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衬底温度对不锈钢衬底上制备a-Si∶H薄膜特性的影响
1
作者
杨恢东
雷飞
+1 位作者
李姗
王河深
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2015年第5期497-501,共5页
非晶硅薄膜太阳电池因为光致衰退效应而影响了其使用和推广的范围,而通过甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PECVD)法制备的氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)可以在一定程度上改善光致衰退(SW)效应对电池效率的影响。不锈钢衬底具有可卷曲、耐高...
非晶硅薄膜太阳电池因为光致衰退效应而影响了其使用和推广的范围,而通过甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PECVD)法制备的氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)可以在一定程度上改善光致衰退(SW)效应对电池效率的影响。不锈钢衬底具有可卷曲、耐高温、延展性好等优点。本文重点讨论了在不锈钢衬底上的非晶硅薄膜的生长速率、表面形貌、结构成分、光学带隙及光敏性等方面的影响,分析了影响的原因并找出最优制备条件。实验结果表明:在220~300℃的范围内,随着衬底温度的增加,薄膜的生长速率先增加后减小,薄膜的非晶化程度逐渐降低。合适的衬底温度应控制在220~240℃的范围,此时可以获得1.84eV左右的光学带隙和103量级的光敏性。
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关键词
甚高频等离子体化学气相沉积
a-sih
衬底温度
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职称材料
题名
衬底温度对不锈钢衬底上制备a-Si∶H薄膜特性的影响
1
作者
杨恢东
雷飞
李姗
王河深
机构
暨南大学信息与科学技术学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2015年第5期497-501,共5页
基金
广东省科技计划项目(2014A010106014)
广东省教育部产学研结合项目(2012B091000111)
+1 种基金
硅材料国家重点实验室开放课题(SKL2012-11)
中央高校基本科研业务费专项资金项目(21612412)
文摘
非晶硅薄膜太阳电池因为光致衰退效应而影响了其使用和推广的范围,而通过甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PECVD)法制备的氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)可以在一定程度上改善光致衰退(SW)效应对电池效率的影响。不锈钢衬底具有可卷曲、耐高温、延展性好等优点。本文重点讨论了在不锈钢衬底上的非晶硅薄膜的生长速率、表面形貌、结构成分、光学带隙及光敏性等方面的影响,分析了影响的原因并找出最优制备条件。实验结果表明:在220~300℃的范围内,随着衬底温度的增加,薄膜的生长速率先增加后减小,薄膜的非晶化程度逐渐降低。合适的衬底温度应控制在220~240℃的范围,此时可以获得1.84eV左右的光学带隙和103量级的光敏性。
关键词
甚高频等离子体化学气相沉积
a-sih
衬底温度
Keywords
V
h
F-PECVD
a-si
:
h
substrate temperature
分类号
TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
衬底温度对不锈钢衬底上制备a-Si∶H薄膜特性的影响
杨恢东
雷飞
李姗
王河深
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2015
0
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