引入a-Si:H材料的氮化硅芯片电容

本文研制了两种引入a-Si:H材料的氮化硅芯片电容,其一是作为辅助介质引入的,其二是为了改善Si/Si_3N_4界面而引入的,文章报导了这两种电容的研制工艺及样品的各种性能,其结果表明,这类电容有希望应用于厚薄膜集成电路。

a-Si:H和a-Si_xN_(1-x):H光学特性的研究

本文所用a_Si:H和a-Si_xN_(1-x):H薄膜是用辉光放电法制备而成的。薄膜中氮含量由淀积气体中氮气与硅烷气体体积比γ(=N_2/SiH_4)来控制。利用椭圆偏振光谱测定了a-Si:H和a-Si_xN_(1-x):H在波长为2000A～6000A的范围内的光学常数。着重研究了其光学参数随制备时的衬底温度T和γ而变化的变化规律。