(2008A610001)
江苏大学与常州亿晶光电科技有限公司联合研发项目
文摘
针对a-Si∶H(n)/c-Si(p)双面异质结太阳电池结构,数值研究了不同p型单晶硅衬底厚度、氧缺陷密度、电阻率以及异质结界面缺陷态密度与电池转化效率之间的关系。结果表明:异质结界面缺陷态密度是影响电池性能的最主要因素,衬底前表面界面缺陷密度增大,主要降低开路电压和填充因子,衬底背表面界面缺陷态密度主要影响短路电流和填充因子。其次,p型硅衬底厚度减小和氧缺陷密度的增大,均导致短路电流密度下降,电池转化效率降低,特别是在界面缺陷态密度较低时,氧缺陷密度对电池性能影响较大;最后,在衬底前表面界面缺陷态密度为5×1010cm-2,后表面界面缺陷态密度为5×1010cm-2以及氧缺陷密度为109cm-2时,衬底电阻率存在最优值1Ω.cm。
关键词
双面
异质
结
c
—si
(
p
)衬底
太阳电池
AFORS·HET
Keywords
double heteroju
n
c
tio
n
; substrate
c
-
si
(
p
); solar
c
ell; AFORS·HET
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于P型晶体硅异质结太阳电池的结构设计与性能分析
邸明东
周骏
孙铁囤
孙永堂
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
5
下载PDF
职称材料
2
(p)nc-Si∶H/(n)c-Si异质结变容二极管
韦文生
王天民
张春熹
李国华
卢励吾
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
下载PDF
职称材料
3
衬底参数及界面特性对硅异质结电池性能的影响
孙永堂
周骏
孙铁囤
邸明东
苑红伟
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2010
5
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部